Диссертация (1145383), страница 30
Текст из файла (страница 30)
Таким образом, для даннойсистемы оба уравнения (5.11) и (5.19) могут быть успешно использованы дляпроведения вычислений.На рисунке 5.10 приведены вещественные и мнимые части волновых функций синглетного e-H и e-He+ рассеяния для энергии рассеяния 1 а.е. Хорошовидны убывающие колебания с одинаковой частотой в области трёхчастичного развала, покрывающей основную часть конфигурационного пространства.В двухчастичных областях вдоль осей координат 1 и 2 , где имеется парноесвязанное состояние, эти колебания накладываются на медленнее убывающиеколебания в упругом канале и каналах возбуждения.195-5-5-51 ,0 x 1 00 ,0 0 0 00 ,0Z A x isZ A x is-1 ,0 x 1 0-5-5-2 ,0 x 1 0-3 ,0 x 1 0-56 06 01 05 02 04 02 05 06 04 02 0A xis3 0A x 4 0isXY3X 0A xis2 ,0 x 1 0A x 4 0is2 0Y3 ,0 x 1 01 06 01 ,0 x 1 0-5-55 ,0 x 1 0-6-60 ,00 ,0-5 ,0 x 1 0-6-5-1 ,0 x 1 05 01 0-55 04 02 04 02 03 0.).u.)2 0(aa .u3 0r1r2r1 3 0(4 0.)-1 ,0 x 1 0-6.u-5 ,0 x 1 0(a.u.)2 0(a5 ,0 x 1 0r21 ,0 x 1 04 01 01 05 0Рис.
5.10. Вещественные (слева) и мнимые (справа) части волновых функций синглетногоe-H (первая строка) и e-He+ (вторая строка) рассеяния для энергии рассеяния 1 а.е. Волноваяфункция в изображена в произвольных единицах.ТП-модель: рассеяние электрона на водородоподобных ионахАнализ как теоретических, так и экспериментальных сечений рассеяниячасто показывает наличие разнообразных нерегулярностей в их поведении – например, пиков, провалов и скачков. Эти нерегулярности обычно связывают сналичием в изучаемой системе резонансных, т.е. имеющих конечное время жизни, состояний.
Часто для описания поведения данных рассеяния в окрестностирезонанса используется формализм Брейта–Вигнера [283]. Однако он применимлишь в окрестности узких изолированных резонансов. В общем случае, вкладыот различных резонансных состояний могут перекрываться, существенно изменяя поведение сечения рассеяния.
Влияние широких резонансов может бытьтрудно идентифицируемым, хотя пренебречь таким влиянием нельзя. Таким196образом, наиболее полная картина рассеяния может быть построена в случае,когда имеются как рассчитанное сечение рассеяния, так и независимо полученные положения и ширины резонансов.В данном разделе представлено совместное описание процессов рассеянияи резонансов в ТП-модели рассеяния электронов на водороде и водородоподобных ионах He+ , Li++ и Be+++ .Параметры численной схемы были выбраны таким образом, чтобы погрешность не влияла на результаты в пределах представленной точности. Радиускомплексного вращения был выбран совпадающим с радиусом расщепления потенциала, = , и равнялся 91 а.е. для всех исследуемых систем.Сравнение результатов расчётов для разных систем удобно производить,используя специально выбранные единицы энергии – пороговые единицы п.е. [276,277]. Эти единицы зависят от исследуемой системы и определяются в терминахатомных единиц а.е.
как21п.е. =а.е.2(5.20)Таким образом, для всех рассматриваемых систем энергия связи одинакова иравна -1 п.е. Эти единицы используются в данном разделе, если не оговореноиное.На рисунке 5.11 приведены вычисленные сечения синглетного рассеяния вканале 1 → 1 для атома водорода и трёх рассматриваемых ионов He+ , Li++и Be+++ . Энергия рассеяния отсчитывается от основного состояния, а значениясечений умножены на 2 для удобства сравнения разных систем. Имеется существенная разница между рассеянием на водороде и ионах: в сечении рассеянияна водороде отсутствуют осцилляции при малых энергиях и резонансные пики.Эти отличия обусловлены отсутствием асимптотического кулоновского взаимодействия в случае атома водорода.
Поведение сечения рассеяния на ионах имеетобщие черты: отдельный резонанс в окрестности 0.6 п.е. и бесконечные серии резонансов, накапливающихся снизу к двухчастичному порогу с энергией 0.75 п.е.197Такие серии существуют и вблизи следующих порогов, однако они практическинеразличимы в канале 1 → 1.Рис. 5.11. Нормализованное синглетное сечение рассеяния как функция энергии в канале1 → 1 для рассеяния электрона на атоме водорода (штрих-пунктирная линия) и ионахгелия (пунктирная линия), лития (штриховая линия) и бериллия (сплошная линия).Для того, чтобы исследовать более детально околопороговое поведение сечений рассеяния, рассмотрим приведённые на рисунке 5.12 сечения каналовперестройки 1 → 2, 1 → 3 и 1 → 4 для иона лития Li++ .
На рисунке хорошо видны серии резонансов, сходящиеся к порогам с энергией 0.88(8), 0.9375и 0.96 п.е. Так как расстояния между порогами с увеличением их номера становятся меньше, уменьшаются и ширины резонансов, что делает сложным их аккуратное изображение на рисунке. Важно также заметить, что нерегулярностипри одной и той же энергии проявляются во всех открытых каналах рассеяния,однако амплитуда пиков в разных каналах может существенно отличаться.Определение положений и, тем более, ширин резонансов из сечений рассеяния, приведённых на рисунках 5.11 и 5.12, может быть весьма непростой198Рис.
5.12. Синглетное сечение рассеяния как функция энергии в каналах 1 → 2 (штрихпунктирная линия), 1 → 3 (пунктирная линия) и 1 → 4 (сплошная линия) для рассеянияэлектрона на ионе лития.задачей, особенно в областях энергии, где количество таких резонансов велико, а их ширины – малы. Более того, при расчётах может потребоваться оченьмалый шаг по энергии для того, чтобы не пропустить возможные особенностисечений. В такой ситуации предварительное определение положений и ширинрезонансов может помочь в идентификации потенциально интересных областейэнергии.
В таблице 5.1 приведены энергии несколько самых глубоких резонансов из серий, сходящихся ко второму (-0.25 п.е.) и третьему (-1/9 п.е.) порогам.За исключением самого глубокого уровня, они образуют пары с близкими значениями вещественных частей энергии и с сильно различающимися ширинами.Эти пары резонансов, как и пары связанных состояний, отвечают синглетным итриплетным состояниям системы. Ширины триплетных состояний на несколько порядков меньше, что отвечает практически полному отсутствию видимыхрезонансных эффектов в сечении триплетного рассеяния.199Таблица 5.1.
Комплексные значения энергии нескольких резонансов для ионов гелия (Z=2),лития (Z=3) и бериллия (Z=4). Энергия отсчитывается от порога ионизации. Цифры в скобках задают десятичную степень. =2 =3 =4-0.3614 - i 6.00 (-4) -0.4049 - i 3.61 (-4) -0.4276 - i 2.31 (-4)-0.2924 - i 4.52 (-7) -0.3134 - i 3.81 (-7) -0.3247 - i 2.79 (-7)-0.2860 - i 1.42 (-4) -0.3071 - i 1.22 (-4) -0.3192 - i 8.86 (-5)-0.2710 - i 2.11 (-7) -0.2688 - i 5.83 (-5) -0.2831 - i 2.07 (-7)-0.2810 - i 5.13 (-5) -0.2898 - i 1.63 (-7) -0.2880 - i 3.71 (-5)-0.1608 - i 6.43 (-4) -0.1801 - i 3.86 (-4) -0.1902 - i 2.44 (-4)-0.1361 - i 3.50 (-6) -0.1477 - i 2.71 (-6) -0.1539 - i 1.91 (-6)-0.1326 - i 2.16 (-4) -0.1444 - i 1.74 (-4) -0.1511 - i 1.22 (-4)5.3.3.
Рассеяние электрона на водороде и на положительном ионегелияПерейдём теперь к обсуждению рассеяния с нулевым полным угловым моментом без дополнительных упрощений. Для решения уравнения (1.88) использовался тот же вычислительный подход, что и для других исследованных задачрассеяния. Параметры использованной численной схемы подобны параметрам,использованным для исследования ТП-модели в разделе 5.3.2. Область в плоскости 1 , 2 разбивалась на прямоугольную сетку, образованную прямым произведением одинаковых сеток по обеим координатам.
Для каждой из координат,использовались пять КЭ для малых расстояний [0–4] а.е. и четыре КЭ суммарной длины 40 а.е. для дискретизации области за точкой комплексного вращения . Промежуточная область [4–121] а.е. делилась на элементы длиной 3 а.е.,степень полиномов в МКЭ была выбрана равной семи. Максимальный размерматрицы линейной системы с выбранными параметрами был равен 562176.200Поскольку для работы полной схемы метода расщепления потенциала необходимо найти решение уравнения (1.71) с радиусом внешнего комплексного вращения ′ > , рассмотрим прежде всего вычисление сечений с различнымирадиусами расщепления и вращения . Результаты для синглетных 1s→nsсечений для e-H и e-He+ рассеяния показаны на рисунке 5.13.
Эти результаты представлены без учёта слагаемых Ψ1 и Φ1 в уравнении (1.75). Данные нарисунке показывают, что для большого радиуса , сечения рассеяния имеют высокую точность уже для сравнительно малого значения радиуса расщепления. Это означает, что процедура расщепления с отброшенными слагаемыми Ψ1и Φ1 не вносит заметной погрешности в амплитуды рассеяния. В другом случае, = , сечения рассеяния стабилизируются только при достаточно большомзначении .
Поскольку амплитуды вычисляются на расстоянии с помощьюасимптотического представления (1.105), это означает, что основной вклад впогрешность вычислений амплитуд вносит именно использование их асимптотического представления. Эта погрешность может быть уменьшена с помощьюиспользования интегрального представления в тех случаях, когда оно доступнодля изучаемой системы [101].Результаты, приведённые на рисунке 5.13, иллюстрируют также следующие зависимости. Во-первых, характерный размер кулоновских двухчастичныхсвязанных состояний растёт квадратично с ростом их номера, поэтому чем больше номер возбуждённого состояния в выходном канале, тем больший размерконфигурационного пространства требуется для достижения заданной точности амплитуд и сечений.
Кроме того, характерный размер каждого двухчастичного состояния иона гелия меньше, чем размер аналогичного состояния водорода, так что сечения рассеяния для e-He+ рассеяния стабилизируются на меньших расстояниях. Важно также отметить, что результаты для e-H рассеяниябез асимптотического кулоновского взаимодействия и для e-He+ рассеяния с егоналичием сходятся с одинаковой скоростью при увеличении радиуса расщепления . Это означает, что предложенная процедура расщепления потенциала2010 .6 0)20C r o s s s e c tio n s1 s - 2 s1 s - 3 s2 .8-30 .5 03 .0s s e c tio n s1 s2 s3 s0 .4 5C r o s s s e c tio n ( u n its o f 1 0C r o s s s e c tio n ( u n its o f πa02)0 .5 5o s-πaC r1 s1 s1 s0 .4 00 .3 50 .3 00 .2 52 .62 .42 .22 .00 .2 01 .802 04 06 08 01 0 01 2 0R (a .u .)02 04 06 0R(a)8 01 0 01 2 0(a .u .)(b)Рис.