sprav_tranzistor (529834), страница 86
Текст из файла (страница 86)
Импульсный ток базы при т„ц! мс, 17 Л 10 . Срелняя рассеиваемая мощность коллектора (время усреднения не более 1 мс) при Т, С 293 К: с теплоотводом . без теплоотвола . Температура перехода . Тепловое сопротивление переход-корпус . Тепловое сопротивление переход-срела . Температура окружающей среды.... От 213 ло е„алия: 1 Допускается выброс напряжения коллектор-змиттер льасстью пе поясе 1О мкс в схеме преобразователя напряжения ямаха~ хо 3 „льно доп>стнмая срелняя рассеиваемая мощность коллектора, Вт, 18 лля"" Ма" 1. 283 — 343 К определяется по следующим форлхулам Тя Т" Яуе плоотвололз Р11 пня„с = (358 — Тх)11,85; без т теплоотвола Рк сс ызхс = (358 Т)118.
Манит М пимальное расстояние места лайки от корпуса б мм, температура я ла хи ахи ие выше 523 К в течение 5 с „ается однократный изгиб аыаола иа расстоянии 0,5 мм от выступа допуская хенлауяда 100 А ВО 1г ВО ~ 90 го а4 0 Ц~ Ог 05 09 050 а 0102 06'1 2 8 В 10204060100 Впэ,Оы Зависилюсть пробивного напряжения коллектор-эмпттер от сопротивления база-эмиттер. Входные характеристики. 025 6815 Вп „Озгв 0,15 80 гп О 215 255 295 555 5757„,В 0,1 г15 255 205 555 5757„н Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6213 250 Зависимосгь статического коэффициента передачи тока от тсмиературы корпуса. 158 100 50 Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.
В 12 1ВГ„Д 2Т932А, 2Т932Бэ КТ932А, КТ932Б, КТ932В Электрнческне параметры 1 раничная частота коэффициента церелачи тока при Укэ = 3 В, Тк = 1 А не менее 2Т932А 2Т932Б КТ932А КТ932Б Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Укэ = 3 В, !к = 1,5 А 2Т932А, КТ932А . 2Т932Б, КТ932Б . КТ932В не менее . Напряжение насыщения коллектор-эмиттср при зк = = 1,5 А, зв = 0,25 А ис более типовое значение Емкость коллекторного перехода при (Укк = 20 В. Г=5 МГц. 30 МГп 50 МГп 80 Мгп 100 МГп 15 — 80* 30- 120' 40 1,5 В 04* В 10-300 пф Обратный ток кочлектор-эмнттер при йкэ = 100 Ом не более 2Т932А, КТ932А при Ока=80 В .
2Т932Б, КТ932Б прн Укэ = бб В КТ932В при икэ = 40 В 1,5 мА 15 мд 15 мА Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-планарные р.л, тельные мошные р л.р ус„„„ Предназначены для работы в широкополосных усичитст тетях „ ности и автогенераторах иса, Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими ми Обозначение типа приводится на корпусе мн вывс ода Масса транзистора не более 20 г Предельные энсплуатаиваиые данные напряжение коллектор-эмиттер и коллектор- и:оя" Т932А, КТ932А, 2Т9 Т932Б, КТ932Б эв — 5 мА Т932В Востоянное ный ток коллектора стояна ы янная рассеиваемая мощность коллектора: ж323 К при Т„= 373 К Тепловое все сопротивление переход-корпус . Темп , пература перехода е атура окружающей среды: 80 В 60 В 40 В 4,5 В 2 А 20 Вт 1О Вт 42 К!Вт 423 К Темп Р 27932А, 2Т932Б . .
. . . . , . О, 2!3 до Т„= 398 К КТ932А, КТ932Б, КТ932В..., О' Т„= 373 К Ынниьчальное расстояние от корпуса ло места пайки выводов 6 нм. огг,о 740 лгтэ оо гго 7оо 80 га 40 ггг ХД ооУ о55 г73 Т,К О О5 1 75 ггя,Д Зависимость напряженна коллектор-эмиттер от температуры. Зависимость статического коэффициента передача тока от тока коллектора. 2Т933А,. 2Т933Б, КТ933А, КТ933Б Транзисторы кремниевые зпитакснально-планарные Р-л-р высоко- частот тотные усилительные мощные. П вести Редназначены для работы в широкопозосных усичителях мощ тн и автогенераторах.
Вып ин. Обо ь'пускаются в металлостеклянпом корпусе с гибкими выводабозначение типа приводится на «орпусе. асса транзистора не более 1,5 г. Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока при 1/кэ = 3 В, /3 =0,4 А пе менее Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером прн //кэ = 3 В, /к = 0,4 А 2Т933А, КТ933А .
2Т933Б, КТ933Б . Напряжен//е насыщения коллектор-эмиттер при = 0,4 А, /к = 0,05 А не более типовое значение Емкость коллекторного перехода при //кк = 20 В, /'= 5 МГп . Обратный з ок коллектор-эмиттер при //кэ =-. 100 Ом не более при 1/кэ = 80 В 2Т933А, КТ933А при //кэ = 00 В 2Т93ЗБ, КТ93ЗБ 75 МГц 15 — 80 30 — 120 1,5 В 04* В 50 — 100 пФ 0,5 МА 0,5 мА Прелельиые эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер и коллектор- база 2Т933А, КТ933А .
2Т933Б, КТ933Б . Постоянное напряжение эмиттер-база при /эв = 5 мА Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т„< 323 К прн Т„= 373 К при Гя = 398 К 2Т933А, 2Т933Б . Тепловое сопротивление переход-корпус . Температура перехода Температура окружающей среды 2Т933А, 2Т933Б . 80 В 60 В 4,5 В 0,5 А 5 Вт 2,5 Вт 0,2 В 20 К/Вт 423 К От 213 ло Т„= 398 К От 213 до Т„= 373 К КТ933А, КТ933Б . Примечание Минимальное расстояние от корпуса ло места пайки выводов б мм Ск,аФ "гч'П лгтг гп ггп гоо пп го го П Ог Пг ПЗ ОПТк,Д о ю го п„„в Зона возможных положений зависимости статического коэффипиента передачи тока от тока коллектора Зона возможных положений зависимости емкости коллектор- ного перехода от напряжения коллектор-база Разде ~ вась чай ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНЫЕ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ н-Р-и 2Т606А, КТ606А, КТ606Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пленарные л-Р-н генераторныс сверхвысокочастотные Прелназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляпии в умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГгг при напряжении питания 28 В Выпускаются в металлокерамическом корпусе с изолированныын от корпуса жесткими выводами с монтажным вшпом Обозначение типа приводится на корпусе, Масса транзистора не более б г.
Кдллеклт Баг Эзталг Электрические параметрм 0,8 В» 0,6 Вз 2,5 3' 35", 1,0 В 3,5 3 !ОО мЛ !О нс 12 нс 10 пгб 27 пф 1 мА 1,5 мА 3 мА 2 мА 0,1 мА 0,3 мА Предельные эксплуатацнониме данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йкэ < ц!О Ом: 2Т606А КТ606А, КТ606Б . Пиковое напряжение коллектор-эмиттер при / > 100 МГц. 2Т606А КТ606А, КТ606Б .
Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора . 65 В 60 В 5 В 70 В 4 В 400 мА Выходная мощность при !Iкэ = 28 В, г'= 400 МГц, не менее 2Т606А, КТ606А . КТ606Б Коэффициент усиления по мощности не менее . типовое значение Коэффициент полезного действия коллектора не менее Напряжение насыщения коллектор-эмиттер" при ук = = 200 мА, ук = 40 мА не более Модуль коэффициента перелачи тока при у'= 100 МГц, бгкэ = 10 В, 1к =!00 мА не менее. 2Т606А, КТ606А . КТ606Б Критический ток коллектора при !1„э = 10 В, у = 100 МГц не менее . Постоянная времени цепи обрагной связи при Пкк = = 1О В, /'= 5 М!'ц, Уэ = ЗО мА не бодее: 2Т606А, КТ606А .
КТ606Б Емкость коллекторного перехода при !1кв = 28 В, у= 5 МГц не более Емкость эмиттерного перехода при !гэк= О, г= 5 МГц не более Обратный ток коллектор-змиттер при Пкз = 65 В, Яэк = 100 Ом не более при Т= 298 К 2Т606А КТ606А, КТ606Б . при Т= 358 К КТ606А, КТ606Б . при Т= 398 К 2Т606А Обратный ток эмпттера при (зэк = 4 В при Т = 298 К не более; 2Т606А КТ606А, КТ606Б . 1„ковый ток коллектора .
П,)стояниый ток базы ь едияя рассеиваемая мощность в лннамическом ре,нме: при Т„= 3!3 К при Т„= 398 К 2Т606Л Тепловое сопРотнвление пеРехол-коРпУс Температура перехола: 2Т606А КТ606А, КТ606Б ТемвспатУРа окРУ;каюшей сРеды: 2Т606А 800 лзА !00 мА 2.5 Вг 0,57 Вт 44 К,Вг 4з3 К 393 К От 2!3 до Т„= 398 К От 233 до Т„= 358 К КТ606А, КТ606Б о,г 70 со ;, 0В > ~ 06 гп 04 :аг 0 Ч В ог 70 гопко,п !г з,п оп О,ч п,г а Ппо О! П,то Пг О,горе„,пг иснмость относительной выолиой мощности от входной. Зависимость относительной выходной мощности от напряжения коллектор-эмнттер. 67! г! р и м е ч а н и е. При монтаже транзисторов допускается усилие, перпендикулярное оси вынну!а, не более 50 г, категорически занрес.!стоя изгиб выволов, а также пх кручение вокруг осн. Пайка выводов лоиускается на расстоянии не менее ! мм от к®пуса транзистора. Использование транзистора без теплоотвода не рекомендуется.
Чистота контактной поверхности теплоотволов лозжна быть менее 2.5 Неплоскостность контактной поверхности теплоота должна быть не более 0,03 мм. И аг аЧ Об ПВ 1,аввы„б, Зависимое гь о гносительного ьс. эффициента уситения от вьгтол. ной мощности Зависдмосз ь относите ~аной вы- ходной мощности оз частоты 0„% то Бо 50 га О О,г ПЧ О,б ОВ г,авы„„В. О гаа гпибпп ЧООБООТМТД Зависимость относительного коэффициента полезного действия от вытоднои мощности Зависимость коэффициента по- лезного действия от частоты 1,ч 1,г гтБРБА,ктбпБА, гтБОБА,ктБОБА, 1,0 КТбобб КТБПбб "э 1,0 ю б,в а ОВ а„о 6 ока=106 ~~ 0,6 и„=гвв О,ч -о,г о,г ' И 1ОО гООБППЧООБООТ„ид О 60 1ОО 16020026ОТ„А Зависимость относительного Зависимость модуля относи.
статического коэффициегыа пе- тельного коэффициента пере редачи тока от тока коллек- дачи тока от тока коялектора тора 672 б,и Й г,о " 1О > ". -О,б в о,г Р '- о,у '1ао гоо баочаобипт,мгц 1,г 1,0 в ов <о,б .~ о,ч о,г 1,г 1,0 '„ов и и 06 " о,г э 5,0 5,0 Луб "г,о Я„1,5 1 ьр 0,5 5,5 Д г,о м 1,5 н 1 й 0,5 О ЕО 1ОО 1„,»4 О 10 гО 50 ДО ЕООКЗ,В тезьной по- цепи обрат- но 1чектора Зависимо ть относи стоявной времени ной связи от тоха 1,0 в в ю су О,В 05 О/1 О,г 10 ЯО 50 40 Еоохеуо О Я 4 5 В 100ае В Зависимость относитетьной емкости ьоттекторного перехола от пвпряз ения ьоттеьтор-база ! 1 2Т607А-4, КТ607А-4, КТ607Б-4 Транзисуоры кремниевые эпитак- Еаза Каллвлтруу сиально-плвнарные и-р-л генераторные сверх высокочастотные Предназначены для генерирования и усиления на частотах до ! ГГп при напряжении питания до 20 В в герметизированной аппаратуре Бескорпусные с загугитнылг покрытием Обозначение типа привоузится на этикетле Масса транзистора не более 0,4 г 22 и упрп аннин н»н прнвпр» Рмиттер 673 т г,О пу Су 10 й Зависимое~в относительной постоянной времени депп обратной связи о~ напряжения кол- лектор-эмнттер Зависимость относительной емкости эмиттерного перехода от напрях,еюгя эмиттер-база Электрические параметры Выхолная мошность (мелианное значение) прн Окк = = 20В* ук = !10 мА, Т=! ГГц 2Т607А-4, КТ607А-4 при Р„= 0,4 Вт, КТ607Б-4 при Р„= 0.5 Вт не менее .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
