sprav_tranzistor (529834), страница 99
Текст из файла (страница 99)
при Г = 346 К 2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т38!В-1 . при О!гь = 25 В ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° 200 нА Обрэ~ный ток эмиттсра при Оэь = 6,5 В не более... 1 нА Предельные эксплуатационные данные Постояниое напряжение лоллектор-база Постоянное напряжение коллектор.эмиттер Ггэь с ! к!ум 2Т38! А-!, 2738!В-1 2Т381В-1, 2Т381Д-1 2Т38!Г-! .
Посзоянное напряжение змитзер-база Постоянный ток кол чеь гора Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Гс 313 К Температура перехода Температура окружающей оралы 25 В при 15 В 25 В 6,5 В 15 мА при 15 мВт 363 К От 2!3 до з46 К И р и м е ч а и и е Максимачьио лопустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора прн Т > 3!3 К определяется по формуле ~к чакс (363 73' !1т КТС395А, КТС395Б Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных и-р-л универсальных матамощных транзисторов с раздельными выволами Прелназначены лля применения в герметизированнай аппаратуре в балансных, дифференциальных и операционньж усилителях, переключающих, импульсных и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов Сборки поставляются в виде наборов из двух отдельных транзисторов Транзисторы бескорпусные с гибкимн выволами, защит"им покрытием, на металлических подложках, электрически соединенных с выводами коллекторов Сборки упаковываются в герметичную сопроводительную тару Обозначение типа приводится на соправолительной таре Масса сборки не более 0,5 г 771 При монтаже транзисторов в микросхемы они должны быть смонтированы нь расстоянии не бочее 2 мм друг от друга Пайка !сварка) выводов допускается на расстоянии не менее 0,6 мм от края поверхности покрытия кристатла При монтаже транзисторов должны быть приняты меры, исключающие нагрев защитного покрытия кристалла до температуры более 453 К в течение времени более 5 с При эксцчуатации транзисторов в аппаратуре тепзоотвод крис~алла лолжеи обеспечивать Яг я 4 К!мйт Блапгпг ер ~ — «оппекпгор Бага Бага вй ечиоппер Капп екпгор Электрвчеекгге параметры Граничное напряжение при 2э = 5 мА не менее КТС395А КТС395Б Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Ук = 1О мА, 1в = ! мА не бозее .
Напряжение насыщения база-эмиттер при 2к = 1О мА, гв = 1 мА не более Молтль коэффициента передачи тока при 0 кэ = 5 В, ээ = 1О мА, /= 100 МГц не менее Разность напряжений база-эмитгер транзисторов сборки при !Гкв = 5 В, гк = 1 мА дчя КТС395А не более . Статический коэффициент передачи гока в схеме с общим эмиттером при !Гкв = 5 В, !э = 1 мА при Т= 298 К КТС395А КТС395Б . при Т= 228 К КТС395А КТС395Б .
при Т = 358' К КТС395А не менее . КТС395Б не менее Обратный ток коллектора при бгкв = 45 В не более при Т= 298 К и Т= 228 К при Т= 358 К Обратный ток эмиттера при !Гвэ = 4 В не более . 45 В 30 В 0,3 В 1,0 В 3,0 10,0 мВ 40-120 100 — 300 20-120 50-300 05 мкА !.0 мкА 0,5 мкА 772 бмкость коллекторного перехола при «ткк = 10 н, ('= 10 МГп не более И,О ппз Прелельиые эксплуатационные данные «!алряжение коллектор-эмнттер при >«вз и 10 кОм, = 10 мкА Напряжение коллектор-база при (кае = 10 мкА . Напряжение база-змиттер при (лке = 10 мкА 7ок коллекзоРа олиночного тРанзнстоРа уок базы одиночного транзистора Постоянная рассеиваемая мощность двух транзисторов сборки с допочнительным теплоотводом при обеспечении теплового сопротивления подложка-срела не более 200 К(Вт и Т с 333 К Нмпульсная рассеиваемая мощность двух транзисторов сборки с лополннтельным теплоотводом при обеспечении теплового сопротивления подложка-среда не более 200 К(Вг, т» С 1О мкс, >'„> В 2 н Т < 333 К .
Постоянная рассеиваемая мощность одиночного транзистора прн постоянной рассеиваемой мощности сборки, не превышающей предельную Нмпузьсная рассеиваемая мощность одиночного транзистора при импучьсной рассеиваемой мощности сборки, не превышающей прелельную Тепловое сопротивление переход-полложьа . Температура перехода Температура окружающей среды 45 В 45 В 4.0 В 100 мА 30 мА 300 мВт 500 мВт 250 мВт 500 лейт 100 К(Вт 423 К От 228 ло 353 К П р и м е ч а н и я 1 Прн монтаже в микросхему максимально лоп>стимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по формуле «423 — Т) >к пзт йт и-с Минимальное расстояние от места пайки «сварки) до защитного покрытия должно быть не менее 4 мм. Температура жала паяльника лолжна быть не более 513 К, время пайки — не более 1 мнн.
допускается трехкратная перепайка соорок. Необходимо принимать меры защиты от статического заряда 773 гле («г я « = йг вал + ««г „., + Ят,с, («г „„— ~силовое сопротнвленне переход-подложка, >«гад, — тепловое сопротивление подложка-теплоотвод, Яг т — тепловое сопротивление теплоотвод-среда. 2 Извлечение сборок нз герметичной упаков«и, входной контроль параметров, монтаж в лщкросхемы, герметизации микросхем должны осуществляться в помещениях при соблюдении правил вакуумной гигиены, влажности воздуха не выше 65 ",', и температуре 1200 ф 10> К. лггэ ОБзн 10 гоп 1го до о а,г о,д о,б о,в 1,ои„,в Входные характеристики Ьтгэ гоп 'гУ гэ гоп 1бп 1го 1гп во во ио о 10'г ЧБ 10 Гг ЕБ10'г Егя,мд Зависимость статического коэффициента передачи тола от тока коллектора 1,г 11 0,7 О,б '10Б 10" 10Б 1ОБ 101гбэ,ом О га ЯО ба ВО 100~„„А Зависимость статического котф фицнснта перелачи тока от тока эмиттера о гтг ггг гбг губ гаг 010 бгг г, Х Зависимость статического ьозф фипиента передачи тока ог мм перьтуры Зависимость относитечьного максимально допустимого пряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер чТС398А-1, 2ТС398Б-1, КТС398А-1з КТС398Б-1 Транзисторные сборки состоящие лазьлая из двух изготовленных ав в одном крнстатче кремниевых эпатаксиатьно-планарныч л р-л уси„атетьныт сверчвысокачастотныч маломощных транзисторов с разлетьными выводами Предназначены дэя применения в герметизированной аппаратуре в ,пиракопотосных бачансныч дифференциальных и операпионных ,садитетят и лругих каскадач, в которых требуется идентичность варамегров двух транзисторов Сборки бескорпусные с гибкимн аыволамн защитным покрыием без кристал зодерзьатетя Поставчяются в сопровадптетьной аре, позвочяющей без изв ечення из нес сборок провалить измерение н< электрических параметров Обозначение типа приводится на этикетке Масса сборки не бочес 0005 г 4 г,у аза лленлзвр 'Электрические параметры Молуль коэффициента передачи тока при 1/кк = ! В, 1з = 2 мА, 1= !00 МГц не менее.......
!О Постоянная времени цепи обратной связи при Пкк = 5 В, 1э = ! мА, 1'= 30 МГц не более..... 50 пс Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1/ = ! В, 1э=! мА при Т = 205 К . . . , , . . . . . , , . 40-250 Отношение статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером при 11гга = ! В, 1з = ! мА ппи Т= 298 К 2ТСЗ98А-), КТСЗ98А-1 2ТС398Б-!. КТС398Б-1 .
Разность прямых палений напряжений эмиттер-база при ()як = 5 В. )э = 1 мА, Г= 298 К не более 2ТС398А-1. КТС398А-1 2ТС398Б-1, КТС398Б-1 . Обратный ток колзектора при ()кк = 1О В„Г= 298 К не более Обратный ток эмиттера при ()эк = 4 В не более . Емкость коллекторного перехода при ()ка — 5 В, 7= 10 МГц ие более . Емкость эмнттериаго перехода при (Гэк = 1 В, 7= 10 М) цБэяне более 0,8- 1,25 0,9-1 ! 1.5 мВ 30 мВ 0,5 мкА 1.0 мкА 1,5 пф 2.0 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йгэ к 10 кОл~ Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора каждого транзистора сборки Импульсный ток коллектора каждого транзистора сборки при т„ < 1О мкс и () > 2 .
Постоянный ток эмиттера каждого транзистора сборки Импульсный ток эмиттера ~аждого транзистора сборки при т» < 10 мкс и )3 в 2 Постоянная рассеиваемая мощность двух транзисторов сборки при Ят„.е и! К)мВт . Температура олр)жаюшеи среды !О В !О В 4.0 В 10 мА 20 мА 10 мА 20 мА 30 мйг От 213 ло 358 К П р и и е ч а н и е При монтаже сборки в гибридную интегра ~ьнчо микрос~ему и в процессе технологического цикла изготовления микросхем ие допускается нспольювание материалов, вступающих в химическое и электрахимическое взаимодействие с зашитныч покрытием и другими элементамн конструкции прибора (защитное покрытие кристалла изготовлено на основе кречиийорганичеслого лака).
Пайка (сварка) выводов допускается на расстоянии ие менее 1 мм от кристалла; должны быть приняты меры. исключающце возможность натяжения и деформации выводов, нарушения зашя~- наго покрытия„касания выводами незащищенных час~ей кристазза и токоведущих частей платы, а также должен быть обеспечен небочьшой своболный провис.
закрепленного вывала Температура нагрева сборки не должна превышать 398 (при пайке пли сварке выводов допускается превышение указанной температуры до значения не более 453 К в течение временп. ие превышающего 5 с). 1,г 1,В 1,9 1,15 и гг 1у4 ,. 1,1 1,05 Ъ : 1,0 — 1,О =:а,в й 0,95 О,Б 0,9 ' 0 г Д Б В 1019,мд 0 г 4 Б В 10ояк,в Зависимость относите ~ьного Зависимость относительного модуля лозффициента пер.- моду за коэффнпиен га передачи тока от тока змиггера дачи тока от напряжения коч- зектор-база о г 9 Б в 100„,в Зависимость относительного статического коэффнггисчзта перелачи тока от напряжения кол- чектор-база 9 Б В 10Ед,мД относительного коэффициента пеот тока эмиттера Зависимость статического редачи тока 40 со к ОяБ=БВ д 2,5 "З гп— 'й 15 91059ВД-1, я" 1О 1ГТСГ9ВБ- 1, 219599Д -1, 2ТС5995 -1 Я О г 9 Б В 101„иД Зависимость относительной раз- !гости прямых падений напря- жений эмиттер-база от тока эмиттера 1,5 г,г 1,0 9,9 О,В 0,7 0 2 9 Б В 100кБ,В Зависимость относительной разности прямых падений напряжений эмиттер-база от напряжения коллектор-база.
1,9 1,9 ;, 1эв < 1,0 г Ю 05 О г' 1,25 1,г г! 1,15 ч 1,05 = 1,0 1В '1,Б 1,0 ов О,Б 0 2 Ч б В 100ка,в г ч в в 1о Тэ,мд Зависимость относительной пг стояпнай времени пепи обрат. ной связи оз напряжения кол тектор-база Зависимость относительной постоянной времени цепи обратной связи от хала эмиттера 1,2 а с.з с.э 1,0 О,В О,б О,Ч 0,2 боэб,в г ч б в 100 в Зависимость относительной емкости холлекторного перехода от напряжения коллектор-база Зависимосзь относительной емкости эмиттернаго перехода от напряжения эмиттер-база 2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г Транзисторные матрицы кремниевые эпитаксиально-планарные и-р-и переключательные Предназначены для быстродействующим импульсных схем Выпускаются в металлостекляннам корпусе с гибкими выволамн Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Матрица содерж~гт четыре изолированные транзисторные структуры Масса матрицы не более 4 г эта 1,В 1,б ж Д 1,Ч Ц Я1,г Ф" 1,0 ы О,в О,Б 'о 1,В 1,б Я1,г "1,0 О,В Об О ез И я Ь 0дозна чение быдода5.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
