sprav_tranzistor (529834), страница 82
Текст из файла (страница 82)
гп и ц~ 15 70 гуг г55 гпг 555 5757„,и 0 го 40 00 000кв,в 00 и 05 " 0,4 П 5 70 75 грулгг, Зависимость напряжения нвсм. щения коллектор-эмиттер от Ук!~Б 400 П 7 г З 40аэп Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса Зависимость емкости эмиттер. ного перехода от напряжения база-эмиттер Зависимость ооратного тока коллектора от темпеРатуРы корпуса. хпа г50 п,гп п,г гпп %, 015 а 01 ° ч " 150 100 50 о г15 255 гпг ггг хугт„к и 10 100 1000 вязом Зависимость напряжения кочлектор-эмитгер от сопротивчения база-эмитгер павнсизгость емкости коллекорного перекопа от напряженна козчектор-база 2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В, КТ945А Траизисзоры лремнисвыс эпитаксиазьные л-р-» перекзпочательггые высокочастотные моьнные Предназначены лля работы в импульснык модуляторах Выпускается в металлосгеклянном корпусе с жесткимгг выводами Обозна |ение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 20 г УУ Электрические параметры Г ан Р ~гичное напря,кение при У„= ОП А не менее 2Т945А 2Т945Б, 2Т945В , 200 В 150 В 629 Напряжение насыщения холчектор-эмиттер при 7.
= 15 А не более; при )к = 3 А 2Т945А, 2Т945Б, КТ945В . при )в = 2 А 2Т945В Напряжение насьпцения база-змиттер при )„= 15 А, при )в = 3 А 2Т945А, 2Т945Б, КТ945В при )к = 2 А 2Т945В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 47кэ = 7 В,, ук = 15 А для 2Т945А, 2Т945Б, КТ945А н 7» = 10 А для 2Т945В: при Т = 298 К не менее при Т= 228 К не менее при Т = 373 К К, = ()гз!э при Т„= 373 К)ДЬ.гэ при Гх = 298 К) не более Модуль коэффипнента передачи тока при /= 30 МГп, (/кэ= Гб В, 7,= 1 А не менее . Обратный ток коллектор-эмиттер при (Ухэ = 150 В для 2Т945А, 2Т945Б, КТ945А и !гкэ = 200 В, для 2Т945В йвэ = 10 Ом не более: .
Обратный ток эмигтера при 7)кэ = 5 В не более . 2,5 В 2.5 В 2,5 В 2,5 В 10 8 1,7 25 мА 300 иЛ Предельные эксплуатационные данные 200 В 150 В !00 В 5 В 15 А 1О А 25 Л 20 А 7 А !2 А 50 Вт 2 К!Вт 448 К 423 К От 213 ло 398 К От 228 до 373 К КТ945А Постоянное иапряхсение коллектор-эмиттср при йзв = =!О Ом: 2Т945А 2Т945Б, 2Т945В, КТ945А . Импульсное напряжение корлектор-эмиттер при Д > 50, т„< 20 мкс, г)окэ)г)г < 0,36 ВГнс Постоянное напряжение база-эмиттер, Постоянный ток коллектора: 2Т945А, 2Т945Б, КТ945А 2Т945В Импульсный ток коллектора при т„ < 500 мкс, Д Л 20: 2Т945А, 2Т945Б, КТ945А .
2Т945В Пост ояниый ток базы . Импульсный ток базы при ьз л 20, т„< 500 мкс . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Г„< 323 К . Тепловое сопротивление переход-корпус прл 1)кэ = !О В Температура перехола: 2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В .
КТ945А Температура окружающей среды: 2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В . мечан наг 1, При Г„> 323 К постоянная рассеиваемая Приме коддектора, Вт, снижается в соответствии с формулой „,шность „,Ю Рк кс (~ смаке ук)!~~та к тепловое сопротивление перехол-корпус. где г П использовании транзистора при Укз > 1О В тепловое сопроПрн исп е определяется из области максимальных режимов. Так, при тнвлешке ином напряжении коллектор-эмиттер, лежащем в пределах постоянном Га то 100 В, тепловое сопротивление составляет 5,55 К1Вт ст 10 Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов в 5 мм ПРн пайке темпеРатУРа коРпУса не должна пРевышать 373 К в течение не более 3 с.
Крепление транзистора к панели осуш ществляется при помошн винта или винта с гайкой с усилием !9,6 П Транзистор используется только с теплоотводом Для снн.кения „онтактного теплового сопротивления необхолимо пряменять полиметилсилоксановую жидкость ПМО-!00 ГОСТ !3032-77 За температуру корпуса принимается температура поверхности основания диаметром (20 й 1) мм относительно центра основания со стороны внешних выводов Запрещается даже кратковременная работа транзистора нне области максимальных режимов Прн конструировании схем следует учгпывать возможность самовозбуждсния транзисторов за счет паразнтных связей. ~атк 1ОО г,5 аа оз к 1,5 ч 1 ба га а,б а 05 1 1,5 г гбгб,д а В а 1г 151к,Д Зона в она возможных положений за.
виси висит нсимости статического козффниеита передачи тока от тока коллектора Зона возможных пояожений зависимости напряжения насыщения база-змнттер от тока базы. 631 500 гуа гао "; 150 100 Ч ез й 5 к г 50 а 1 1Пч в„,ам Б~А 2,5 2 1 1з5 0,5 05 Ск еЧ' 1000 КТОЧБА, гтачБА -2тыв 200 Боа ЧОО 0>1Р гао о га чо 0 05 1 15 г гпБА Зона возможных положений зааисимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы 0 05 05 07 РВ ОУО~~,В Входные характеристики г г,а ь Ч 2 2 10-г з с~ Ч 2 10 ' Ба ПОП,т,п Зона возможных положений заяисимости емкое~и коллектор- ного перехода от напряжения коллектор-эмиттер Зависимость максимально пустнмого напряжения иасьцце, ния коллектор-эмиттер от со.
противления база-эмиттер о г ч Б 25„!та Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от Тк!1Б ,ЛЛ О =Т/'г„ г ЧБЮ 2 Ч Б,аз2 Чбзат .,С Зависимость импульсного тегг чоаого сопротивления переход корпус от длительности пульса Тк " чп гп 1П б ч г 1 о,б п,ч о,г 1о-1 а,пб о,оч о,ог 1П ' г ч б то га чп иб,в Область максимальны» режимов 2Т947А, КТ947А Транзисторы кремниевые планарные л-р-л высокочастотные генераторные.
Предназначены для усилителей мощности длинно- и средневолнового диапазона при напряжении питания 27 В. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выволами Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 35 г. б33 Электрические параметры Выходная мощность на 7 = 1,5 МГц, 17кэ = 27 В ие менее Коэффициент усиления по мощности прн Р„п = 250 Вт, 87кэ = 27 В, Т= 1,5 МГц не менее типовое значение Коэффициент полезного действия коллектора при Р, = 250 Вт, Укэ -- 27 В, 7 = 1,5 МГц не менее типовое значение . .
. . . . . . . . . . . .60 Модуль коэффициента передачи тока при 7'= 30 МГц, Гукэ = 10 В, /г = 4 А, нс менее Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим змиттсром при 17кэ = 5 В, 1„= 20 А при Т„= 298 К 2Т947А прп Т„= 398 К 2Т947А при Тк —— 213 К Обратный ток коллектор-эмиттср при Т„= 298 К, Гкэ =!00 В, Яэь = 10 Ом не более Обратный ток эмиттера прн Т„= 298 К, 1/эв = 5 В не более Емкость коллскторного переходаь при 67кь = 27 В не более . 250 Вт !О 70 55'; /" 10- 80 5 — 160 5-80 !ГЮ мА 150 мА 850 пф Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн =10 Ом; при Т„к 373 К . при Т„= 437 К Постоянное напряжение змиттср-база .
Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора приу и 100 к! ц, Д в 2 . Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. при Тк ж 323 К при Т„= Тк „,„, Тепловое сопротивление переход-корпус . Минимальная рабочая частота Температура перехода Температура окружающей среды: 2Т947А 100 В 70 В 5 В 20 А 50 А 200 Вт 100 Вз 0,75 К/Вт 100 кГя 473 К От 213 до Т„= 398 К От 213 ло 7; = 373 К КТ947А . П риме чан не.
Допускается осевое усилие на винт нс бпл полее 1200 Н. )л„,! Лггз ча го о ! г О Ч О чг ЧО гогена, Зависимость модуля коэффициента передачи от тока кодлектора. „снмость статического коэфЗави фапнеита передачи тока от тока коллектора. бг Ск,лр ччпо бо бч ., Вг ч ОО О,О !гоп чапо Оап чоо о,ч ог 'о ч Очг гпо 0 го ч0 ОО Пхв О О га гч г„, д Зависимость напряжения насышення коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость емкости коллектор- ного перехода от напряжения коллектор-база. 2Т957А, КТ957А уранзнсторы кремниевые зпитаксиально-планарные л-р-я высокочастотные геиераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных л"телах мошностн в диапазоне частот 1,5-30 МГп при напряжении питания 28 В. Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выво одамн. Обозначение типа приводится на корпусе. М~сса транзистора не более !5 г.
Электрические параметры Выходная мощность при 7'= 30 МГц, Окз = 28 В не менее . Коэффициент усиления по мощности в режиме двух- тонового сигнала при Р,„„(по) = !50 Вт, ()к = 28 В, (зэь — -045 В, Г= 30 МГц, з)Г= 1 — 5 кГц не менее Коэффициент по.чезного действия коллектора в режиме двухтонового сигнала прн Р,щ(па)= 150 Вт, (гкэ = =28 В, (зэв = 0,45 В, Г= 30 МГц, Л/'= 1 — 5 кГц не менее Коэффициент комбинационных составляющих третьего н пятого порядков при Р„ „(по) = 150 Вт, (Зкэ = 28 В, (тэв = 0,45 В, у'= 30 МГц, сз(= 1 — 5 кГц не более Статический коэффициент передачи така в схеме с общим эмиттерам при Гкз = 5 В, )к = 5 А .
типовое значение. Модуль коэффициента передачи тока при (гкэ = 5 В, Ук = 5 А, /'= 30 МГц не менее Емкость коллекторного перехода прн (Зкк = 28 В не более . типовое значение" . Обратный ток коллектор-эмнттер при ()кэ = 60 В, Яэк = !О Ом не более Обратный ток эмиттера при (/эк = 4 В ие более Активная составляющая входного импеданса" при Р„н(по) = 150 Вт, Г= 30 МГц Реактивная составляющая входного нмпеланса* при Рвах!ню = 150 Вт, Г= 30 МГц Индуяктивности выводов* эмитзера.
базы коллектора . Емкость эмиттериого перехода при ()эв = 4 В не более типовое значение 125 Вз 17 50;, 33 дб !0 — 80 50" 3,3 600 пФ 500" ПФ 100 МА 30 мА 0,6 Ом 05 Ом 14 нГи 2,2 нГн 2 нГи 2250 пф 1900 пФ Предельные эксилуазаииониые данные апряженне коллектор-эмиттер в режиме уснлеПяк частотного сигнала при Яэк = 10 Ом . овос напра и высокоч нос напряжение питания коллектора в режиме оянное высокочастотного сигнала тсялеиня в тоянн цое напряжение эмиттер-база ый ток коллектора Постоянны Постоян нный ток базы Постояв ра еиваеь" ая мощность коллект при Т„= 303 К прн Тк = 373 К при Т„= 398 К 2Т957А лазая рассеиваемая мощность коллектора в динамичем режиме при 67кэ = 28 В „р, тс 373 К при Т,=398 К 2т957А пень рассогласования нагрузки в режиме усиления высокочастотного сигнала при Р~~ ! = 70 Вт, !7КЭ вЂ”вЂ” - 28 В, г = 1 с и любой фазе коэффициента отражения тепловое сопротивление переход-корпус Температура перехода температура окружающей среды.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
