sprav_tranzistor (529834), страница 102
Текст из файла (страница 102)
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора при постоянной рассеиваемой мощности сборки, не превышающей предельную . Импульсная рассеиваемая мощность одиночного транзистора при импульсной рассепваемой мощности сборки, не превышающей предельную Тепловое сопротивление переход-подложка . Температура перехода Температура окружающей среды 500 мВт 250 мвт 500 мВг (ОО К(Вт 423 К От 228 до 358 К Примечания ! При монтаже в микросхему максимачьио допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт рассчитывается по формуле Р и, =(423 — Т)(Ягсп Ермд 10 )!2!у гоо (го ОО а гО ОО ВО ВО (ООЕЗ,ид О О,г Оц О,О ОО (,ООку,О Входные характеристики.
Зависимость статического коэйь фицнента передачи тока от тона эмиттера. где Яг с = Ягч ах+ Ягял г + Яг, „Ягя,ж — тепловое сопротивление переход-полложка; Яг„, — тепловое сопротивление полложка-тепло. отвод; Яг, — тепловое сопротивление теплоотвод-среда. 2. Извлечение сборки нз герметичной упаковки, входной контроль параметров, монтаж в микросхемы, герметизация милросхем должны осуществляться в помещениях при соолюдении правил вакуумной гигиены, влажности воздуха не выше б55; и Т= = (298 + (0) К. Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защитного покрытпя должно быть не менее 4 мм. Температура жала паятьннка должна быть не более 5(3 К, время пайки не более ! мии. Допускается трсчхратная перепайка сборок.
Необходимо прннимать меры, предохраняющие сборки от статического заряда, 7г 11Э гоо 6178 гоо 150 1го 7го о о 107г 9610- г 0070'г о17г,мд г15 ггг гоггуггогг1ггггт77 7,г 1,1 Зависимость статического коэффициента передачи тока оз тока котлектора „7,0 о 07 0,6 701 70Э 10" 105 701 Убз,ом Зависимость статического коэффнпиента передачи тока от тем- пературы Зависимость относительного максимально допустимого напра кенич коллектор-эмизтер от сопрогивзепия база-эмиттер 2ТС3103А, 2ТС3103Б, КТС3103А, КТС3103Б г-коллектор, З -база 7,' а-аиаттер 8-Нвллелтвр; 7- база 8 з 6-эииттер Транзисторные сборки„состоящие из двух кремниевых пзанарных р-л-р уси пыезы ых сверхвысокачасгогных лгаломогпных граизисторов с раздельными выводами Прелназначены дзя работы в лифференпиальных усилитезьных каскадах Вьшускагогся в металлостекляннолг корпусе с гибкими вывозами Обозначение типа приводится на корпусе Масса сборки не ботев 1,5 г Электрические параметры Пира истры одиночного транзистора Модуль коэффициента персдачл тока при !/кв = 5 В, 1» = 3 мА, 1'= 100 МГп .
типовое знвчщше Постоянная времени цепи обратной связи при Пск = =5 В, 1э=З мА, 1=30 М1ц. типовое значение Коэффициент шума» при Укэ = 5 В, 1з = 1 лзА, йс = =150 Ом, 1=60 МГц типовое значение Напряз ение насыщения коллектор-эмиттер при 1к = 10 мА, 1ь =! мА типовое значение Напряиенис насыщения база.эмиттер» при 1к = 10 мА, 1к 1 мА типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Пкк = 1 В, 1э = 1 мА при Т= 298 К типовое значение . при Т= 358 К при Т = 228 К не менее Емкость коялекторного перехода" при !1кв = 5 В, 1 = =!О Мгц. 6- !3» 9» !О -80 22' пс 36 — 5 дБ 42 дБ 0,16* — 0,6 В 0,29* В 0,8-1,1 В 0,9 В 40-200 1!3' 32-600 16 1,!в 2,5 пФ 1,3 пФ типовое значение Емкость эмвттерного перехола» при =10 МГц .
Пяэ = О, 1,05— 25 пФ 1,26 типовое значение Обратный ток коллектора при (/кв = !5 В не более при Т = 298 К и Т = 228 К при Т= 358 К Обратный ток эмиттера цри Рьэ = 5 В не более при Т = 298 К и Т= 228 К прн Т= 358 К 0,2 мкА 5 мкА 0,5 мкА 5 мкА Пара истры сдвосзтыт транзисторов 0,9 0,8 3 мВ 5 мВ Отнощеиие статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером при Укк = 1 В, 1э =! мА, Т= 298 К не менее 2ТСЗ!ОЗА, КТСЗ!ОЗА 2ТСЗ!ОЗБ, КТС3103Б . Модуль разности прямых напряжений змиттер-база прн Пка = 5 В, 1з =! мА не батсе 2ТСЗ!ОЗА, КТСЗ КОЗА 2ТСЗ!ОЗБ, КТСЗ1ОЗБ Ток утечки межлу транзисторами при 1) = 20 В не более при Т= 298 К и Т= 228 К при Т= 358 К. 0,1 мкА 5 мкА Предельные зкеплуатаниоиные данные Постоянное напряжение коллектор-база и коллекторзмиттер лри )1кэ с 15 кОм Постоянное напряжение змиттер.база Постоянный тоь котчектора Импучьсный ток коллектора при т„с 10 мкс, 1',) В 2,5 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (суммарная двух транзисторов) при Т< 328 К при Т= 358 К Температура перехода Температура окружа~ощегт среды 2ТС310ЗА, 2ТСЗ103Б 15 В 5 В 20 мА 50 мА 300 мВт 120 мВт 448 К От 213 до 398 К От 228 до 358 К 0,4 К)мВт КТС310ЗА, КТС310ЗБ Тепловое сопротивзение переход-среда При печалив Пайка и изгиб выволов допускается на расстоянгщ не к~елее ! чм от корпуса транзисторной сборки 1,5 Тк,пд ов Р 1,4 я Я 1,Х В1,г 7 оо О,о о,г о ог 04 оо ово„в г 9 в во,в Зависимость относитетьного статического коэффициента перелачи тока от напра,кения кол- лектор-база Входные характеристики 1,1 ч 1 " Оо Ков Р0,7 о,в '0 4 и 1з= 1мй 31 " г1Х 999 999 ЗВЗ 97ВТ,К В 19 101з, мЯ Зависньюсть молуля огноси.
тельной разности прямых па ге. ний напряжений база-эмнг ~ер от температуры Зависггмост ь о гносительного статического ьоэффиияента перелачи тока от з ока эмиттера. оз,пф С,пф 1,4 О,в 09 О,в ' О г 4 В ВОВ 0,0 ' О 0,9 1 1,9 гика,о Зависимость емкости каллекторного перехода ог напря,кения коллектор-база. Зависимость емкости змитте~ь ного перехола от напряжения база-эмиттер. 1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В, ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В Транзисторные сборки, состоящие из четырех германиевых лиф. фузионио-сплавных р-лзя переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных скемах. Выпускаются в металзостеклянном корпусе с гибкими вы' водами. Обозначение типа приводится нв корпусе. Масса сборки не более 4 г. в 5 1а Обезличение Рыра 1,6,7, 18-эниттер;уэррэФ базв0 2,5э 4,11-коллектор; Т, 2Гэ 2!7; 2Г -единичный вралаиетэ7э Электрические параметры Граничное напряжение при 1э = 0,5 А не менее типовое значение Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1к = 0,5 А, 1я = 70 мА 1ТС609А, ГТС609А и прп Та = 40 мА 1ТС609Б, !ТС609В, ГТС609Б, ГТС609В пе более .
типовое значение Напряжение насыщения эмиттер-база при 1к = 0,5 А, 1к = 70 лзА 1ТС609А, ГТС609А и при 1я = 40 мА, 1ТС609Б, ! ТС609В, ГТС609Б, ГТС609В не более . типовое значение Статический козффипиент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !/кэ = 3 В, 1ч = 0,5 А; при Т = 298 К: 1ТС609А . ГТС609А . 1ТС609Б ГТС609Б . !ТС609В ГТС609В . при Т= 343 К: !ТС609А . 1ТС609Б 1ТС609В ари Т= 333 К: ГТС609А ГТС609Б . ГТС609В . Статический коэффипиент передачи тока в схеме с общим эмиттером: при букэ — — 3 В, Уэ = 0,25 А !ТС609В, ГГС609В не менее .
30 В 40* В 1,б В 0,74" В 1,1 В 0,57" В 33 — !00 30 -100 53 — 160 50 — 160 40-120 80-420 16,5- 2йО 26,5 — 3~0 20-24 15-200 25-320 40-480 80 !/з26 псяуярсвслвякевыв приборы 15 60 МГц Время включении при ук — — 0,5 А, 7 = 2 кГц, ук = 70 мА 1ТС609А, ГТС609А при ук = 40 мА ! ТС609Б, ГТС609Б, 1ТС609В, ГТС609В не более..........
0,1 мкс типовое значение . . . . . . . . . ° ° . ° ° 0,048" мкс Время рассасывания при ук = 0,5 А, 7"= ! кГц, 1к = = 70 мА 1ТС609А, ГТС609А, при уи = 40 мА 1ТС609Б, ГТС609Б, 1ТС609В, ГТС609В не более...... 0,7 мкс типовое значение . . . . . . . . ° ° ° ° ° ° 0,343* мкс 50 пФ 19,8ч пФ Емкость эмиттериого перехода при Уки = О, т"= 2 МГц ие более................. 250 пФ типовое значение.............. 111,6' пф 30 мкА 40 мкА 600 мкА 500 мкА 100 мкА 200 мкА 1000 мкА 500 мкА 500 мВт при !7кэ = 5 В, !э = 0,7 А !ТС609А, ГТС609А, 1ТС609Б, ГТС609Б ие менее Граиичнав частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при !7кз= 3 В, ук —— 0,5 А не менее . Емкость коллекторного перехода при Укв = 10 В, 7 = 5 МГц не более .
типовое значение Обратный ток коллектора ори 11кв= 30 В не более: при Г= 293 К: 1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В . ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В . при Т = 333 К ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В . прп Г= 343 К !ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В . Обратный ток эмиттера при !7эк — — 2,5 В не более: при Т= 293 К: ! ТС609А, ! ТС609Б, 1ТС609В . ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В .
при Т= 333 К ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В . при Т= 343 К !ТС609А, 1ТС609Б, !ТС609В . Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база и коллекторзмиттер . Постоянное напряжение змиттер-база Импульсное напряжение эмиттер-база при т < 10 мкс Импульсный ток коллектора при т и!0 мкс . Импульсный ток базы при т„н 10 мкс, Постоянная рассеиваемая мощность (для всей сборки) при ТП316 К 50 В 25 В 3 В 0,7 А О,! А ,тмпульсная рассеиваемая мощность (для одного транзистора) прп т„н!0 мкс........... 5 Вт 358 К Температура перехода Тепловое сопротивление переход-среда Температура окружающей среды: )ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В .
. О 084 К)мйт ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В П р и меч а н и е. Изгиб выводов и пайка допускаются на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. йгтэ Ггу г5 0,5 г5 О 100 гОО 300 900 500Е„д О 100 гап ЗОО 900 50ОЕ„мд Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от така коллектора.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
