sprav_tranzistor (529834), страница 91
Текст из файла (страница 91)
„в в в о д ь «3 Ю г О Ог Ое ОВ ОВ 1,ОРе„,Вг О О,В 1,В го З,гое„,Вг Зависимости выходной мощно- сти от вхолной Зависимость выходной мощно- сти от входной 1г 10 в в о д в чз о и. с о 1О гО го О~з, О О тт гтт тс стт оттер рнв Т в Зависимость выходной мощности и мощности рассеивания коллектора от фазы коэффициента отражения нагрузки при рассогласованнн. Зависимости выходной мощности от напряжения ьоллекзор- змиттер 2Т916А, КТ916А 709 Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-плаварные и-р-н генераторные сверхвысокочастотные Прелназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200 — 1000 МГц в Режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В Выпускается в металлокераьзическом корпусе с полосковыми выволами.
Обозначение типа указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. еуэ ллгк Электрические параметры 20 В~ 2,25 2,5 ' 45 "й 55ь5 1,1 ГГп 0,8 Ггз! 1,4ч ГГц 2,8 А 35 0,2 В 0,98 В 20 пФ 14* ПФ 10 пс 4" пс 4 пФ 12 пФ 1,5 пФ 7!О Выходная мощность при Г= 1 ГГп, бкэ = 28 В, не менее Коэффициент усиления по мощности на у'=- 1 ГГц при Р,„„= 20 Вт, !!кэ = 28 В нс менее зиповое значение Коэффициент полезного дейсзвия коллектора на у = 1 ГГц при Р,, = 20 Вт, !Iкэ = 28 В не менее типовое значение Граничная частота коэффициента передачи тока при гткэ = 1О В: при тк = 1,5 А не менее при Рк = 2,6 А не менее при ук = 1,5 А, типовое значение .
Критический ток" цри бкэ = 10 В, типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим змиттером ' при Укэ = 5 В, ук = 0,25 А, типовое значение Напряжение насыщения коллектор-эмиттер* при !и =. = 0,25 А, 1к = 0,03 А, типовое значение Напряжение насыщения база-эмитзерч при ук = 0,25 А, !к = 0,03 А, типовое значение Емкость коллекторного перехода при ьхкь = 30 В не менее . типовое значение Постоянная времени цепи обратной связи при !Укк = = !О В, /э = !00 мА, Г= 30 МГц не более . типовое значение Акзивная емкость коллектора " при ГУкэ = 30 В, типовое значение Суммарная активная и пассивная емкость коллектора ' при Цд, = ЗО В, типовое значение .
Емкость коллектор-эмиттер *, типовое значение Предельные эисплуатаинонные ланиьиь Постоянное напряжение коллектор-база при Т„с 298 К при Г„= Тг чин Посзояппое напряжение коллектор-эмиттер при йэь '-= 10 Ом при Т,,и298 К т„ = т, „„„ . Пиковое напряжение коллектор-эмиттер в динамическом режиме Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора прн т„= 5 нс, Д = 10 Постоянный ток базы Срелняя рассеиваемая мошность коллектора в динамическом режиме при Т„с 298 К при Г„= 358 К Тепловое сопротивление переход-корпус . Температура перехода 2Т9! 6А КТ916А Температура окружагошей оралы 2Т916А 55 В 45 В 55 В 45 В 55 В 3,5 В 2 А 4 А ! А 30 Вт 16,7 Вт 4,5 К/Вт 433 К 398 К От 213 до Г„= 398 К От 228 до Т„ = 358 К КТ916А П р и м е чан и е.
При температуре менее 433 К ограничений на место пайки выводов не накладывается. 71! бо,зротивление базы*, типовое значение....... 0,7 Ом Г„прозивление эмиттера", пгповое значение..... 005 Ом Вмкость эмиттерного перехола' при 1lэа =-О, типовое значение.................. 190 пФ Иилуктг!вность эмпттерного вывола при симметричном заземлении у основания корпуса', типовое значение 0,35 нГн Индуктивность базового вывода у основания корпуса', типовое значение.............. 1 нГн Иялуктивнасть коллекторного вывода у основания кори)са*, типовое значение........... 0,6 нГн Обратный ток коллектор-эмиттер при Пкэ = 55 В, Рсэь — — 10 Ом не более............
25 мА !Обратный ток эмиттер-база при Тгэа = 3,5 В ие более 4 мА Полное вхолное сопротивление* при у'= 1 ГГп, Окэ = = 28 В, Р,„„= 20 Вт, типовое значение.......(2,2 +)17) Ом Полное сопротивление нагрузки" при )'= 1 ГГн, бкэ = = 28 В, Р„„„= 20 Вт, типовое значение....
(2 676) Ом 1,Б о,в г о 1п го и„„в О,Б 'о 1 г г в1й Зависимость граничной частоты от тока котзектора Ся,лФ гп е„,лс Б 1П и 1п го бо ио и„„в О го ДО Бо ВО 1пог„мД ч„, // БО «и О г и Б В1,*„,Вт О г д Б В у„пг Зависимость выхалпой мощно- сти от вхолной 7х2 Зависимость критического тока от напряжения ко ~лектор-зыит- тер Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока змиттера 1Б " 1г в 1,9 '- 1,г 1,П Зависимость емкости хо|тек|орин~о перехода ат напряжения ко т зеь тор-база Зависимость козффнцпента полезного действия от входной мощности симпота выходнон мошно" Завис и от напряжения коллектор- эмиттер го из 4!О о О 1О гв ия,,о КТ918А, КТ918Б Ямллглге д'аллехлзлзз ага Электрические параметры при гткв = 20 В, ~'= 3 ГГп, Выхолная мощность типовое значение КТ913А при Р,„= 125 мВт .
КТ9!еБ при Р„= 250 мВт . Козффипиент усиления по мощности не менее 250 л~Вт 500 мВт 2 713 Транзисторы кремниевые эпитакспально-птанарные л-Р-л генераторные сверхвысокочастотные Предназначены для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах от ! до 1 ГГп при напра;кении питания до 20 В герметизированной аппаратуры Выпускаются в керамическом корпусе с частичной ~ерметнзапией с гибкими ленточными выводами Обозначение типа приводится иа корпусе Масса транзистора пе более 0,15 г Граничная частота коэффициента передачи така в схеме с общим эмиттером при Укэ = 10 В, )к = 100 мА не менее К3918А КТ918Б Постоянная времени цепи обратнон связи при (ткв =- = 10 В, !э = 30 мА, Г= 100 МГц не более КТ91ЯА КТ918Б Емлость коллекторного перехода при (зкк = !5 В, =- 10 МГц не более Емкость эмиттерного перехода при (гвэ = О.
/'= 10 МГц не более Обратный ток ко з чсктора при (Гкк — - 30 В нс более Обратный ток эмиттера при Ввэ = 2,5 В не более 0,8 ГГц 1,0 Ггн 15 нс 4 нс 4,2 пФ 15 пФ 2 мА 100 мкА Пределызые эксплуатацианиые данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение змиттер-база . Постоянный ток кодлектора Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (при Т> 1 ГГц) при Тк и 298 К при Г„= 358 К Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перехода Температура окружающей среды 30 В 2,5 В 250 мА 2,5 Вт 1,3 Вт 50 К)Вт 423 К От 213 до 358 К 7!4 П р и м е ч а и и е Монтаж транзистора в микросхему осуществляется путем припайки корпуса транзистора к тепчоотводящей поверхности Теплоотвод, на который монтззруется транзистор, должен быть облужен оловом толщиной 10 мкм или серебром голщиной 10 мкм Основание корпуса перед пайкой необходимо обезжирить эзиловым спиртом с помощью ватного тампона В качестве припоя можно использовать сплавы с температурой плавления менее 423 К Например, индий-серебро (3 7) илн инлийолово (48 ",) (применение других припоев не допускается) Припой прокатывается ло толщины 0,05 — 0,07 мм и нарезается иа прямоугольники размером 2,6 х 4 мм, обезжиривается кипяченззем в четыреххлористом углероде Место монтажа транзистора на теплоотвод смачнвается спиртовым раствором канифоли, после чего монтируется транзистор Пайка траязистора на теплоотвод производится в печи с инсрт.
ной атмосферой при температуре не более 473 К Пайка выводов эмиттера и кочлеьтора произволится с помощыв микропаяльника мощностью ие более 15 Вт на расстояаии 3 мм о' корпуса Время пайки ис полл но превышать 3 с допускается пайка выводов на расстоянии менее 3 мм от кор„„са, есчи при этом температура карпуса не превышает 443 К Изгиб выводов допускается на расстоянии не более 3 мм от корпуса транзистора с ралиусом закругчения 1,5- 2 мм При из„,бе должна быть обеспечена неподвижность участка вывода между „,сотом изгиба и корпусом прибора 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В, КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пленарные и-р-и гснераторные сверхвысокочастотныс Презпазначеиы для работы в схемах усиления мощности, генерирования умножения частоты в дищызоне 0,7 — 2.4 ГГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В Выпускаются я металзокерьмнческих корпусах с полосковыми выводами Транзисторы КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ9191 имеют яопочнигельную пзасзмассавую обочочку Уставное обозначение типа лаегся на верхней части корпуса транзисторов 2Т9!9А — буква А и зеленая точкш 2Т919Б — буква Б и черная точка, 2Т9!9В— буква В н бе:ыя точка Обозначение типа дается на этикетке Обозначение типа транзисторов КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г дается на верхней части корпуса Масса транзисторов не более 2,2 г 715 Элеитрическне параметры Вытодная могцность на т = 2 ГГп при»гкв = 28 В, Яэь = 0,4 Ом 2Т919А, КТ919А при Р„„= ! Вт не менее .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
