Н.С. Зефиров - Химическая энциклопедия, том 5 (1110092), страница 149
Текст из файла (страница 149)
Преимущества этого способа — применение одного н того же фотоматериала длв съемки и получения позитивного изображения (вследсгвие чего нет необходимости в копировальной аппаратуре и дополнит. позипшном фотоматериале), высокое качество изображение.
Один из осн, недостатков — ббльшая длительность процесса обрабппги, Ддя черно-белых фотоматериалов процесс обращения вюпочяет след. стадии: первое проявление, в результате к-рого происходит визуализация схрытого ниатйвного изображения обьекта сьемки и образуется негатив; отбеливание с послед. 456 удапеиием вадорасгворимого саед. Ая (осветлеиие); второе экспонирование (равиомериаа засветка оставшихся в слое михрокристаллов АяНа)) — образоваиие центров скрытого позитивного изобразгеиия обьекта сьемки; второе проявлеиие — образование позитивиста (обращеииого) изображеиив; фиксирование; промывка. После каждой апщии фотоматериал подвергают промажут.
промывке. Дпя ускорения и упрощения процесса обращеиия засветку, второе проявпеиие и фиксироваиие часто замеияюг алией стадией — ч е р и е и и е м — полным неизбирательным васстаиоапеиием АяНа) в Ай или переводом его в иепразрачиое водоиерастворимое саед., напр. сульфид, Чернение осуществляют обйчио в щелочных р-рах ЗпС1г, пщросульфита)Ча, боропщрида Ха, пщразииа, гидразиибораиа, тиомочевииы или (чазЗ (в последних двух случаях Адйа) переходит в АцзЗ). Образование цвегиого обращенного изображения вхлючаег след, стцции: черно-белое проявление, при к-ром в фотослоях цвегиого фотоматериала образуется черно-белое негативное изображение, состоящее из металлич.
Айд прерываиие процесса проявления; второе экспонироваиие (засветка); цветное проявление, при к-ром в фотослоях формируется позитивиое изображеиие, состоящее из красителей и мегаллич. Ай; отбгливаиие с послед. расгвореиием и удалением из фотоматериала водорастворимых саед. Ая. После векдой агации фотоматериал подвергают промежуг. промывке. В иск-рых процессах агацию засветки замешпат обработкой фотоматериала в р-ре для хим. обращения; при этом в микракристаллах АяНа) образуются центры проявпеиия, ииициируюшие цветное проявление.
Лпя повышеиия устойчивости цветиого изобрюкеииэ при храиеиии фотоматериал после окончат. промывки обрабатывают стабилизирующим р-ром (иаир., р-ром тиомочевины). Существует также рцц методов обрашеииэ изображения, в осиове к-рых лежат разл. явлеиив сочетающие специфич. условия экспонирования и Х.-ф. о. ф., ивпр. саляризация (см. Фтваграфия черна-белил).
Суища фотоматериала — завершиощав стадия Х.-ф. о. ф, Осуществляется естественным (иа воздухе) или искусств. путем. Искусств, сушку производят обычно обеспылеииым и подогретым воппухом, подаваемым х пов-сти фотоматериала под давлением. Применяют рвал. способы подвода тепла: коивективиые (рамы, раыочиые барабаны, фестоииые сушильиые устройства), коитжтиые (электрогляицеватели, барабаииые устройства), радиациоииые и хомбииироваииые, к-рые чаще всего используют в проявочиых машинах.
Для усхореиия сушки фотоматериал обрабатывают 70%-иым подлым р-ром этаиапгь насыщенным водным р-ром КзСОз ипи др, в-в, способиых поглощать воду из фотоматериала. Для улучшеиив плоскосгиасти и уменьшения скручиваемасти фотопленок их перед сушкой обрабатывают пластифицируюшими рами, содержащими миогоатамиые спирты, гл. абр.
глицерин. страиеиие солевьк пятен ат капель всцы иа пов.спг шгсушеиного фотоматериала достигается его обработкой перед гугпхой р-рам ПАВ. Дпя усилеиия глянца иа фотобумаге ее обра6пъюают Р рами дпя тля ицеваиив, содержащими На-азль карбохсиметющсллюлозы, формалил и ПАВ.
Фотографич. изображение для повышеииа сохраияемости защищают разя, прозрачными лаками ипи тончайшими бесцв. плеиками. Материалы, предназначенные длв длит. хрвиеиия, после окончат. промыжи перед сушкой подверщют обработке р-рами, содержащими фуигициды или аитисептики, к-рые уиичтожаат вредоносные грибы и бактерии разрушающие жглатииовые слои и саотв.
фотографич. изабражеиие. Лнаа Б яви берг И.Б., тннннтпм неэнантгл фнннннннтннрвтнн, 2 ви., М., 1967: Кар анно н Н щ, Освонм вэнпгггнн нбгабнннв юмнфнтнинггрвнннн, М., 1977; д и н ам г т., тюргм фнзнгвн)нмгнангн арнвнггн, вгг. н нвгн., д., 1980; ж у г б н ю.и., Лньнватерннхяэгнботнн фнтниащпынан, Ы., 1ээц его и н, Краткий снгнннннва т ~миогэнфаннаннг вэнвнгнни н ннннрвннни,4 язв, М., 1991; КнрнуинвнвнаА д., Кгнгимялдмоннп.в., хмгвн в з)вннна фнмгвн(нгннсннх ввнвесснн, 2 ннь, Л., !ззб; Кран ийвлдма вв Л В., ьгнннгнвнбэланэ фатоса)ниггннн ингнзвннм н арманам вн негнботнв, Л..
1986; КасснннА.я., Ввннннвнаю.х., Юнннневин в авнгннснвс негнны вннгнна фнтогвн(ню, Л., 19ВЭ; Рндь ° хн А.В., Оимны ннзео.бевнн в нннввн. фнннпннвннон, М., 199О н н! н ~ а.М., Мнаен рьнгнынрын внннеавя, М.у., 1979. ю.и. жзнна. 457 ХИМИЧЕСКАЯ 233 ХИМйЧВСКАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ЭЛККТРОНОВ (ХПЭ), состоит в том, что в радикалах, участвующих в спии-селективиых хим.
процессах, создается иеравиовесиая заселеииосгь элекгроииых зеемаиовских уровней. ХПЭ проявляется в спектрах ЭПР рацикалов кж виомальио смпьиое поглощение (если избыточно заселен иижиий зеемаиовский уровень) или испускаиие (если избыточио заселен верхний уровень). ХПЭ возникает по двум главным механизмам. Во-первых, в радикальных парах рекомбииили радикалов селективиа и по элехтроииому, и по ццериому спину, так что при рехомбиивции происхгцит отбор радикалов по обоим спинам.
В результате в радикалах, избежаюдих рехомбиивции, остаатся зтелеииыми лишь определеииые, избраииые эпекгроииа-ядериые сосгояиив. Нэцр., в атоме водорода, похипюошем радикальную пару, электронный и-спии комбинирует с и сливом протона, а () спим апектраиа комбинирует с й-спицам протона.
В спектре ЭПР таких атомов с поляризоваииыми электролами линия в слабом папе аказыввепж эмиссионной, а линия в сильвам поле— аиомапьио имгеисивиой в поглощении. Во-вторых, электромина поляризация сощается в триплетимх состаяиивх молекул за счет того, что каждый из трех сливовых уровией (с проекциями электронного с)гила +1, 0 и -1) может из-за аиизатропии спиц-орбитальиого взаимод. заселяться с разиыми схоросгями при переходе молехулы из вазбулдеииога сииглетиого состояния в триплетиое: кроме того, скорости дезжтивации (релжсации) этих триплетиых спииовых уровней также могут отличаться (из-за аиизотропии дипольиого взаимод.).
В результате сощается иеравиовесющ заселеииасть уровней, т.е. электронная поляризация. Когда тжэя триплетиая молекула генерирует радикалы (иапр., путем распада) электромина поляризация переиасится в радикалы и детектируется в иих по спектрам ЭПР. При этом поляризация обоих радикалов такая же, как у предшестаениика, т.е. их поляризация одиижова по вижу. С другой стороны, ХПЭ, сазпаваемая в рвдикавьиых пйрах, имеет, ющ правило, прапюоположиые знаки у партнеров, что позволяет различать эти два механизма. Явление ХПЭ используют при исследовании ыехаиизмов хим.
процессов, особенно фото- и радиационно-химических (включал фотасиитез), лн,аг.нз .х г на Ч н ггй д Л. Бунннгнно. ХИМИЧКСКАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ЯДКР (химически индУ- цироваииая папяриэапия ядер; ХПЯ), появлеиие иеравиовесиой ядерной иамыиичеииости в молекулах, образ)пощихся в результате радикальиых хим. р-ций, ориеитирующих маги.
моменты ядер. Наиб. чувствит. метод зоидираваиия ядериой иамииичеииости тжих мол жул — ЯМР. Пршиаком ХПЯ является аиомапьио сильное поглощение или испускаиие эиерпги перемеииога мыи. пола в спектрах ЯМР, что абусловпеио неравиовесиой заселеииостыа зеемаиавских эиергетич. уровней в этих мол хулах (см. Эееиала зффеюв), При аиомапьио сильном поглощеиии заселенность ииж. зееыаиовских уровией вьппе равновссиой, тоща ющ аномально сильиая эмиссия в спюпрах ЯМР азиачает, чта рэвиовссиую веюащиу превышшт шклеииость е:рх. зеемаиовских уровней. Первый спущй соопютствует положит, полвризации 1щер, второй — отрицатепьиой.
ХПЯ сажается в элементарных процессах межрщикапьиого взаимод. (иаир., ржомбииации ипм диспропорциоиирожиия) блапщаря его спииовой селективиоаги, т. е. зависимости направления и скорости межрацикальиого шаимод. ат электроииого спина реагирующих радикалов и сливового саагояиия радикальной пары — предшественника хим. Р-ции (см.
вгагиилвю-слюгаеме зффеювм), Сливовая селекпюиосгь — следствие спииового запрета тэхих хим. р-ций, к-рые требуют измеиеиив электронного спина. Тж, рекомбииация радикалов с обргаоваиием диамаги. молекулы ршрашеиа тольхо в такой радикальной паре, в к-рой влектроииые спины радикалов-партиеров ориеитироваиы противоположио, так что суммариый электроииый спин пары равен нулю (сииглетное состояиие пары).
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
