sprav_tranzistor (529834), страница 80
Текст из файла (страница 80)
Постоянный ток коллектора Импузьсный ток коллектора при тк ц 520 мкс, (') л 50 Постоянный ток базы . Импульсный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т, = 213 — 323 К (при Т, = 228 — 323 К КТ926А, КТ926Б) Импульсная рассеиваемая мощность при т» ц 500 мкс, (эл 50 Температура перехода Температура окружающей среды 150 В 200 В 5 В 15 А 25 А 7 А 12 А 50 Вт 450 Вт 423 К 610 2Т926А....,... „....,... От 2!3 до Т„= 398 К КТ926А, КТ926Б...,,...., ., От 228,зо Т„= 373 К Примечания 1 Постоянное на ряжение кол.ектор-эмитт р иттер при Т„= 373 — 423 К снижается линейно на 10 ",' через квжд ж ые 10 К мально допустимая постоянная рассеиваемая мошность 6ь3аксима а Вт, при Тх = 323 —, 398 К определяется по формуле „ яЛектера Р „,,„, =<ӄ— 7„310 — тепловое сопротивчение переход-корпус, опрелеляемое стн максимальных режимов (напрнмер, при (/кэ = !О В, 77 н конструировании схем следует учитывать возможность озбуждения транзисторов за счет паразнтных связей Пргг с„мовоз У ддя снижения контактного теплового сопротивления необходимо применять смазку из невысыхаюшего масла или тонкую фолы у из мягкого материала.
Крепление транзисторов к панели осушествляется при помоши икн. Осевое усиление на винт должно быть не более 1!7б Н. гайки. пайка выводов лопускается на расстоянии не лгенее 2 мм от корпуса транзистора. За температуру корпуса г~риггимается температура любой точки основания диаметром не более !3 мм со роны опорной поверхности. Дятэ 50 хя А г,а аа 1,5 га 05 0 оч а,а 1,г 1,5 ги„,а Входные характеристики. 1а 0 1г 151„А Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. Ск,лФ 1000 5 чг 1 000 500 яаа гаа а 0,5 1 1,5 г г,51,А Завис Бт исимости напряжений насы- шения коллектор-эмиттер и ба- за-эмнттер от тока базы. а га да 50 аоикб.а Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база б!! гоо 1000 гоо ува йй 1го а во воо ". Впп *, иао и".
гио и О гаа 000 Воп Впав„,им гтв гВВ Згп ЗЧВ Зтвт„К Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления бата-эмиттер. г5 га ;" 15 а 10 5 50 „.«о в 50 го 10 гтз г55 гвз ззз тт к И За Ва Ва 1гиах„в Область максимальных режи мов. И ВВ 10 га спика,В 612 1к..4 10 В В В г 1 О,В 00 0,4 ог 01 4в оав б,ои ппг а01 Зависимость максимально до. пустимой импульсной мощно. сти рассеивания коллектора от температуры корпуса Зависимость максимально допустимого импульсного тока коллектора от напряженгы коляектор-эмиттер.
Зависимость максимально лопустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса КТ927А КТ927Б, КТ927В делледлглр нилглг ер Электрические параметры Выхолная мощность при бкэ = 28 В, у= 30 МГц Коэффициент усиления по мощности при !/кэ = 28 В, У= 30 МГц Рвах!по) = 75 Вт Коэффициент полезного действия транзистора при 1Iкз = 28 В. У= 30 МГц Рч 1чм = 75 Вт . Козффициегп комбинационных составляющих при Ц<з = 28 В, У'= 30 МГц, Р,,!„ы = 75 Вт . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при сгкв = 6 В, )к = 5 А: КТ927А . КТ927Б . КТ927В .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при !к=!0 А, за=2 А не бочее Активная составляющая полного входного сопротивления при Р „= 75 Вт, Укэ = 28 =30 Мгц Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1)кэ = 28 В, )к = 1 типовое значение Емкос о, коллекторного перехода при 1)КБ = 28 В не более Емкост кость эмиттерного перехода при Газа = 0 не более 75 Вт 13,4 — 16 48 — 52% — (30 — 39) дБ 15-50 25 — 75 40 — 100 0,7 В 2,65 Ом !05-210 МГц 150* МГц 190 пФ 2850 пФ 613 зисторы кремниевые планарные л-Р-л генераторные высоко- Траизис частотные Н нгзначены для применения в линейных усилителях мощнос- стотах до 30 МГц при напряжении питания 28 В. я иа час~о~ г В ускаю ся в мсталлоцластмассовом корпусе с жесткими выВыпуск Внутри коргбса транзистора смонтирован лиод, преднаэнаволами.
" лля контроля температуры Обозначение типа приводится на чеииый лл корпусе Масса транзистора не более 10 г 1,в 7 база Дидд Обратный ток змиттера при ттэв = 3,5 В не более: прл Т= 298 К при Т = 398 К. Обра~ный ток коллектор-змиттер прн йэк = 0 н !/кэ = 70 В не более . Постоянное прямое напряжение лиода при ук = 1 мА кс 40 мА 120 мА 40 мА 0,6 — 0,8 В Предельные эксплуатационные лаииые Постоянное напряжение коллектор-эмиттер; при Ввэ = 0 п1)н Нвэ — со Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора . Срелняя рассеиваемая мощность коллектора ском режиме: при Тк и 348 К при Т„= 423 К . Тепловое сопротивление корпус-переход .
Температура перехода Температура окружающей среды 70 В 35 В 3,5 В 10 А 30 А в динампче- 83,3 Вт 33.3 Вз 1,5 К/Вт 473 К От 213 до Тк = 423 К 2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б Мескэе кирейки Кеккеккз Транзисторы кремниевые эпнтакснально-планарные н-р-л высокочастотные импульсные. Предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса транзистора не более 3 г. Электрические параметры аиичная ч Фнпиента пер „.„„ ором дрн гг не менее: 2Т928А. 2Т928Б КТ928А, КТ928Б Статически резачи тока общим б "тер Ри 6гкв ЗВ 2Т928А 2Т92ВБ, КТ928Б „ КТ928А яжение насыщения коллектор-эмиттер прн рк = Напряж 300 мА, Тя = 30 мА не более; 2Т928А, 2Т928Б . КТ928А, КТ928Б Напряжение насыщения эмиттер-оаза прн ! = 300 у = ЗО мА 2Т928А 2Т928Б не более .
Б Бмкость коллекторнаго перекопа при !ткв = 10 В, г'= !О МГц не более: 2Т928А, 2Т928 Б КТ928А, КТ928Б ямкость эмиттерного перехода прн !Укв = 0 нс более: 2Т928А, 2Т928Б КТ928А, КТ928Б Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при 6тка = !О В, рк = 50 мА, ~'= 1О МГц КТ92ВА, КТ928Б не более Обратный ток коллектора при Пкк = 60 В не более: 2Т928А, 2Т928Б . КТ92ВА, КТ928Б . Время рассасывания прп 2к = 300 мА, 1ь — — 30 мА ие более, 2Т928А, 2Т928Б . КТ928А, КТ928Б 300 МГц 250 МГц 30-100 50 — 200 20- !00 0,6 В 1,0 В 1,5 В !О пФ 12 пФ 90 пФ 100 пФ !00 ис 1 мкА 5 мкА 225 нс 250 нс Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение колдектор-эмиттер при Лвэ = 0 Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора при тч Н 10 мкс !2 > 50 Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при тес!О мкс, Дд 50: 2Т928А, 2Т928Б прн Тс298 К. при Т= 398 К . 60 В 60 В 5 В 0,8 А 1,2 А 3,6 Вт 3,2 Вт 628 КТ928А. при Т< 298 К при Т= 358 К КТ928Б: при Тс 298 К . прп Т= 358 К . Постоянная рассеиваемая мощность отвода 2Т928А, 2Т928Б при Тс 298 К при Т= 398 К . КТ928А, КТ928Б.
при Тн 298 К при Т= 358 К . Температура перехода Температура окружающей срелы: 2Т928А, 2Т928Б . 3,5 Вг 3.2б Вт З,б Вт 3.3б В, коллектора без тепло- 0,5 Вт О,1 Вг 0,5 В~ 0,2б Вз 423 К Ог 213 ло 358 К П р и меч а н не. При Т > 298 К Ркччм линейно снижается яа 1б мВт/К, Рк „„,„, на 4 мйт1К. 2Т929А, КТ929А б,й .616 Транзисторы кремниевые зпнтаксиальио-планарные и-р-и генераторные высокочастотные. Предназначены лля применения в схемах усилителей мощносзп, в том числе при амплитудной молулядии, в умножителях часзоты и автогенераторах на частотах более 50 МГц при напряжении питания 8 В Выпускается в металлоксрамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом.
Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 4,5 г. Эчентрвчесине параметры огдность при 77кэ = 8 В, 7= 175 МГгг. 7» К Выходная ма 4 313 К не менее . Козффнпие т усиления по р 2 Вт, / 175 МГп не менее 2Т929А типовое значение . Козф фиги гент позсзного чеиствня колчектора не менее . типовое значение ический коэффипиент перелачн тока в скеме с обгдим Статиче' эгзиттером» при 77кэ = 5 В, 7„= 0,7 А, не менее .
типовое значсяие Модуль коэффициента пе„ 1lкэ= 8 В, 1к = 0,3 А не менее типовое значение Кратический ток коллектора " при 1/кз = 8 В = 100 МГп, типовое значение Постоянная времени пепи обрапзой связи при 77кэ — .— =8 В, у=5 МГп, 7к = 50 мА не более типовое значение Емкость колаектоРного пеРехода пРи 17кь = 8 В, 7= 5 МГн не более типовое значение Обратный ток коллектора " при Окк = 30 В, Т = 298 К, низовое значение Обратный ток коллектор-эмиттер при 77кэ = 30 В, лвэ = 100 Ом не более; при Т= 298 К при Т= 398 К Обратный ток эмиттера при 1/эк = 3 В не более: при Т= 298 К при Т = 398 К 2Т929А и Т = 358 К КТ929А .
34нзтуктггвность выводов" при 7 = 1 мм змиттернога коллекторного базового . Емкости электродов относительно корпуса " змгттер-корпус колвектар-корпус база-корпус 2 Вт !О 11,5' 8 55% 72» % 25 40 2,5 А 25 пс 9" пс 20 пФ 15' пФ 0,5 мА 5 мА 1О мА 5 мА 10 мА 1,2 нГн 2,4 нГн 2,6 иГн 1,84 пФ 1,53 пФ 0,96 пФ Предельные эксплуатяинонные данные Пост остоянное напряиение колдектор-база . Постоя тоянное напряжение коллектор-змиттер при пвэ с 100 Ом 30 В 30 В Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора Средняя рассеиваемая мощность в динамическом при Т„с 313 К Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перехода Температура окружающей орели 22 929А 3 В 0,8 А 1,5 А режиме 6 Вг 20 К!В 433 К От 213 до 2'г -- 398 К .О 233по Т„= 358 КТ929А Реи уг Ртш,ог ЕУРгрл,гттй 80 го о о,г о,и о,о о,о 20рй,вг уоо гоо Зоо у,!!!к Зависимость выходной мошно сти и КПД от частоты Зависимость выходной мощно- сти от входной мощности 638 П р и м е ч а н и я ! При Е„„, к 9 В доцускается работа трап. зистора при К„ь < 10 прн условии непревышения прелезьно д,„ пустимых режимов эксплуатапин При Еяы = 9 — 12,6 В пиковое значение напряжения коллектор-эмиттер не должно превышать 5О В 2 разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 мы от корпуса без передачи усилия на керамическую часть корпуса без нарушения герметичности н с сохранением обозначения коллек. торного вывода Чистота контактной поверхности теплоотвола лолжна быть не менее 1,6 Неплоскостность контактной поверхности теплоотводов должна быть не более 0 04 мм Для уменьшения контактного теплового сопротивчения между корпусом и теплоотволом следует применять теплоотводяшие смазки ~021,~ 10 /611э! 10 кэв чя,лс 1Ч 1,р,А 2,5 1г г,о 10 1,0 05 Ск,лчз Св,лф ХО ВО го 10 619 Зависимость модуля коэффиниеита п ита передачи тока от напряжения коллектор-змиттер 0 г ч В в 10 оку,в Зависимость критического тока оз напряжения коллектор.эмит- тер о 10 го 20 окв,в Заки исимость емкости коллекто ~ рното перехода от напряжения коллектор-база 5 0 0,1 0,2 0,5 О,Ч 0,51к)А Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока кол- лектора ч 0 чо во 1го 160 2001ЯМА Зависимость постоянной времени пепи обратной связи от тока змиттера 0 1 г о Оэагв Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база ~11э 70 т„лс 1г 50 го о о,г о,» о,в о,в 1,01„л Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора г Р 2 9 В В 100кео Зависимость постоянной врем мели цепи обратной связи напряжения коллектор-база 2Т935А, КТ935А 177 2 Еаза й олленто7г гвшттер точка Электрнчесние параметры Граничное напряжение при 1к = ! А нс менее .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
