sprav_tranzistor (529834), страница 93
Текст из файла (страница 93)
типовое значение . 2Т925Б, КТ925Б не более типовое значение 2Т925В, КТ925В, КТ925Г не более . типовое значение Обратный ток коллектор-эмиттер при Вкэ = 36 В, 6,3 7" 5 4 б" 3 3,2" 2,5 60;„' 63»;„' 70* 55;~, 6 14» 6 17* 1О* 5 4,5 0,8 А 1,0 А 4,5 А 4,0 А 20 пс 8* пс 35 пс 22» пс 40 пс 15» пс 15 пф 9,5' пф 30 пф 16* пф 60 пф 44* пф йэь = 100 Олз нс бозее при Т= 298 К 2Т925А КТ925А 2Т925Б КТ925Б 2Т925В КТ925В, КТ925Г при Г= 358 К КТ925А КТ925Б КТ925В, КТ925Г при Т=. 398 К 2Т925А 2Т925Б 2Т92сВ Обратный тол эчнттера не ботве при Т= 298 К 2Т925Л прн 1?эь = 4 В 2Т925Б при 6?эв = 4 В 2Т925В при ??эв = 3,5 В . при Т= 358 К КТ925А КТ925Б КТ925В, КТ925Г .
при? =398 К 2Т925А прн !/эв = 4 В 2Т925Б при !/эк = 4 В Т9 5В прн иэв = 3,5 В Индултивность выводов * 2Т925Л КТ925Л эчиттерного колзекторнога . базового . 2Т925Б, КТ925Б эчиттерного колзекто??ного базового . 2Т925В, КТ925В КТ925Г эмиттерного коззекзорпого . базового Ел~кости выводов относнтезьно корпуса* эмиттср-корпус копзекзар-корпус база-корпус 5 чА 7 мЛ 10 чЛ 12 мА 30 лгА 14 мЛ 24 мА 60 мА 10 чА 20 чА 60 мА 2 ыА 5 чА 8 мА 16 МА 20 чА 4 чА 10 чА 10 чЛ 1,2 нГн 2,4 нГн 2„6 нГн 1,0 нГи 24 нГн 24 н1н 1 0 нГн 2,4 нГп 24 нГн 1 84 плй 1,53 пбз 0,96 псз Прелельные зисплуатанионные ленные Постоянное напряжение коллектор-эмитгер прн йкз < !00 Ом Постоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение эмиттер-база 2Т925А, КТ925А, 2Т925Б, КТ925Б 2Т925В, КТ925В, КТ925Г Постоянный ток коллектора 2Т925А, КТЯ25А .
2Т925Б, КТ925Б . 2Т925В, КТ925В, КТ925Г 3!мпульсный тол коллектора при косинусоилальной йюрлче импульса 2Т925Л КТ925А 2Т925Б КТ925Б 2Т925В КТ9258, КТ925Г Грелняя рассеиваемая мощность в лннамическом режиме при Г„ч 313 К 2Т925А, КТ925А . 2Т925Б, К'Г925Б 2Т925В, КТ925В КТ925Г при Т„= 398 К 2Т925Л 2Т925Б 2'!'925В Тепловое сопротивление переход-корпус 2Т925А КТ925А 2Т925Б, КТ925Б 2Т925В, КТ925В, КТ925Г Температура перехода Температура окружающей срелы 2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г Зб В ЗЬ В 4 В 3,5 В 0,5 Л 1,0 А З,З А 1,0 А 30 А 8,5 Л 5,5 Вт 11 Вт 25 Вт 1,25 Вг з,5 Вт 57 Вг зО К7Вг 10 Куйт 4,4 К7Вт 423 К От 213 до Т„= 398 К От 233 до Т,=358 К П р и м е ч а н и е Пайка выводов допускается иа рассзоянин не менее 3 мм от корпуса по методике, нс приводящей к нарушению ьонструкнии и герметичности транзисзора Пайку необходимо проволить при температуре не выше 543 К в ~ечение времени ие более 5 с Разрешается обрезать выволы на рассзаянии не менее 5 мм от корпуса без передачи усичия на лерамическую часть, без нарушения герметичности и с сохранением обозначения коллекторного вывода 1ВОО 1ВОО 1500 15ОО 1гоо ~ 900 воо гоо О ПД ОВ 1г 15 г01к,й О 1 г з л 59л Зависимость граничной частоты от тока коллектора.
ггоо 900 г,п ч'„1,5 ,к 1,0 ~. 500 зоо 0,5 О 0,1 Ог 0,5 Ой Оввс„,вг П г 9 5 В 105к,й Зависимость выходной мощно- сти от входной. 1г гд 10 го 1г О О,Ч О,В 1,г 1,5 г,пд„пг О г В В ~,„,ог Зависимость выходной мощно. сти от входной. 1гоо ~ 9ОО ' 5ОО Зависимость граничной частоты от тока колтектора Зависиьгость граничной частоты от тока коллектора в 6 Зависимость выходной мощно- сти от входной.
о о г,о г,5 Кур 800 800 ЧОО 1,Мак гао Зоо ЧОО ~;М/ц 80 80 го О ч в 1г рв гои„,в гаа 800 ЧОО 1,М/ц га 10 О а,г ОЧ аа 0,8 1,01к,й О г Ч 8 В 10акэ,а Зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты к„, 5 Зависимость коэффипищпа усиления по мощности от частоты 'ьк,лс 50 Зависимость постоянной времеви пепи обратной связи от тока колчектора Зависимосзь коэффипиента усиления по мощности от частоты Ск,пФ 1аа Зависимость емкости коллекгорного перехода от напряжения коллектор-база )агта! 5 Зависимость модуля коэффипиента передачи тока от напряжения коллелтор-эмиттер 2Т930А, 2Т930Б, КТ930А, КТ930Б Электрические параметры Выходная мощность при 77кэ = 28 В, Г= 400 МГц, Те<313 К 2Т930А, КТ930А .
2Т930Б, КТ930Б . Коэффициент усиления по мощности на / = 400 МГц, не менее. 2Т930А при Р„и„= 40 Вт 2Т930Б цри Р„„= 75 Вт КТ930А цри Рни„— — 40 Вт КТ930Б при Р„„„= 75 Вт Коэффициент полезного действия; 2Т9ЗОА, КТ930А не менее . типовое значение 2Т930Б, КТ930Б не менее типовое значение .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером' при Огкэ = 5 В, 1к = 0,5 А, типовое значение: 2Т9ЗОА, КТ930А 2Т930Б, КТ930Б . Модуль коэффициента передачи тока при Г= 300 МГц. икэ= ГО В. 2Т930А. КТ930А при 1к = 2,5 А не менее . типовое значение .
2Т930Б, КТ930Б при 7к = 5 А не менее . типовое значение . Критический ток коллектора " при 77кэ = 5 В, Г= 300 МГп, типовое значение; 40 Вт 75 Вт б 4 5 3.5 50 к, 65» ",~ 50Р, 58' А 40 50 К5 З,О* 3,2* Яе твз2 з Транзисторы кремнневы, 4 эпитаксиально-планаРные и-л.л генераторные сверхвысокочас. тотные. Предназначены лля приме. ! Ф пения в схемах широкополосных усилителей мощности класса С, умножителях частоты ц к автогенераторах на частотат — чи 100-400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлоке— — — й рамическом корпусе с гибкимц ленточными выводами. Транзистор содержит внутреннее согласую. щес ЕС-звено. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 7 г. 2Т930А, КТ930А . 2Т930Б КТ930Б . у/остояиная времени пепи обратной !/ка- — 10 В /э=05 А 7=5 МГн тило 2Т930А, КТ9ЗОА, 2Т930Б, КТ930Б . Емкость лоллекторного перехола при /=30 Мгп 2Т930А, КТ930А ие ботев . типовое значение, 2Т930Б, КТ930Б не более, типовое значение Емкость эмиттеоного пеРехода' пРи 1/эв = типовое значение 2Т930А, КТ930А .
2Т930Б, КТ930Б . 8 А 20 А связи* прн вое значение 8 пс !1 гзс //кв = 28 В, 80 пФ 62' пФ !70 пФ !ЗО пФ 0,1=5 МГп, 800 пФ 2000 пФ Обратный тол коллектор-змиттер при Явэ = 10 Ом, Т = 298 К не более 2Т93ПЛ, КТ930Л 2Т930Б, КТ9ЗОБ . 06Ратный ток эмиттеРа пРи !/эь = 4 ие более 2Т930А, КТ930А . 2Т930Б, КТ930Б . //кэ = 50 В, 20 мА 100 мА В, Т= 298 1О мА 20 мА 0,44 нГн 0,26 нГн Емкость внутреннего /.С-звена ', типовое значение 2Т930Л.
КТ930А . 2Т930Б, КТ930Б . 450 пФ 650 пФ ', типовое значение Индуктивность выводов 2Т930А, КТ93ОА эмиттерного при 1= 1 мм при 1= 3 мм колчскторного при 1= 1 мм при 1= 3 мм базового при 1= 1 ьгм при 1=. 3 мм 2Т930Б, КТ930Б эмп~~ерного прп /= ! мм при /= 3 мм колтекторного при 1= ! мч при 1= 3 мм 0,35 нГн 0,54 нГн 1,6 нГн 2,03 нГн 1,57 нГн 2 05 нГн 0,24 нГн 0,43 нГи 1,6 нГн 2,03 нГн Индуктивность внутреннего ЬС-звена ', типовое значение 2Т930А, КТ930А, 2Т930Б, КТ930Б . оазового при 1=1 мм при 1:= 3 мм 1 42 нГн 184 нГн Предельные эксплуатационные заииые Постоянное напряжение каттеьтор-эмизтер при йьэ ц10 Ом Посзоянное напряжение эииттер-база Постоянный ток коллектора 2Т93ОА КТ93ОА .
2Т930Б КТ930Б . Срелняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме при Т„к 313 К 2Т93ОА, КТ930А 2Т930Б, КТ9ЗОБ . Тепловое сопротивление переход-корпус 2Т9 3 О А 2Т930Б КТ930А КТ9 ЗОБ Температура перехода Температура окружающей среды 2Т930А, 2Т930Б . 50 В 4 В б А ГО А 75 Вг 120 Вг 16КВг 10 КВт 1,8 К!Вт 12КВт 433 К От 211 то Т„= 398 К От 233 ло Т, = 358 К КТ930А, КТ930Б . 2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 чи от корпуса методом, не приводящим к нарушению конструкция и герметичности транзистора Пайку разрешается производить при Т < 543 К в течение времени не более 3 с Разрешается обрезать выволы на расстоянии не менее 4 чи от корпуса без передачи усизия на керамическую часть корится, без нарушения герметичности и с сохранением обозначения хол.
лекторного вывода Чистота контактной поверхности теплоотводов полина быть ис менее !,б Неплослосзность лонтаьтиой поверхности теплоотволов должна быть нс более 0,04 мм Тепловое сопротивление корпус теплоотвод при нанесении теплопроводяшей смазки типа КПТ 8 (ГОСТ 19783-74) на поверхность теплоотвола транзистора не ботев 0,3 Куйт П р н м е ч а и и я 1 Допускается работа транзисторов при У> 400 МГц, Р„, ц 7 Вт 2Т930А, КТ930А и Р„„к 18,75 Вт 2Т9 ОБ, КТ930Б и непревышении предельных эксплуатационных режилюв Ся,лФ „,лс 500 го гоо го 1ОО 10 о а в 1г 15 гои„„в О О,г О,Ч 0,5 О,В 101э,й Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера Оа, лть гбоо 2» ~ 10 2000 1500 10ОО 500 о 1 г г ч ви„,в о 10 го юо и„,в Зависимосгь емкости эмитзерного перехода ат напряжения э ми гтер-база. ,% 100 ого гоо Юьа 50 'Кэгг 100 80 80 80 50 90 со го го 80 50 го 40 го 731 О 1 г Х 9 5 Р„,вт Зависимости выходной мощности и коэффициента полезного аейстаия от входной мощности.