sprav_tranzistor (529834), страница 76
Текст из файла (страница 76)
180 В при Г„=423 К............ 90 В Постоянное напряжение база-змиттср при Тп < 373 К при Тч = 423 К Постоянный ток коллектора при Т„< 373 К Постоянная рассеиваемая мощность коллектор| без теплоотвода при Г = 298 К . . . . . . , , , . . . . . 0 8 Вт при Т = 398 К . . . . . , . . . , .
. . . 0 33 Вт с зепзоотводом при Г„ = 298 К , , . . . . . , . . . . . . 3 Вт при Т, = 398 К . . . . . , . . . . . . . . 1,25 Вт Тел човое сопротивление переход-оьружаюпзая среда......,,.....,.... ! 50 К)Вт Тепчовое сопротивление переход корпус . . . . . . . 40 К)йт Темперазура перехода КТ61)А, КТ61)Б, КТ61)В Ктб!)Г .
Температура окружающей среды Пр, е и е ч а н и е Патша выводов транзисторов КТ611А, КТ611Б, КТ611В. КТ611Г допускается на расстоянии не менее 5 мм от при температ>ре пайки не более 533 К в течение 10 с кори>са ется изгиб выводов на расстоянии не менее 5 мм ог корпучопускается и сом изгиба 1,5 - 2 мм Запрещается использование транса с Радиусе я без тепчоотвода при мошности рассеяния оолее 0,8 Вт знсторов Разрешает ается использовать транзисторы в схеме видеоусилителя теяевизоров прн коэффициенте использования по напряжению !)кэ = = 0.96 кэя ом 2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ Ва)>дано> у Транзисторы кремниевые эпигакспально. планарные л-р-и переключательные Про,!назначены лля работы в импульсных схемах в герметизированной аппаратуре Бескорпусные, с ваши> ным покрытием, с гибкими выводами Обозначение типа приводится на этике~хе Масс~ транзисторов 2Т625А-2, 2Т625Б-2, КТ625А !вариант 1) не более 0,015 г, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2, КТ625АМ !вариант 2) не более 0.04 г Коооегглто)э Ва)эиандэ о ' БП Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при бткэ =-! В, !к = 500 мА 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 .
2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 . КТ625А, КТ625АМ . 30-!20 20- 120 20 — 200 !9 позу ревоэьяемие прибора Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при !к = 500 мА, уь = 50 мА 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 не более КТ625А, КТ625АМ не более . 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 . Напряжение насыщения база-эмиттер при ук = 500 мА, !в = 50 мА не более 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 . 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ . Граничное напряжение прн 7к = 10 мА, 7ь = О, тк с < 30 мкс, Д > 50 не менее 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 . 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 .
Время рассасывания при 7к = 500 мА, 7ь = 50 мА, не более 2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 . КТ625А, КТ625АМ . Модуль коэффициента передачи тока при 67кэ= 10 В, ун = 50 мА, 1: = 100 МГп не менее . Емкость коллекторнога перехода при !7ка = 1О В не более . Емкость змиттернага перекопа при Пзь = 0 не более . Обратный ток коллектора при хткь = 60 В не бачее . Обратный ток элщттера прн !Iэя = 5 В не более . Обратный ток коллектор-эмнттер при Гукз = 60 В, Язв — 0 не более 0,65 В 1,2 В 02-07 В 1,2 В 1,5 В 40 В 30 В 30 нс 60 пс 9 пФ 90 пф 30 мкА !ОО млА 60 мьА Прелельные знсплуатапиопяые данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йэк с 5 кСЭм .
Постоянное напряжение коллектор-база 2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 23'625БМ-2 при Тх и 373 К при Г„= 398 К при Гх с 358 К КТ625А, КТ625АМ Постоянное напряжение эмнзтер-база Постоянный ток колчекзора . ИМПуЛЬСИЫй таК КОЛЛЕКтара Прн тя С 5 МКС, !'Э > !О . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 прн Тх и 358 К и КТ625А, КТ625АМ при Т„С 343 К . 2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 при Т„= 398 К н КТ625А, КТ625АМ при Т„= 358 К . Температура перехода 2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 КТ625А, КТ625АМ .
Температура окружаьзщей среды 2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б.2, 2Т625БМ-2 до 40 В 60 В 45 В 60 В 5 В ! А 1,З А 1 Вт 0,7 Вт 408 К 39! К От 213 Тх = 398 К Сзт 223 ло Т,=358 К КТ625А, КТ625АМ О,О 04 0,5 ЧО О 100 500 500 700 7я, нл 0 100 500 500 700 1к, иЛ Зависимость напряжения насыщения коллектор-змиттер от тока коллектора Зависимость статического козффипиента передачи тока от тока коллектора 15 0,5 100 500 500 700 уя, ий 5 О 800 400 600 7 Зав авнсимость напряжения иасышения база-эмиттер от тока коллектора Зависимость времени рассасы- вания от тока коллектора П р н м е ч а н и е Монтаж транзисторов в микросхемы осушестя в слелуюшем порядке место монтажа в микросхеме смавляется в я флюсом ФКСгк затем уклалывается фольга припоя ПОС-6! чнвается ф иной 30 мкм, размером 3,9 х !,9 мм Допускается нагрев толшиной схемы ло темпера гуры не выше 473 К в течение не бочее микросхем !О с и момент пайки транзистор прижнмается к месту монтажа етом Усилие прилагается к боковым поверхностям кристалпнннетом лолержагеля ~ "гге| Ск,гФ 1г 1 о 1оо гоо гоо 2, ге окк,ю Зависимость емкости коллектор- ного перехода от напряженна колдектор-база.
Зависимость модуля коэффнпнента передачи тока от тока коллектора. КТ902А Элентрнческне параметры Выходная мощность наг'= 1О МГд, тткэ = 28 В не менее Коэффнпиент усиления по мощности при 1 =!О МГн, Р„п= 20 Вт, Укэ= 28 В не менее . Напряжение насыщенна коллектор-эмнттер при 1кэ = . 2,5 А, 1в =- 0,4 А не более . 20 Вт в Транзистор кремниевый меза-нланарный и-р-и генераторный высокочастотный мощный. Предназначен лля прнменения в схемах высокочастотных усялителей мощности. Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 25 г. напряжение база-эмигтср при Ггкэ = го В, (~ = Входное = 2 А не более .
редели тока Статическ " обшггм Ггкэ = !О В менее. ' '!пента пере, Граиичн обшпм "гкэ= !О В менее . р при Гг Обрат О ратныг! импульсный ток ьолчектор-3 шттер при Гкэ Овраг !!О В, Вкэ = 50 Ом, 7 = 50 Гп нс более . Об ашый ток эмнттера при 1/эв = 5 В не более . О ра 2 В !5 35 МГп !О мА 60 МА !00 мА Прелельные эиеплуатанлонные данные Л7,3 100 07О 700 20 80 60 40 20 0 2 + 6 В 701юл Завис, ' внсимость статического коэфФипнеита передачи тока от тока коллектора 0 4 8 !г 78 200 8 Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер 581 Постоянное напряжение кочзечтор-база при Т и а 398 К . ° . ° °........
65 В Импульсное напряжение коллектор-эмигтер прн Т 398 К, йвэ<)0 Ом, тяк !5 мкс........... !!О В Иь<пУльсное напРЯженне змиттеР-база пРи тч = 40 мхе .. 8 В Постоянное напрчжепие змиттер-база прн Т к 398 К... 5 В Постоянный зоь коллектора........... 5 А Посзоянный ток базы............. 2 А Постоянная рассеиваемая мощность при Т„ 4 323 К . . . . . . . . . . . . .
. 30 Вт при Т, = 398 К . . . . . . . . . . . . . . 7,6 Вт Температура перехола . . . . . . . . . . . . . 423 К Общее тепловое сопротивзение . . . , . . . . . . 3,3 К!Вт Температура олружаюшей срелы......От 2!3 до Т,= 398 К При меча н и е ! Ггкв „,„.„1/кэ „„,„, при 1„= 42! К уменьшаются в 2 раза 2 Пайка выволов производится в течение не более 1О с Пайка допускается на пчосьой ч~сти выводов транзисторов Запрещается кручение выводов вокруг осн Изгибы н боковые натяжения выводов не лапускаются сэ,лф с„ дооо 1вао 1300 гао 110О п го ао окв,в Зависимость емкости коллектор- ного порезала от напряжения коллектор-база тгп га г73 згг 373 т, к гуз вгз гуз т„к Завнснмость максимально допустимого импульсно~о напряженна коллектор-эмиттер ог температуры 2Т903А, 2Т903Б, КТ903А, КТ903Б Транзисторы кремниевые меза-п.ынарные п-р-п генерюорные высокочастотные мощные Предназначены для применения в усилителях чощносгп в автогеператорах База коллектор 100 , вп ~ ва м ва воп а 1 г ЗоББВ Зависимость емкости зчиттер.
ного перехода от напряжекйя змнттер-база гп 3 го 10 Завпснмость максимально допустимой рассеиваемой чощности коллектора от температуры корпуса Вьгпускаготся в металлостеклянном корпусе с жесткими Обозна чепце типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 24 г Электрические параметры Выхгздиая ная мощность* при 67кэ = ЗО В., э' = 5О МГц, 7 < 323 К нс менее . Козчж ~фгзциент усиления по мощности * при р,„, = 10 В.
у= 50 МГп не менее . И л яжение насыщения коялектор-эмиттер при ух=2 А Напра !в= 0,4 А не более 2Т903А. 2Т903Б, КТ903А, КТ903Б, Напряжение насыщения база-эмиттер при 1»= 2 А, 7 = 0,4 А не более Б Ст~тический коэффициент передачи тока в схеме с общим змиттером при 67кэ = 1О В, ук = 2 А 2Т901А, КТ903А .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
