sprav_tranzistor (529834), страница 75
Текст из файла (страница 75)
матики и защиты Выпускаются в мсталлостеьляниом корпусе с жесткими выводамя Обозначение типа приволится на корпусе Масса транзистора не более 20 г С этический коэффициент передачи така в схеме с Стах бщич эмиттером при !ука = 10 В, уэ = 10 А при Т=298 К 2Т8'5А 2Т325Б, 2Т825В, КТ325Г, КТ825Д, КТ825Е. при Т=398 К 2Т825А 2Т825Б, 2Т825В при Т=2!3 К 2Т825А 2Т825Б, 2Т825В Стыпстичсский коэффициент передачи тока в схеме с общим эчиттером ' при Егка = 1О В, уэ = 20 А не менее Коэффициент перелачн тока в режиме чалого сигнала' при !Уха= 3 В, уз= 10 А, Т= 5 кГц, типовое значение Время включения при Тх = 10 А, Тк = 40 мА не более типовое значение Время выключения при У» — — 10 А, Уа = 40 мА не бо зее типовое значение Модуль коэффициента передачи тока при 11ка = 3 В, !э = 10 А, Г = ! МГц не менее, Емкость кол тектоРнаго пеРехода пРи Етка — — 10 В, у'= 100 кГц не более .
типовое значение Емкость эмиттерного перехода прн 1уаэ = 3 В, Т= 100 кГц не более типовое значение Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при Ььэ = 1,5 В не менее при Т = 298 К, !и = 1 мА 2Т825А 2Т825Б 2Т825В, КТ325Д . КТ825Г КТ825Е при Т= 398 К, Тк = 5 мА 2Т325А 2Т825Б 2Т825В при Т=2!3 К, Ук= 5 мА 2Т825А 2Т825Б 2Т825В П б ро нанос напряжение эмиттер-база при 1э = 2 мА, не более. 500 — 18 000 750 — 18 000 400 — 25 000 600 — 25 000 100 — 18 000 150 — 13 000 100 430 — 60 000 1500 1 люкс 0,4 л чкс 4,5 чкс 3* чкс 600 пФ 350" пФ 600 пФ 400' пФ 100 В 80 В 60 В 90 В 30 В 80 В 60 В 50 В 100 В 80 В 60 В 5 В Предельнме эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Раэ и ! кОм или !таз = 1,5 В при Т„= 2!3 — 328 К 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В и при Т„= 233 — 328 К КТ825Г, КТ825Д, КТ825К 2Т325А 2Т825Б 2Т825В, КТ825Д .
КТ825Г КТ825Е Пост.аянное напряженна база-эмиттер . Постоянный ток коллектора . Импульсный ток коллектора 2Т825А, 2Т325Б, 2Т825В . КТ325Г, КТ825Д, КТ825Е . Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В при Т„н 298 К . КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е прн Т„С 293 К .
без теплоотвода при Т = 298 К . Температура перехода 2Т825Л, 2Т825Б, 2Т825В . КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е Температура окружающей среды 2Т825А, 2Т825Б, 2Т325В . КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е !00 В 80 В 60 В 90 В 30 В 5 В 20 А 40 А 30 А 0,5 Л !60 Вт !25 Вт 3 Вт 448 К 423 К От 2!3 до Т, = 398 К От 233 до Т,=373 К 5оо Гго Й во 40 о г73 323 353 393 433Уя.К Зависимость максимально ло пустичой постоянной рассеиваемой мощности колдектора от температуры корпуса удо дам уоаоа Бпап аппп гпо „-вп „Бп до гапп уппп Бпп шоу гаа уоа пуог пееву г д Бупг,,л Зависимость статического коэффициента передачи тока оэ тока эмиттера гп гух лг 555 заг дхзт„н Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмпттер от температуры корпуса 1,с у,г бп Р гЗБ ВО,Б ~~ аэд 0,5 о,г отогосцву г д Б уот,Д рап ипп ~пт иУпэ тоег~ояад„пи Зависимость напряжений пасы- Зависимость относительного шення коллектор-эмиттер и ба- пробивного напряжения коллекза-эмиттер от тока коллектора тор-эмиттср от сопротивления база-эмиттер уса ~го й Роп $ БО Бп У,О йг,5 ~ г у эя,д усО га 10 Б 9 г О,Б а,с п,г а,у г с Б пуп го со Область максимальных режи- мов Фп го Бпп„,,в гуугузттсугт„,к Зависимость максимально до.
пустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры корпуса 571 Раздел седьмой ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ л-р-л КТ604А, КТ604Б, КТ604АМ, КТ604БМ Транзисторы кремниевые мета-и ганьрные л-р-и универсе зьиые высокочастотные мощные Предназначены для применения в схемах операционных тси. лителей, видеоусилителей и генераторов разверток Транзисторы КТ604А, КТ604Б выпускаются в металлостекляи. ном кори) се (вариант (), а транзисторы КТ604ЛМ. КТ604БМ в пластчассовом кор ~усе с гибкими выводачи (вариант 2) Обозна. чсние типа приволнтся на корпусе Масса транзистора в металлостекчянном корпусе не более б г в пластмассовом не более 1 г иант 1 Внитнгер Но гяентор Вороант В 1,В г 572 Электрические параметры явсние иасышения кочлектор-эчиттер при 1к = Напряж 20 мА, гв = 2 мА не более С атический коэффициент перелачи тока в схеме с Статич обшим эмиттером при 17кк = 40 В, Уэ = 20 мА КТ604А, КТ604АМ КТ604Б, КТ604БМ Грацичиая частота коэффициента передачи тока в схеме с обшим эмиттером при Ггкк = 40 В, гэ = 20 мА не менее Бм кость ко тлекторног о перехода при Ггкв = 40 В, Г= 2 МГц не более Бмкасть эмиттерного перехода при 6гэк = О, Т= 2 МГц не более Обратный ток коъчектор-эмнттер при Ггкэ = 250 В не более .
Обратный ток эмиттера при Ггэк = 5 В не более . Прелельные эксплуатационные данные Посгояиное напряжение кочлектор-база при Т< 373 К при Т= 423 К Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йэк ц к! кОм при Тс 373 К при Т= 423 К Постоянное напряжение эмиттер-база при ТК 373 К при Т= 423 К. Постояяный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность без теплоотвода при Т <298 К . при Т= 373 К .
с теп эоотводом при Тт и 298 К при Т„= 373 К . Температура перекопа Тепловое сопротивчение перекоп-корпус переход-окружающая срела... ° ° ° ° ° ° Температура окрух,аюшей среды и корпуса . 8 В 10 — 40 30-120 40 МГц 7 пФ 50 пФ 20 мкА 50 мкА 300 В 150 В 250 В 125 В 5 В 2,5 В 200 мА 08 Вт 0,33 Вт 3 Вт 1,25 Вт 423 К 40 Кгйт 150 К Вт От 233 ло 373 К Примечание При монтаже лопускается пайка выводов на Расстоянии не менее 5 мм от корпуса Пайку слелует производить "а"льником в течение не более 10 с, температура лайки не лолжна и Ре"ьгшать 533 К Необходзгмо осуцгес~влять теплоотвод между кори!сом и местом пайки 573 Для транзисторов в металлостеклянном корпусе изгиб вывод лов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса с Радиусом закругления ие менее 3 мм, при этом лолжны быть и „ наты меры предосторожности, обеспечиваизптне неподвижность вывода между местом изгиба и стеклянным изолятором.
Для транзисторов в пластмассовом корпусе изгиб вывод допускается под углом не более 90 " в плоскости, перпеидикуля ной плоскости основания корпуса транзистора, и на рассзояин„ не менее 3 мм от корпуса транзистора с ралиусом изгиба я менее 1,5 мм д|тз ~00 йггз 100 00 ВО бп гп 0 ЧО 00 1гОУз а о дп 00 уго О,в Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от така эмиттера Зона возможны~ положений зависимости статического козффнпиента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер !"ггя! 1г ~лгге! тп О тП гп гп ЕП ОПАВ„нй 0 го 'ш БО во ~,йпц Зависимость модуля коэффнпиента передачи тока от частоты Зона возможных положений зависимости модуля коэффнпиен. та передачи тока от тока эмит тера. уп пх,лр "' уп и га до ба Вп и„,п а !П го За Ва баихЗ,В Зона возможных положений зависимости модудя коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.
Зависимость емкости коллекторного псрехола от напряжения коллектор-база КТ611Аэ КТ6115, КТ611В, КТ611Г выеклгвр Электрические параметры Молуль коэффициента перелачи тока при 1гкэ = 40 В, уз= 20 мА, у'= 20 МГц ие менее Постоянная времени цепи обратной связи при г'ка = 20 В, тз = 20 мА, Г= 2 МГц не более . Статический коэффициент передачи тока в схеме с обпхнм эмиттеРом пРи (/кя = 40 В, 1э = 20 мА: при Т = 293 К.
КТб11А, КТ6!1В . КТб! !Б, КТО!!Г . 200 пс 1Π— 40 ЗО-120 Транзисторы кремниевые планарные л-р-и усилительные. Прелназначены лля усиления и генерирования напряжения в диапазоне высоких частот. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими яывоаами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 5 г. при Г= 373 К КТ61)А, КТ6! )В .
КТ61)Б, КТ61)Г . при Х= 248 К КТ61)А, КТ61)В . КТ61)Б, КТ61! Г . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при тк = 20 мА, !в = 2 мА не более Гмьость лоллекзорнота перехода при )тквс — — 40 В не бо ~се, Обрасиый ток коллелтор змиттср при йэв = 0 не более при )/кэ = 180 В КТ6!!А, КТ61!Б, при !/кэ = !50 В КТ61! В КТ61!Г Обратный ток эмитзера не более при Озьс = 3 В !0-80 30-240 5 — 40 15-120 08 В 5 ппу 100 мкА 100 мьй 90 В 75 В 3 В 15 В 100 мА 423 К От 248 К ло 7„ = 398 К Презельиые элсплтатанионные данные Пес~санное напряжение ьоз ектор эмиттср при йзп < 1 кОм при Гч < 373 К КТ61)А, КТ61)Б............. 180 В КТб!)В, КТ61! Г.............
150 В при Т„= 423 К КТ61)А, КТ61)Б . КТ61)В КТ6)! Г . Постоянное напряжение коллектор-база КТ61! А, КТ61)Б при Ге<373 К,..........., 200 В при Т„ = 423 К , . . . . . . . . . . . . 100 В КТ6!)В, КТ61)Г при Та<373 К.............
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
