sprav_tranzistor (529834), страница 72
Текст из файла (страница 72)
ГТ703В, ГТ703Г . ГТ703Д Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Т„ = 233 — 313 К без теплоотвода прн Т = 233 — 308 К . Температура перехода Тепловое сопротнвяение переход-корпус . Тепловое сопротивление переход-срела . Температура окружающей среды . 0,6 В ! В 30 — 70 50 — 100 20 — 45 30-100 50 — 150 20-70 !О кГц 0,6-1,5 0,5 мА 0,5 мА 20 В ЗО В 40 В 25 В 35 В 50 В 3,5 А 15 Вт 1,6 Вт 358 К 3 К/Вт 30 К/Вт От 233 до 7'„= 328 К П р и м е ч а н и я 1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность котлеьтора, Вт, с теплоотводом при Т,= = 313 — 328 К опредечяется по формуле Р!, „„„, = (358-Т„)/3 543 2 допускается пайка выводов иа расс|аянии не менее ат корпуса любым способом (пайка, сварка, пайка погруж мм Ружением и т д ) при условии, что температура в любой точке ко к'эрпуса ие превышает прелельно допустимую температуру окружи, срелы При включении трапзисзоров а электрическую пень колчак те к тор.
ный контакт должен присоединяться последним и отсоедюм. лини гьея первым Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих таь, соизмеримых с неуправляемыми обратными таками лктэ Ва А аа 00 20 га а аг 00 00 ави„,в 0 ага 00 09 12ЕЭА Входные характеристики "гтэ аа Зона возможных положений завпсимоснг статического коэффипиента передачи тока от тока эмиттера 40 20 Зависимость статического коэффипиента передачч тока от тем- пературы а 223 203 3~2 г,а 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д Транзисторы германиевые лиффузионно-сплавные р-и-р переклю чательные низкочастотные мощные Предназначены для рабаты в импульсных схемах, преобразо вателях и стабилизаторах тока н напряженна Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мо коллектора, Вт„без теплоотвола при Т= 308 — 328 К опр мапшость пределяется по формуле Р, „,„, = ~338- т3УЗО Зматтер 123,5 !5,4 12,2 !2 каллектед Э.зектрическис параметры Г„, яичное напряжение прп lэ = 3 А.
т„к 50 мкс, 7 = 20 —: 50 Гп не менее 1Т806А !Т806Б 1Т806В Напрякение насыщения коллектор-эмиттер не более. при 7к = 20 А, lь = 2 А 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В . прн lл =!5 А, !ь = 2 А ГТ806А. ГТ806Б, ГТ806В. ГТ806Г, ГТ806Д Напрякение насыщения база-эмиттер не более при ук = 20 А. 7ь = 2 А ! Т806А, ! Т806Б, 1Т806В . при 7к = 15 А„уь = 2 А ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д Статический коэффипиент псредачи тока в схеме с общим эмнттером !на !рапиде насьщзения) !Т806А, 1Т806Б, !Т806В. при Т„=э98 К, 7К=10 А при Т„=343 К, 7к=5 А при Т=213 К, 7 =ВО А ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д: при Т,=298 К, 7к=10 А прп Т,=328 К, Тк=5 А прн Т=218 К !к=10 А Время выключения прн Окэ = 45 В, lк = 5 А, lь = 0.25 А не более Граничная частота коэффипиента передачи тока в схеме с общим эмиттером при С'к-э — — 5 В, /к = 1 А не менее 06 0оратиый ток коллектор-эмиттер при 1/ьэ = 1 В, !7кэ = 75 В 1Т806А; при Окэ = 100 В 1Т806Б, при Окэ = 120 В 1Т806В не более прн Т=- 298 К н Т= 2!3 К прн Т= 343 К при 7'= 298 К 77кэ = Окэ .«.
Г1806А ГТ806Б Полупроволнвковые приборы 40 В 65 В 80 В 0,6 В 06 В 0,8 В 1,0 В 10 — 100 !Π— 100 !0-150 10-! 00 10 — 200 8 — 100 30 мкс 10 МГц 12 мА 25 мА 545 В пускзюзся в металлостеклянном корпусе с ксстлпми вывода- Влщэ Онознзчение типа прнволптся на корпусе. Масса транзистора не более 28 г ГТЯООВ, ГТ806!' 1 Т806Д Обратный ток эмиттера не ботве при Пвэ = 2 В 1Т806А, 1Т806Б 1ТЯООВ пРи Ягкэ = 1,5 В ГТ806Л. ГТ806Б, ГТ806В ГТ806Г ГТ806Д 15 мА 5 мА 8 мЛ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение лоээектар-эмиттер при 67ьэ = =1 В 1Т806Л, ГТ806А...... ° ° ° 75 В 1Т806Б, ГТ806Б......
100 В 1Т806В, 1Т806В.......... 120 В ГТЯООГ...... ° . ° ° ° ° ° 50 В ГТ806Д..... ° .. ° . ° ° . 140 В Постоянное напряжение база-эмиттер 1Т806А, 1Т806Б, ! Т806В........ 2 В ГТ806А, ГГ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д... 1 5 В Постоянный ток коллектора в режиме насыщения 1Т806А, 1Т806Б, !Т806В ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г ГТ806Д . Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при Ц > 2, тв =!000 мкс, Кн„= 1 1Т806А !ТЯОЯБ, 1Т806В 25 А Постоянный ток базы............ 3 А Постоянная рассеиваемая мощность котзектора с теплоотводом прн 7э ж 298 К без теплоотвола прн Т и 298 К .
Тепловое сопротивление переход-кори)с Тепловое сопротивтение переход-срела . Температура перехода Температура окружюощей среды 1Т806А, 1ТЯ06Б, 1Т806В........От 213 до Г„= 343 К ГТ806А ГТ806Б, 1ТЯОЯВ, ГТ806Г, ГТ806Д ..От 2!8до Т„= 328 К 20 А 15 А 30 Вт 2 Вт 2 К/Вт 30 К/Вт 358 К Примечания 1 При Т„=298 — 343 К (при Г„=328 К ГТ806А, ГТ806Б, ГТЯООВ, ГТ806Г, ГТ806Д) максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, с теплоотводом рассчитывается па формуде Рк мака 4358 Гк) ~~г и-к Не допускается отключение базы при наличии напряжения между коллектором и эмиттером Не рекомендуется работа транзистоРа прн рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми токами во всем диапазоне температур Зксплуатацня транзисторов в режимах за пределами обяастей максимальных режимов, в том числе с учетом процессов, про исходящих при включении н выключении, запрещается При Раб~~~ в импульсном режиме прн отсутствии открывающего импуль~~ транзистор должен быть закрыт положительным смешением базы 05 В кбгкэж2 В 1Зайка выводов лопускается на расстоянии не менее 6 мм р пуск тра ггзи с тора .
При вклю чеини трап зис гора в электриег кор цепь, находяпгуюся пол напря:кением, коллекторный ческую доджен полсаелиняться последним и отсоединяться перкоптаьт вым Ея,А Еа ЧО Гя,л ЕО ЧО ог Ц1 '1 г Ч 010 20 Чопяа,о о,г 0,1 ч е 10 20 чпи„,в Область Область максимальных режи- мов максиматьных режимов. уя,А ЕП чп "ггз 25 га 10 Е 22,5 17,5 15 1г,5 10 0 5 10 15 20 1к,А Ч Е 10 20 ЧО Ояэ,в Область максимальных режи- мов. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
18* гп 10 Е Ч г 1 ОЕ П,Ч г 1 П,Е О,Ч 0,2 0,1 1 го 10 Е Ч "гтз па го о гз5 255 295 555 575 Т„К 2,51,А Зависимость напряжения нас и щения коллектор-эмиттер о от тока базы 2,5 ад25 а,п 'а 05 у у5 г1А а ПУ Ог 05 Очавзо Зависимость тока коллектора от напряжения база-эмиттер 1я,А г 0,5 а ОУ П,г 0,5 П,П 0,5акз,о Входные характеристики. ГТ81ОА Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-и-р ни низкочастотные усилительные мощные Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса 0,550 0525 05 э ь „'0,025 0,05 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока ба- зы рг 2 калле унимм йаэа Ф ут,! Электрические параметры Молузь лозффициента передачи тока на высокой частоте при Гкэ — — 10 В, уэ = 0,5 А, у = 5 МГц, не менее Напряжение насыщения кочлектор-эмиттер при =10 А, !а=) А Напряжение насыщения база-эмиттер при /и = =!О А, Уя=! А Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Птэ =!О В, (э = = 5 А не менее Обратный тоь коллектора при Пкв = 200 В не более Обратный тоь эмиттера при !7эь = 1,4 В ВРема РассасываниЯ пРц 7lкэ = 30 В, Ек = 5 А, )ь = 0,5 А, не более 0,2' — 0,4*-0,7 В 0,44ч — 0,5* — 0,8 В !5 20 мА 0,5ч — 4* — 15 мА 5 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение колчектор-база при = 218 — 303 К Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при !7зв < ч 1,4 В Т= 2!8 — 303 К Нмпульсное напряжение коллектор-змиттер при !7м - 1,4 В.
тч = 20 мщ, Д = 3, Т = 218 — 303 К . Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный (импульсный) так коллектора при Т= =298 К П остоянпый ток базы при Т= 298 К Нмп) чьсный ток базы при т„= 500 мкс, д > 2 . Т= 200 В 200 В 250 В 1,4 В !О А 1,5 А 1.5 А у!релназначены дза применения в выходных каскадах блоков ной развертки телевизионных приемников стро" н Выпзскаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. !)бозна' ' начение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 12 г 123,5 134 12 Зми пипер Бах Лоллекгл Электрические параметры Граничное напряжение прн 1э = 3 А, та и 50 мкс, /= 20 — 50 Гц не менее 1Т813А 1ТВ!ЗБ 1ТВ!ЗВ Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1к = 30 А, /в = 3 А не более .
Напряженяе насыщения база-эмиттер при /к = 30 А, /в = 3 А не более . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером 1на границе насыщения) при Т=298 К, 1к=20 А при Т = 343 К. /к = 1О А ° при Т = 213 К, /к = 20 А Время выключения при 1/кэ = 30 В, 1к = 30 А, 60 В 15 В 80 В 0,8 В 0,8 В 10 — 60 10-60 !0-120 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Т„к 300,5 К....,, !5 Вт без теплоотвода при Т„к 300,5 К...... ОП5 8 Тепловое сопротивление пейехот корпУс ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' 2 5 К/Вт перехол-срсла . . .
. . . . . . . 50 К/Вт Температура перехода . . . . . . . . . . . . 338 К Температура окружающей среды..... От 218 ло 328 П р и м е ч а н и е Максимально лопустимая постоянная рассел В К се и вас. мая мощность, Вт, при Т„> 300,5 К с теплоотводом н рв Т > 300,5 К без теплоотвода рассчитываются по формулам РК .ан = (328 — Т„)/2,5 (с теплоотводом), 1 к .хг = (328 — Т)/50 (без теплоотвода) 1тз1зА, ~та1зь, 1т81зв Транзисторы германневые лиффузионно-сплавные р-л-р перекдг, чательные низкочастотные мощные Предназначевы для работы в схемах переключаюьних устройств Выпускаются в металлостекляниом корпусе с кесткимн вьщо дами Обозначение типа приволится на корпусе Масса транзистора не более 28 г 1 = 5 А не более 1Т813А 1Т813Б, !Т8!ЗВ 06Ратный ток коллектоР-эм ттеР пР !7вэ = 1 В не более при Т = 298 К и 7' = 213 К, при 77кэ = 100 В 1Т813А, при 17кэ = !25 В 1Т813Б, при 77кз = = !50 В !Т813В, при Г= 343 К, при !7кэ = 80 В !Т813А, при 77~~ = 100 В 1Т813Б, ри Гткэ = !20 В !Т813В .
Обратный ток эмиттера при 77кэ = 2 В не более . Предельные зксплуатащюиные данные =!В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при !!кз прн Г„= 213 — 303 К 1Т813А 1Т813Б 1Т813В при Г„= 2! 3 — 343 К 1Т813А 1Т813Б !Т813В Постоянное напряжение база-эмиттер . Импучьсное напряжение база-эмиттер прн т„< 1 мс, Д Л 2 при та<5 мкс, Д>3 Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора при т„< 1 мс, Д 2 . Постоянньщ так базы Имоу зьсный ток базы при т„< 1 мс, Д > 2 . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 3 мкс 5 мкс !6 мА 25 мА 40 мА 100 В !25 В 150 В 80 В !00 В 120 В 2 В 4 В 6 В 30 А 5 А 10 А с теплоотводом при Т„=- 213 — 298 К...... 50 Вт без теплоотвода прв Т= 213 — 298 К...... 1,5 В~ Температура перехода , . .
. . . . . . . . . . 358 К Температура окружающей среды.........От 213 К ло Гх=- 343 К Тепчовая постоянная времени отвода тепла переходсрела*.....,,........... 5-10 мин типовое значение..........,... 7 мин Тепловая постоянная времени отвода тепла переход- корпус"...,...,,,........
7-25 мин типовое значение.............. 12 мив Тепловое сопротивление переход-среда.......15-30 К1Вт типовое значение ............. 20 КЗВт П риме чан ия 1 Не лопускается отключение базы при напи'ши напряжения между коллектором и эмиттером Запрещается "спользовать транзистор в схемах, у которых цепь базы разомкнута по постоянному току ПРИ НаПРЯжсинн !Гкэ Э 20 В И Зткэ > 5 ОМ РЕКОМЕНЛУЕтеа Запирать транзистор положительным смешением 0,5 В к 77кэ < 2 В 55! Эксплуатация транзисторов за прелелами областей макс максимала ных режимов (открытое состояние), в том числе с учете, четом цессов, происходящих при включении н выключении, заире прешается 2 Пайка выводов допускается на расстояньи не менее от корпуса разрешается произволить папку выводов методе енес б ,цч т труженик не более чем на 2 — 3 с в расплавленный припо" ой с тем- пературой не ботев 533 К При включении транзистора в электрическую цепь, находя аходящузо ся цод напряжением, колчслторный контакт должен присоеди елиняться последним и отсослиняться первым 1к,.« ча 1„А Ча 20 10 Б 4 20 10 Б 4 г 1 06 0,4 г 1 ОБ 0,4 0,2 0,1 г 4 6070 га чпи„„а аг 01 1 2 4 БВ70 20 «пака,В Область максимальных режи- мов Область максимальных режи- мов 1Б,Я В 1„А 60 40 10 Б г а,п о,ч 0,2 0,1 '1 г ч Б 10 гп «ап„„в 552 а 04 оп 7,г 1,606з,в Входные характеристики Область максимальных режи- мов угтэ 00 го 0 1п гп зп лог„,к Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
