sprav_tranzistor (529834), страница 79
Текст из файла (страница 79)
7к --. 0,4 А не менее типовое значение 12,5 В» 50 'И 40",, 70 дБ 3 7,5* й коэффициент передачи тока в схеме с общим Гтагич м при ((кь= 10 В (к= 1 А не менее эм гттером овос значение типово иая ~ромен цепи Постоянная ~аетате ггрн ((кь == 10 В ( кочэелтарного перехода* при бкь = 20 В Бзгьость Бмлость . „ эмиттерного перехода при (/эа = 3 В . рбратнып иый тоь эмиттера при ((эа = 4 В не более, рбр тны гй ток котчектор-эмиттер при Окэ = 70 В, йэа = =10 Ом не более .
И, ктпвность ло г текторног о вывода ч Иидуктп Й 'ьтивность базового вывода ч Ищцьт И зэ ктивность эчи мерного вывода ° . Инзэк 1О 45* 22 пс 50 пФ 210 пф 20 мА !О мА 35 нГн 3,5 нГн 3,0 нГн Предельные эксплуатацноиные данные Постоянное напряжение коллектор эмиттер при ((эа ц 10 Ом при Тч < 398 К при Га = 423 К Импульсное напряженна коллектор-эмиттер ((за=1,5 В при Г„ц 398 К при Га = 423 К Постоянное напряжение эматтер-база . Постоянный ток кол чек гора Пес~алиный тоь базы Постоянная рассеиваемая мощность кочлектора при („ц 148 К при У'„= 398 К Срелняя Рассеиваемая мощность колчслтора в динамическом режиме при Ек < 28 В при Г„ц 348 К .
при Т„= 398 К Темперазура перехода Тепловое сопротивление переход-корпус . Температэра окружающей среды 2Т921А 65 В 32 В при 80 В 60 В 4 В 35 А 1 А 12,5 Вт 4,2 Вт 12,5 Вз 42 Вт 4з3 К 6КВт Ог 213 до Г, =- 398 К От 228 до Г„ = 398 К КТ921А КТ921Б . П Р и и е ч а н и е Пайку выводов допускается производить на Р с(санин не менее 2 мм от корпуса транзистора Осевое усилие Расст о "а аин более а'гнт допускается не более 250 Н, на выводы транзистора нс "ее 5 Н, изгибающее усилие не бочее 1 Н агзэ уо С„,.Ф во Бо во уо ХО го ~ дега~ в Сэ,лФ ЗОО гоО 1,В згкя 1Б 0 1 В З .Бл,Д Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора 100 0 1 Я Х Оэхс В Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения змиттер-база 1,Б ч 1,9 ~ 1,г "' О,В О,Б о,г 'О 1 г ХЗяд Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора О 10 го бои„, в Зависимость емкости кочлеьтор.
ного перехода от напряжения коллектор-база 2 1 0 1 2 Б Зли Зависимость модуля козффнпи. ента передачи тока от зоза коллектора 10 У гг гч вв гв и„,в Зависимость казффипиента уси пения по мощности от напР" жения кодлектор-эмиттер Т922А, 2Т922Бз 2Т922В, КТ922А> КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д рмитягер Ю Электрические параметры Выходная мощное гь при Ока = 28 В, 7 = 175 МГц, Г„К 313 К 2Т922А, КТ922А . 2Т922Б, КТ922Б . КТ922Г КТ922Д 2Т922В, КТ922В . КозФфицненг усиления по мощности при Ггкв= 28 В, У= 175 МГц 2Т922А, КТ922А Р„п = 5 Вт не менее . пгповое значение . 2Т922Б, КТ922Б Р, = 20 Вт не менее . типовое значение . КТ922Г Р„п= 17 Вт ис менее 2Т922В, КТ922В Р,, = 40 Вт не менее .
типовое значение . КТ922Д Р,„„= 35 Вт не менее 5 Вт 20 Вт 17 Вт 35 Вт 40 Вт 1О 20 Я 5,5 1О* 5 4 б* 3,5 изисторы кремниевые эпнтаксиально-планарные и-р-в генсраТранз ые высокочастотные рные 11„лцазначены для применения в схемах усилителей мощности, , числе при амплитудной лзодуляпии, в умножителях частоты в гом огенераторах иа частотах выше 50 МГц при напряжении и автоге питания 28 В Выпускаются в мех аллокерамическом корпусе с четырьмя изоцанными от корпуса гибкпми ленточными вьгводами и монлцрованн тажным ным винтом Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 4,5 г не менее Коэффициент полезного действия коллектора не менее 2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В . типовое значение .
КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д Статический коэффициент передачи тока в слеме с общим эмиттером" при !/кэ= 5 В, при 1к = О,! А 2Т922А, /к = 0,25 А 2Т922Б, при /к = 0,5 А 2Т922В не менее типовое значение Напрянение идсьпценпя кодлеьтор-эмиттер ', типовое значение 2Т922А при /к = !00 мА, /ь = 20 мА 2Т922Б при /к = 250 мА, /а = 50 мА . 2Т922В при /к = 500 мА, /ь = гоо мА Модуль коэффициента передачи тока при 1= ГОО МГц, Г/кэ= гО В 2Т922А, КТ922А при 1к = 0,4 А ие менее . типовое значение 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г при 1к = !,5 А не менее .
типовое значение 2Т922В, КТ922В при 1к = 3 А не менее . типовое значение . КТ922Д прн 1!г = 3 А не менее Критический ток коллектора при !/кэ = !О В, 1= гоо МГц 2Т922А, КТ922 нс менее ~плевое значение КТ922Г не менее 2Т922Б, КТ922Б не менее типовое значение КТ922Д не менее 2Т922В, КТ922В не менее типовое значение Постоянная времени цепи обратной связи при !/кэ = !О В Г = 5 МГц 2Т922А, КТ922А при 1э = 40 мА не более . типовое значение, 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г при 1э = 350 мА не более . типовое значение 2Т922В, КТ922В, КТ922Д при 1э = 300 мА не более . типовое значение Емкость коллекторного перекопа при 1/кя = 28 В, 1= 5 МГц 2Т922А, КТ922А не ботев типовое значение . 2Т922Б, КТ922Б.
КТ922Г не ботев . типовое значение . 2Т922В, КТ922В, КТ922Д не более . 55", 65* " 50 " Го 50 0,3 В 0,35 В 0,4 В 6,5 3 4,5' э т 0,6 А 3,2* А !,8 А 2 А 3" А 4,5 А 5 А 6,5" А 20 пс 7,5* пс 20 пс 8* пс 25 пс 20' пс !5 пф 8* пФ 35 пФ 2О" пФ 65 пФ пповое значение . Емкость эм '7=5 М1„ типов овос значение 2Т922А, КТ922А, 2Т922Б КТ922Б, КТ922Г 27922В, КТ922В, КТ922Д Об атный ток коллектор-эмиттер п н 17 !1 = 100 Ом не бодее Обратны !1э б при Т= 298 К 2Т922А КТ922А 2Т922Б 2Т922В, КТ922Б, КТ922Г .
КТ922В, КТ922Д при Т= 358 К КТ922А КТ922Б, КТ922Г, КТ922В, КТ922Д . при Т= 398 К 2Т922А 2Т922Б 2Т922В В не оолее Обратный ток эмиттера при Оэк = 4 при Т= 298 К 2Т922А КТ922А 2Т922Б. 2Т922В КТ922Б КТ922Г КТ922В, КТ922Д . при Т= 358 К КТ922А КТ922Б КТ922В, КТ922Д . КТ922Г при Т= 398 К 2Т922А 2Т922Б 2Т922В !4илуктивиость выводов прн ! ! мч 2Т922А, КТ922А эмиттерного коллекторного . базового . 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г эмиттериого коллекторного . 50' пф 75 пф 200 пф 500 пф 2 мА 5 мА !О чА 20 мА 40 мА 1О чА 20 мА 40 мА 4 мА 20 мА 40 мА 0,25 чА 0,5 мА 1,0 мА 2,5 мА 3 мА 4 мА 6 мА 1 мА 10 мА 12 мА 8 мА 05мА 2 мА 5 мА 1,7 нГн 2,4 нГн 2,9 иГн 1,! нГн 2,4 нГн базового .
2Т922В, КТ922В, КТ922Д эмиттерного коллекторного . базового . Емкости электродов относительно корпуса* эмиттер-корпус коллектор-корпус база-корпус 2,5 нГц 0,9 вГн 2,4 нГц 2,4 нги 1,84 пф 1,53 пф 0,9б пф Предельные эксплуатационные ланные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Якэ и 100 Ом при Т„ = 298 — 433 К п1эи 3 = Гаях Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора 2Т922А, КТ922А . 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г 2Т922В, КТ922В, КТ922Д ИМПУЛЬСНЫЙ тОК КОЛЛЕКтОРа ПРН т» и 20 МКС, 19 И 50 2Т922А, КТ922А 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г 2Т922В, КТ922В, КТ922Д Средняя рассеиваемая чогиносзь в динамическом режиме при Т,ц313 К 2Т922А, КТ922А 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г 2Т922В, КТ922В, КТ922Д при Т„= 398 К 2Т922А 2Т922Б 2Т922В 65 В 55 В 4 В 0,8 А 1,5 А З А 1,5 А 45 А 9 А 8 В1 20 В1 40 Вт 2,3 Вт 5,8 Вт 1,17 Вт Тепловое сопротивление церсхол-корпус 2Т922А, КТ922А .
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г 2Т922В, КТ922В, КТ922Д Температура перехода 15 К/Вз б К1Вт 3 К/Вт 413 К Температура 2Т922А 2Т922Б 2Т922В . От 213 до Г„ = 398 К КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д.... От 233 ло - 3„=358 К ПРимечания 1 Допускается работа транзисторов при любви значениях коэффициента стоячей волны по напряжению (по мо'ту-з % 100 )анх РОО га Ртиг г 10 ВО РБ Бо 40 В го го 0 0,1 О,г ОГ 0,4 0,5 Рг„Вг О 0,5 1,0 1,5 г,о г,5 Рн,ог Зависимость вьжолиой мощности и КПД оз вхолной мощ- ности Зависимость вылолной мощности и КПД от вхолной мощное~и. йя 50 % Р,и 100 % 100 00 4 БО З 40 г го ВО го 40 го Б В 40Є Π5 10 15 гО гбокз,о Зависи. сти симость выходной мощно- и КПД от входной мощности. Зависимость выходной мощности и КПД от напряжения коллектор-эмиттер.
ри В „~ (28 .)- 2,8) В при условии, что предельныс эксплуа. жазс) п)эн я,т ые значения Рк ихкн 1к ~а~.(ткэ, ()зк (постоянные состав) ив превышают лопустимые. апионные лающие) и разрешается обрезать выволы на расстоянии не менее 4 мм п са без передачи усилия на керамическую часть корпуса ст корпуса нарушения герметичности с сохранением обозначения коли без нар лекто орного вывода ота контактной поверхности теплоотводов должна быть пс 'чисто Пеплоскостность контактной поверхности теплоотнодов менее „,„ быть нс более 0,04 мм.
должна % 100 Ъж гп 6~ „ 50 су 100 вп еа вп юа да га гп 10 га 5 Ря„в Ьгтк~ 10 17717э! 10 1агтэ1 10 1яр,д г 1,5 т,г Р,В 0,77 и 5 10 15 гп гвп„,в Зависичосэь выходной мощности и КПД от напряжения кочлектор-эмиттер а п,г ов 0,5 пв 1,0г„л Зависимость молу 1я коэффициента перслачи тока от тока ьоээектора а г в в в 101„д Зависимость модучя коэффипиента передачи тока от тока коллектора Завнсимосгь выходной стн н КПД от напряжен ощво. .кения аолчектор-эмнттер а 0,51 1,5г г,п„д Зависимость модуля коэффипиента передачи тока от тока коллектора а Д В 1г 75 гаакэп Зависимость критического т тока от напряжения коллектор-эми -эмит.
тер 1о йб г кэ о о ф Б симость критического тока от и т иапря,кения коллектор-эмит- тер жв,лс йрао уоо го го 2Т926А, КТ926А, КТ926Б ТРанзисторные кремниевые мета-плаиарные л-р-л переключательиые высокочастотные высоковольтные мощные Прелназначены для работы в импульсных модуляторах йыпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 20 г Каллеллуар Еаза 20 Полу роволвв*о ыо приборы о ро го зо ео уоок„в Зависимость емкости коллекторного перехола от напряжения коллектор-база о л о уг уо гоику,в Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмит- тер о о,г ос о,о о,в у,ог„д Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока коллектора Электрические параметры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при (!г = 15 А, !ь = 1,5 А (КТ926Б прн 7к = 10 А) . типовое значение Напряжение насыщения база-эмвттер при )и = 15 А, Ть = 1,5 А (КТ926Б прн )ь = 10 А) не более .
Статическим коэффициент передачи тока в схеме с общим змиттером при Бкэ = 7 В, !к = 15 А, т„= 500 мкс, (",! > 50 при Т= 298 К 2Т926А КТ926А, КТ926Б при Т= 213 К 2Т926А Отношение статического коэффициента передачи тока прп Т= 398 К к статическому коэффициенту передачи така при Т= 298 К 2Т926А не более .
Модуль коэффициента передачи тока при (= 30 МГщ (7кэ= 10 В, )к =1 Л не менее Обратный ток коллектор-эмиттер при Яьэ = !О Ом не более при Т= 298 К и Т= 213 К, Пил=150 В при Т= 398 К, (гкэ =!20 В 2Т926А . Обратный ток эмиттера при (гьэ = 5 В не более . 0,4ч-25 й 0,6" В 2,5 В 12-60 ! 0-60 5- 60 1,7 25 мА 80 мА 300 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Яьэ =!О Ом . Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при тки500 мкс, ДЛ50. Постоянное напряжение база-элтиттср .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
