Н.С. Зефиров - Химическая энциклопедия, том 4 (1110091), страница 40
Текст из файла (страница 40)
решетки) гетеропары. При выращивании на монокристаллич. подложке бинарных саед. для создания изопериодных гетеропар используют четверные твердые р-ры, в состав к-рых входит и в-во подложки. Важнейшими собств, точсчньцш дефектами в Ое и Я являются вакансии и междоузельныс атомы, а также разл. рода комплексы, образующиеся в результате взаимодействия этих дефектов между собой или с атомами остаточных и легируюших примесей. В бинарных сосд. точечными дефектами м.б. вакансии в любой из подрешеток, междо- 117 ПОЛУЦЕЛЛЮЛОЗА 63 увальные атомы обоих компонентов, к-рые могут находиться в решетке в разл. положениях, атомы компонента В на местах атомов А и наоборот.
Как л в элементарных П. м., эти «простые» собств. точечные дефекты могут взаимодействовать между собой и с примесями с образованием разнообразных колшлексов. Еще более сложной выглядит картина образованна дефектов в лтногокомпонентных сосд, и твердых р-рах. Собств. точечные дефекты образуются при нагреве, облучении частицами высоких энергий, пластич. деформациях; существ, роль играет отклонение состава от стехнометрнческого. Нанб, эффективными способами снижения концентрации собств. точечных дефектов в П.м.
является термообработка в разл. средах. В случае хим. соединений термообработку обычно проводят в атмосфере паров недостающего компонента, выбирая рабочие т-ры с учетом конфигурации области гомогенности. Применение. Важнейшая область применения П.м.— микроэлектроника. П.м. составляют основу совр. больших н сверхбольших интегральных схем, к-рые делают гл.
обр. на основе Я. Дальнейший прогресс в повышении быстродействия и в снижении потребляемой мощности связан с созданием интегральных схем на основе ОаАз, 1пР и их твердых р-ров с др. саед. типа Ан'В». В больших масштабах используют П.м. для изготовления «снловых» электронных приборов (вен»гни, тнристоры, мощные транзисторы).
Здесь также осн, материачом явлается %, а дальнейшее продвижение в область более высоких раоочих т-р связано с применением ОаА8, %С и др. широкозонных П. м. С каждым годом расширяется применение П.м. в солнечной энергетике. Основными П.м. для изготовления солнечных батарей являются Бт, ОаА8, гстероструктуры Оа„А1, А87ОаА8, Сцзб!Сдб, а-Я:Н, гстероструктуры а-%:Нгга-%„С1 „:Н. С прймснением в солнечных батареях некристаллич. тидрнрованных П. м.
связаны перспективы резкого снижения стоимости солнсчньтх батарей. П.м. используют для создания полупроводниковых лазере«н светодиодов. Лазеры делают на основе ряда прямозонных саед. типа А'аВ», АаВ'", А'" В»' и др. Важнейшими материалами для изготовления лазеров являются гетероструктурьс Оа,А1, „Аз ОаА8, Оа„1п, „Аз„Р, „/1пР, Оа„1п, „А8ДпР, Оа„1п, „Аз„Р,,»' уОаА8, „Р„.
Для изготовления светодиолов йптроко используют: СаА, ОаР, ОаА8, „Р„, Оа„1п, „Аз, Оа„А1, „Аз н др. П.м. составляют основу совр. прйемников оптич. нзлучения (фотоприемников) для широкого спектрального диапазона. Их изготовляют на основе Ос, Я, ОаА8, Оар, 1пБЬ, 1пА8, Оа„А!, хА8, Оа,1п, „Аз, Оа„1п, „Аз,Р, СблНБ, „Те, РЬ,Бп, Те н ряда др. П. м. Полуйроводнйховые лазеры и фотоприемники — важнейшие составляющие элементной базы волоконно-оптич.
линий связи. П.м. используются для соэдания разл. СВЧ приборов (биполярных и полевых транзисторов, транзисторов на «горячих» электронах, лавинопролетных диодов и др.). Важные обзасти применения Н. мз детекторы ядерных излучений (используют особо чистые Ое, %, ОаА8, Сг(Те и др.), изготовление термохолодильников, тензодатчиков, высокочувствит.
термометров, датчиков маги. нолей и т.п. приборов. Лныл Горелик С С., Дангсвехнй М. Я.. Материаловедение полу. проводников и мстазловеденве, М., 1973; М аль внлский М. Г, Полупроводниковые материалы в современной злехтровнхе, М, 1988; Пасыаков Н. В, Сорокин В. С., Материалы электронной гсханки, 2 нзл., М., 1986; Н азпе л ьский А. Я., технологив полупроводниковмх материалов, М., 1987; Мейлахов И.э., Лазарев С.Д., Электрофнзические свойства полуироводинкон Гсправочйик фнзнчесыа величаи), М., 1987.
м.г. мп с. й. ПОЛУЦЕЛЛ(ОЛОЗА, волокнистый материал, получаемый хнм. обработкой древесины в мягких условиях с послед. Мех. размолом (выход 65-90с от абсолютно сухого сырья). П. содержит почти все углеводные компоненты древесины и, в зависимости от способа произ-ва, различное (до 20' ) кол-во лилиана. В качестве сырья для получения П. служат гл. обр. лиственные породы древесины (береза, осина, тополь, бук и др.), ренте хвойные (елг» пихта, сосна). Различают след. способы произ-ва Пх нейтрально-сульфитный, бисульфит- 64 ПОЛУЭМПИРИЧЕСКИЕ ный и натронный. Независимо от способа первая технол.
стадия — подготовка древесины; очистка от коры (при необходимости), распиловка ы рубка в щепу. При наыб. распространенном нентрально-сульфнтном способе щепу нагревают в течение 1 ч пры ! 70-180'С и давлениы 1,0 — 1,1 МПа с водным р-ром, содержащим 120 г/л ХагБОз ы 36 — 40 г/л ХагСО,(ХаНСОз). Общая прололжительность процесса 1-5 ч. Расход реагентов; при получении небеленой П.— 7 — 14ь до массе, беленой П.— 15-20',4 (в расчете на абсолютно сухую древесину). Процесс проводят в варочных аппаратах непрерывного действия, в осн. горизонтальных многотрубных (2 — 6 размещенных одна над другой и соединенных меьчду собой стальных труб), реже наклонных (сгальнью цилиндры, расположенные под углом 45").
Аппараты оснащены устройствами для загрузки смеси щепы с варочиым р-ром, передвижения ее внутри рабочего пространства н выгрузки обработанной щепы. Последнюю размалывают на дисковых мельницах до получения волокнистой массы, к-рую промывают, сортируют н при необходимости отбелнвают в олпу нли две ступени действием НгОз, ХагОг илн Са(С1О)г.
При бисульфнтном способе щепу обрабатывают р-ром ХаУГЗОз, ХНлЕ1$Оз нлн Мь(НВОэ),. Процесс осуществляют в нарочных котлах перйоднч. действия илн аппаратах непрерывного действия (вертикальные стальные цилиндры с устройствами для загрузки щепы и нарочного р-ра и выгрузки обработанной щепы). Прн патронном способе щепу обрабатывают р-ром ХаОН с получением только небеленой П. П.
из лиственной древесины (выход 75 -90ьйь) применяют преим, для выработки спец, бумагг| и картона, используемых прн изготовлении гофрокартона, а также коробочного картона, оберточной, газетной и др. бумаги. Из П, на основе лиственной и хвойной древесины (вьжод 65-70ьйь, степень белизны 72 — 75ьбь) получают бумагу ькиронепроницаемую„ писчую, для документов и т.д., беленый картон. См. также Целлюлоза. я и Коььрвпкькьй И.
Н, Основа технологии хппьпьскьй ппяьрабьткп хьевьснпьь м., 1984, ь 63-вх я.а. Гргег в. ПОЛУЭМПИРЙЧЕСКИЕ МЕТОДЫ к в а н т о в о й х имия, методы расчета мол. характеристик нли свойств в-ва с привлечением экспернм. данных. По своей сути П.м. аналогичны яеэмпирическим методам решения ур-нпя Шредингера для многоатомных мол. систем„однако для облегчения расчетов в П.м. вводятся дополнит. упрощения. Как правило, этн упрощения связаны с валентным приближением, т.е.
основаны на описании лишь валеитных электронов, а также с пренебрежением опрсделеннымн классами молекулярпых иктегралов в точных ур-пнях того неэмпирич. метода, в рамках к-рого проводится полуэмпнрнч. расчет. Др, мол, интегралы (или нх линейные комбинации) заменяются эмпирич, параметрами, значения к-рых определяются нз условия совпадения расчетных н экспернм. характеристик для определенных опорнык молекул.
Выбор эмпнрич. параметров основан на обобщении опыта иеэмпирнч. расчетов, учете хнм. представлений о строении молекул и феномеыологич. закономерностей, В частности, этн параметры необходимы для аппроксимации влияния внутр. электронов на валентные, для задания эффсктнвыых потенциалов, создаваемых элсктронамн остова, и т.п. Использование эксперим. данньж для калибровки эмпирнч. параметров гозволяет устранить ошибки, обусловленные упомянутыми вьш|е упрощениями, однако лишь для тех классов молекул, представители к-рых служат опорнымн молекулами, и лишь дтя тех свойств, по к-рым параметры определялись. Нанб.
распространены П.м., основанные на представлениях о мол. орбиталях (см. Молекулярных орбиталей методы, Орбиталь). В со юталип с г7/(40-приблиэ~гетгем это позволяет выразить гамяльтониан лволекулы через интегралы на атомных орбнталях у,. Прн построении П.м. в мол. интегралах выделяют произведения орбнталей, завн- 119 сящих от координат одного и того же электрона (дифференц. перекрывание), и пренебрегают нек-рыми классами интегралов.
Напр., если нулевыми счытаются все интегРалы, содеРжащие диффсРенц. пеРекРывание 2„2ь пРи а Ф Ь, получается т. ыаз. метод полного пренебрежения дифференц. перекрыванием (ППДП, в англ. транскрипции СХРΠ— сотар!еее пе81есг оГ г(!бесел!)а! очаг!ар). Применщот также частичное ыли модифицир. частичное пренебрежение диффереыц.
перекрыванием (соотв. ЧПДП или МЧПДП, в англ, транскрипции 1ХГ)0 — !пееппегйаге пей!ес! оГ ь(йуегепйа! очег1ар н М1ХОΠ— 1пог((Г)ее( 1ХОО), пренебрежение двух- атомным дифференц. перекрыванием — ПДДП, илы пей!есг оГ гйаеоппс г)й(степе!а( очек!ар (ХЭОО),— моднфицыр. пренебрежение двухатомным перекрыванием (МПДП, нли шой((1ее( пе81ес! оГ оба!оппс очег!ар, МХОО). Как правыло, каждый из П. м. имеет песк.
вариантов, к-рые принято указывать в названии метода цифрой или буквой после косой черты. Напр., методы ППДП/2, МЧПДП/3, МПДП/2 параметризованы для расчетов равновесыой конфигурации ядер молекулы в основном электронном состоянии, распределения заряда, потенциалов ноиизации, энтальпий образования хим.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
