sprav_tranzistor (529834), страница 88
Текст из файла (страница 88)
крытием с гибкимп выводами на кристаляодержатече Обозначение типа приводится в этикетке Масса транзистора не более О,!5 г 34ндхктпвност!г выводов* базового эмнттерного коззекторного О,11 нГ, Оз Гн 05 нГн Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коэзектор-база КТ634Б-2 "Т634А-2 при Т„> 298 К прн Т„= 2!3 К Поклаянное напра,кение эчгнтер-база . Постоянный так каз ыктора .
Пчпу !ьсньзйг ток ко з гектора при т„с 10 мкс, 57 > 50 Постоянный так базы Средняя рассеиваемая мощность коз зектара в динамическом режиме на частота~ ботев 1 ГГп при Т„к 298 К при Т„= 398 К 2Т634А-2 Теп завсе со прот ив зен не переход-корпус . Тек~пература пере~ода Температура окру кающей среды 2Т634А-2. 30 В 50 В 25 В 3 В 015 А 0,25 А 75 мА 18 Вг 036 Вт 100 К Вт 423 К От 213 до 7к= 398 К От 213 до Т„= 373 К КТ634Б-2 являешься базовым эчектродоч ~ во ВОО 700 ВОО ВОО 500 и' 400 ХОО '- гОО а 400 ой гоо 0 50 100 150 гоог50 Хоо Р~„, Вг О Х В В 1г 15 1В ОКК,В Зависимость выходной мошнасти ат напра кения коллектор- база Зависпчость выходной чошно- сти от входной 683 При меч а н ив Пайка выводов производится при течпературе 493 К в течение времени не бозее 10 с Держатель транзистора 0„'// 25 1,5 го ч~ж 1,К -С„, лс 1,6' 0,2 1,2 0,2 0 70 7Ф 12 оха,о 2Т635А, КТ635Б Транзисгор кремниевый эпнталсиачьпо-пчаиарный я-р-л персьчючательиый Предназначены для быстродействующих импульсных и высокочастотных усичите чьных схем 0 10О 200 500 р„,мог Зависимость коэффициента полезного чействия от входной мощности Зависимость критического тоха оч напряжения ьоччекгор-эмнг- тер о,б 'о ко го 1201,, л Зависимость граничной частоги ог тока коллектора О,чт О 20 Ео бо 1х,ид Зависимость постоянной времени цепи ооратной связи ог го.
ка кол челтора Выпускается в четазлосгектяннолг лорпусе с гибличи выводами Обозггачение чипа привозится на корпусе Масса транзистора не бочее 3 г Злектрггческне параметры Г ати ю.кий коэффициент передачи тока в схсче с обгпич зчиттсром при Пкэ = 1 В, 1к = 500 ма . типовое значение Вапряьсние насыщения коллектор-эмпттер при 1к = - 500 чА, 1ь = 50 чА не ботев Иапряжение насыщения база-эмиттер при 1к = 500 мА, 1ь = 50 мА не более Вречя выключения при 1„= 500 чА, 1ь = 50 чА не бочее . типовое значение Время рассасывания пра 1гг = 500 1в = 50 чА не более обратный ток козлектора при Пк„= 60 В не более. Обратный ток эчиттера при Пэк = 5 В не более . Г36Ратный ток ко т чек гоР-эчиттеР пРн (/кэ = 60 В, лэв = 0 не более Граничная частота коэффициента передачи тола в схече с общим эчиттером при Гзлэ = 10 В, 1к ° 50 мА нс ченее типовое значение Емкость коллскторного перехода при ггкя = 10 В не более .
типовое значение Ечлосгь эчитгерного перехода прн гуэв = 0 не ботев Гр иичное напря,кение прн 1» = 10 мА не менее !яловое значение Постоянная времени цепи обратной связи * при Иль = 10 В, 1» = 30 чА, 1 = 5 МГц типовое значение Предельные эьсплуатаппоиные данные Постоянное напра,кение коллектор-база . Постоянное иапрлжение змитгер-база . Постоянное напряжение ко ~ гектор-эчпыср при дэь = 0 Посгоянный тол коллектора Импульсный ток лотчектора По»тая»!глав рассеиваемая чощносзь коллектор~ ри тк298 К .
прп Г= 358 К Тлзгггература перехода 2Т635А КТ635Б Тлптовое сопротивление переход-среда 2Т635А КТ635Б 20-150 40* 0,5 В 1,2 В 60 нс 45' нс 50 нс 10 чкА 10 мкА 10 мкА 250 МГц 460» МГц 10 пФ 74' пФ 90 пФ 45 В 53* В 25 пс 60 В 5 В 60 В 1 А А 05 Вз. 01 Вт 423 К 398 К 250 Кгвт 190 К Вт Тепловое сопротивление переход-корпус 2Т635А КТ635Б Температура окружающей среды 2Т635А КТ635Б 83,3 К1Вт 63 К1Вт От 2!3 до Т, = 398 ь От 228 до Т„= 358 й аг„ те а О,Ч 100 20 О 100 300 Зависимость напряжения насыщения кочлектор-змиттер от то. ка коллекзора Зависимость статического козффяпиента передачи тока от тола коллектора С„,л 1Ч хи дв У Чг 10 3 г га Ча 60 РО г",атга о ч в 12 16гагча,к,в Зависимость емкости коллектор- ного перехода от напряжения коллектор-база Зависимость ьозффиннента шр ма от частоты Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные л-р-и генераторные сверхвысокочастотные Предназначены для работы в схемах усиления мощности, ге нерирования, умножения частоты в диапазоне !00-400 МГп в ре жимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В Ва 60 ЧО ;а,ю 0,2 а,т 600 700 Тх, иА Р 1ОР 200300 ЧО05006002х,иА 2Т904А, КТ904А, КТ904Б ,7 /!лллент в База Эииттер Электрические параметры Выходная мощносзь на /= 400 МГц прн !/ьэ = 28 В не менее 2Т904А КТ904А .
КТ904Б Козффппиент !сизення по мощности на /= 400 МГц при 0 кэ = з8 В не менее 2Т9044 КТ904А при Р„и„= 3 Вт КТ904Б при Рви, = 2,5 Вт Вьтолная мощностьф на 7 = 100 МГц при !/кэ = 28 В, Р„= 1 Вг 2Т904А, типовое значение . Коэффициент позезного действия ко ~зектора прп 4/ = 28 В, Р,„= ! Вт зт904А на / = 400 МГц не менее на /'= 100 М! ц типовое значение Модузь коэффициента передачи тока при /= 100 МГц, //кэ = 28 В, /и = 200 мА не менее 2Т904А, КТ904А .
КТ904Б Критический ток прн !/кэ = 10 В не менее 2Т904А, КТ904А . КТ904Б типовое значение 2Т904А КТ904А . Емкость коллекторного перехода при !/кв = 28 В не более . Постояиная времени пепи обратной связи при !/кв = = 10 В, /э = 30 мА, Г= 5 МГц не менее 2Т904А, КТ904А .
КТ904Б Активная емкость коллектора* прн //кв = 28 В, типовое значение Суммарная активная и пассивная емкость коллектора ь при Бкв = 28 В, типовое значение Емкость коллектор-змиттер ", типовое значение . 3 Вт 2,5 Вт 7,5 2 8 Вт 40 % 73* % 3,5 3 400 мА 300 мА 800" мА 12 пФ !5 пс 20 пс 78 пФ 0,5 пФ Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выволамп Обозначение типа указывается на боковой поверхности коряг се Масса транзистора не более б г Емкость эмиттерного перехода" при Гтэв = О, типовое значение Сопротивление эчиттера », типовое значение . Сопротивление базы », типовое значение Индуктивность вывода внутренняя ", типовое значение Индуктивность у конца вывода*, типовое значение .
Сззтический коэффьдиент передачи тока в схеме с общим эчпттероч" при 17кэ = 5 В, 1к = 0,25 А, Граничное палая,кение при 1, .= 0,2 А не менее . Напряжение насыщенчя ко»лектор-эчптгер' при 1к = = 0,25 А, 1в = 0,05 А, типовое значение Напряжение насыщения база-эмиттер' при 1к = 0.25 А, 1а = 0 05 А, типовое значение Обратный ток колзектар-эчиттер при йэа = 100 Ом не более 2Т904А при 11кэ = 65 В КТ904А, КТ904Б при 11кэ = 60 В ° Обратный ток эмиттера прп Уэв = 4 В не более 2Т904А КТ904А, КТ904Б Емкость выводов зчиттсра и базы* на корпус, типовое значение Емкость вывода коллектора на корпус ', типовое значение 130 пФ О,! Ом 1 Ом 2,5 нГн 4 нГн 10-60 40 В 0,3 В 0,9 В 1 мА 1,5 мА О,! мА 0,3 мА 1,3 пФ 1,8 пФ Прелельные эксплуатаннонные данные Постоянное напряжение коллектор-б.гза 2Т904А КТ904А, КТ904Б Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йэ„= 100 Ом 2Т904А КТ904А, КТ904Б . Пиковое напряжение па коллекторе в линамическом режиме при „Г> !00 МГп 2Т904А КТ904А, КТ904Б Постоянное напряжение база-эмиттер Постоянный ток козлекз.ора Импульсный ток коллектора .
Постоянный ток базы Срелняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом рсжиче 2Т704А при Т„н 313 К при Т„= 398 К КТ904А, КТ904Б прн Т» к 313 К при Т,=358 К 65 В 60 В 65 В 60 В 75 В 70 В 4 В 0,8 А 1,5 А 0,2 А 7 Вт 1,6 Вт 5 Вт 2,2 Вт )б К/Вт 423 К 393 К КТ904А, КТ904Б Н р н и е ч а н ив Доп)скается пайка выводов иа расстоянии не менее ) мм от корпуса Транзистор должен прижиматься к теплоотводу с осевым усилием 750 Н (лрутящий момент ),2 Н м) Усилие, перпенлнк)ляриое оси вывода, не более 0,5 Н, запрещается изгиб и кр)чение выволов Тля~" БО 500 Р,В Р,в О,н 700 а,г 0 Ог ОН ОЮ ОВ 102я,й О 70 га июв Зависимость критического тока от напряжения колэеьтор-эмит- тер Зависимость граничной частоты от тока коллектора Ся,лФ г„, лс )о О РР га га На 5ОР„„В О Раа гаа Тя,мд Зависимость постоянной времени пепи обратной связи от тока коллектора.
Зависимость емкости коллектор- ного перехода от напряжения коллектор-база. Тепловое сопротивление лерехол-корпус . ) емпература перехола: 2Т904А КТ904А, КТ904Б . Температура окружающей среды 2Т904А Наа д гоа ~~ гоо От 2!3 до Т„= 398 К От 233 до Т, =358 К ел д г о о,д о,в 1,г 1,0 г,оу„в Зависимость выходной мощно- сти от входной 1,г " 1,0 'я ов О,Б а од й о,г в вэ д. о 1о го и„„в Зависимость относительной выходной мощности от напряжения коллектор-эмнттер. Зависимость вы~одной моши" тоо Т„Н сти от температуры корпуса.
О гоа гоо в е» о в 4 У с, г о о,д о,в 1,г 1,в г,од„,в Зависимость выхолной мо1дио. сти от входной. о гоо гоо доо т„,г Зависимость выхолной мошно- сти от температуры корпуса 2Т907А, КТ907А, КТ907Б Змпгплг Электрические парачетры Выходная мощность на Г= 400 МГц при !>кз = 28 В 2Т907А, КТ907А при Р„= 4 Вт не ченее . тссгсовое значение . КТ907Б при Ркс = 4 Вт не менее типовое значение Еозффццненг полезного действия коллектора при !г =28 В при Рм = 4 Вз Г= 400 МГц не чеиее .
типовое значение при >'= !50 МГц не менее Молуль коэффициента передачи тала при / = 030 МГц, !гкэ = 28 В, !к = 0,4 А це менее 2Т907А, КТ907А . КТ907Б Критп сеский ток * прн Г>кв = !О В, типовое значение Емкость коллекторного перехола при !>кя = 30 В ие более . Постоянная времени цепи обратной связи при> = 5 МГц, Вкь = !О В, !з = 30 мА не более 2Т907А КТ907А . КТс>07Ь Активная емкость коллектора * при гткв = 30 В, типовое значение . 8 Вт !О* Вт 6 Вт 8ч Вт' 45% б5' б8* 3,5 3 1,8 А 20 пф 15 пс 25 пс 3,5 пф 691 Транзисторы кречпиевые зпнтаксиально-и танарные и-р-и генератор гриме сверхвысокочастотные Предназначены для работы в схемах усиления чаи!ности, геиер ериро ванна. уч папесс и я частоты в диапазоне ! 00 — 400 М Гц в ре кис отсечкой колзекторного тока в импузьсных схемах при „апряскенгси питания 28 В Выпускаюгся в метатлокерачпческом корпусе с аесткисси выдачи Вывод эмиттера злектрически соелинен с корпусоч Обозначение типа указывается на боковой поверхности корпуса.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
