Н.С. Зефиров - Химическая энциклопедия, том 1 (1110090), страница 311
Текст из файла (страница 311)
Применение спец. добавок позволяет получать мелкокристаллич. блестящие покрытия. Оловянирование применяют для защиты изделий от коррозии в орг. к-тах, содержащихся в пищ продуктах; значит. кол-во Бп расходуется на лужение консервной жести. Покрытия улучшают электрич. проводимость н облегчают пайку контактов.
Оловянироваиие производят в кислгях (сульфатных, фтороборатных), а также щелочных (станнатных, пирофосфатных и др.) электролитах. Наиб. распространены сульфатнме электролиты с добавками ПАВ; из иих осаждают мелкокристаллич. блестящие оловянные покрытия. 3 оп о ч сии е обеспечивает высокие хим, стойкость и электрич. проводимость, а также декоративные св-ва покрытий. Золотом покрывают электрич. контакты, лаб. приборы, ювелирные изделия, музыкальные инструменты, спец. прожекторы и др. изделия.
Осн. компонент электро. литов золочения-дициаиоаурат калиш Дла техн. целей применяют слабокислые, нейтральные и шелочные электролиты, яз к-рых осаждаются покрытиа высокой чистоты (99,99;4 Ан). Для декоративной отделки изделий осаждают блестящие покрытия из электролитов, содержащих неорг. и орг. добавки. Серебрение широко применяют в радиопромышленности, радиоэлектронике, произ-ве средств связи и ЭВМ для обеспечения высокой электрич. проводимости контактов. Высокаа отражат. способность серебра используется при покрытии фар, прожекторов, а его хим.
стойкость в щелочных р-рах и орг. к-тах — при защите хим. аппаратуры и приборов. Недостаток покрытий: чувствителъность к соеа серьъ под влиянием к-рых возникает пленка сулъфида серебра, снижающая декоративные св-ва покрытия. Разновидность наиб. распространенных цианидных электролитов серебрения — гексацианоферратный (железистосинеродистый), к-рый менее токсичен, т. к. в нем отсутствует свободный КС)Ч. Покрытия металлами платиновой группы (Рй Рд, Кп) применяют в радиотехн, и электронной пром-сти при изготовлении электрич.
контактов, для зашиты пов-сти серебра от потускнения и деталей точной ацпаратуры от 976 коррозии. Платиновые покрытия, в частности, применяют в хим. иром-сти для получения титанплатнновых анодов. Практнч. применение находят также покрытия Ре, Со, РЬ, Ав, ЕЬ, Вй Оа, 1и, Ое, Мп и др. металлами, осаждаемыми нз водных р-ров. Для алюминирования используют орг. р-рители. Покрытия металлич.
сплавами, содержащими два, реже три компонента, применяют для экономии одного из металлов или улучшения св-в покрытия. Получены покрытия из сплавов большинства металлов, к-рые м.б. выделены из водных р-ров, а также сплавов, содержащих %, Мо, Р, 3 и нек-рые др. элементы, в чистом виде из водных р-ров не выделяющиеся, Гальванаплаеппса.
Используется для изготовления и размножения металлич. копий, Осн. ее преимушество перед др, методами — высокад точность воспроизведения микрон макрогеом. рельефа. Этим методом изготовляют матрицы для грампластинок, печатные стереотипы, клише, валки для тиснения кож, тонкие металлич. сетки, фольгу, копии с произведений искусства и др. Разновидность гальванопластики, электролитическое формование; изготовление объемных деталей. Этим способом производят волноводиые узлы для ралиотехн.
иром-сти, трубы разл. диаметра, рефлекторы, коробки для аккумуляторов, сопла, детали авиац, техники, прессформы и др. Технология включает изготовление формы, подготовку ее пов-сти, электроосаждение металла, отделение готового изделия от формы. Разработаны также комбиииров, гальванопластич. процессы, основанные на электроосажденин относительно тонкого слоя металла с послед. обволакиваннем его пластмассой. Форму изготавливают из металла (сталь, Хп, Сп, А! и др.) или из воска, гипса, пластмассы.
Перед электроосаждением пов-сть формы очищают от загрязнений, наносят на нее проводящий слой (если форма из неметаллич. материала), затем разделит, слой для предотвращения прочного сцепления осаждаемого металла с поветью формы. При выборе электролитов для осаждения осн. слоя металла учитывают требуемые физ.-мех. св-ва слоя, равномерность распределения тока и металла по пов-сти катодь отсутствие склонности к дендритообразованию, скорость осаждения металла.
Разработаны электролиты для осаждения Си, Щ Со, Ре, АВ Аш Еп, Зл, А1 и др; наиб. широко применяют Сп и )т(!. Разработана технология осаждения жаростойких металлов и сплавов, комбиниров. слоев металлов с порошками тугоплавких соединений. Медь осаждают из сульфатных, фтороборатныж пирофосфатных, кремнефторидиых, цианидных и нитратных р-ров, никель— из суяьфатных, хлоридных, фтороборатных и сульфаматных. Линь Влесташие алек ралитичеакие накрыта», оод рсл.
Ю Матучиса, Внлнюс, 19б9, Инденернак гашванотекннкв в орнборостраенин, оад ред А М Гинберта, М,!977; Кудрявцев Н Т, Электролимзчсскне локрыти» мет лл*ми, М, 1979, Ввчеславов П М, Валанюк Г А, Электролитичесьое Формованид л, 1979, казначей н и, «ж всш кнм шм им д и менлелееваа 19щ т 25, Рб 2 а 191-Ю2, Матулисю Ю, ем ие, с 121 18, Гальванические оокрмтиа в машиностроении, лод ред М А Шлугера т 1, М, 1985 Р М Внш . ирскис ГАЛЬВИНОКСИЛЬНЫЙ РАДИКАЛ (2,б-ди-тпрнит-бутил-б-г(3,5-ди-итредз-бузил-4-оксо-2 5-циклогексадненилиден) метил|феноксил; гальвиноксил; радикал Коппингера), (Н С),С (СВз)1 0 СН 0 (Н,С) С С(СН ) мол.
м. 421,65; синие кристаллы; т. пл. 158 С; легко раста. в орг. р-рителях. Парамагнитен в широком интервале т-р. Оба фенильных кольца эквивалентны, длина связей С вЂ” О 0,127 нм. Спектр ЭПР (две группы по 5 линий) характеризуется константами сверхтонкого взаимодействия а, = = 0,57 мТ и а, = 0,14 мТ. Г. р. получен действйем Кз(Ге(С)ч()б1 или РЬО1 на быс-(2,б-ди-тиредобутил-4-гилроксифеиил)метан. Г, р-один из наиб устойчивых ароксидьиых радикалов При действии восстановителей, напр.
щелочных 977 ГАММЕТА 501 металлов или аскорбиновой к-тьь превращ. в соответствующий фенол. Г.р.— эффективный акцептор активных сноб. радикалов. Впервые синтезирован Г. Коппингером в 1952 Лма Покоденко Ц Д. Февоишвьные радикалы, К, 19б9 ГАММА-АБСОРБЦИОННЫЙ АНАЛИЗ, метод элементного анализа, основанный на измерении степени ослабления потока у-излучения при прохождении его через исследуемый образец, Для узкого моноэиергетич, пучка у-излучения справедливо соотношение: Ж = )ч(ое " дв, тле А о и б(-потоки т-квантов соота до и после йрохождения через слой в-ва, р †массов коэф.
ослабления, р = = 2,Сз †плотнос в-вв, С, — концентРациа 1-того элемента. с( †массов поверхностная плотность в мг/смз или гусм' К оси. процессам, происходящим при взаимод. у-излучения с в-вом, относятся: 1) фотоэффект-передача энергии фотона Е связанному электрону атома; преобладает в области Е, ненамного болъших, чем энергии связи электронов; сечение (вероятность) фотоэффекта т ЕзуМЕз з, где Š— ат. номер элемента, М вЂ” его ат, масса; 2) эффект Комптона-рассеяние фотонов сноб. электронами; играет роль при Е > 0,511 МзВ; сечение комптоиовского рассеяния ст 2йзЕ)МЕ и слабо меняется в зависимости от Е (исключение-тяжелые элементы); 3) образование злектроннопозитронных пар, к-рое возможно при Е > 1,022 МэВ; сечение этого процесса Х Фз Ьт Е. Наиб.
избирательность Г.-а.а. наблюдается, когда ослабление у-излучения определяется фотоэффектом Энергию источника подбирают так, чтобы ослабление у-излучения в анализируемом в-ве определялось концентрацией С, исследуемого элемента с ат номером Ео Фотоэффект преобладает при энергиях фотонов не выше - 0,2 МэВ (для легких и средних элементов) или 0,5 МэВ (для тяжелых элементов). Ниж. граница энергии фотонов объясняется слабой проникающей способностью фотонов малых энергий и составляет ок 20 — 50 КэВ.
При определении к.-л. элемента в в-ве в присут, др, элементов с близкими Е для повышения избирательности применяют т. наз. абсорбциометрию по К- или 1 краю поглощения. В этом случае используют источники у-излучения с энергией фотонов песк, большей, чем энергии связей К- или 1 электронов атомов определяемого элемента. Анализ многокомпонентиых сред осуществляют с помощью двух и более источников с раэл. энергиями фотонов. Массовая поверхностная плотность анализируемого в-ва выбирается из условия р рс( = 1-2.
В этом случае статистич, и аппаратурная составляющие погрешности приблизительно равны и иеобходимаминим. активность источника. Для регистрации у-излучения используют сцинтилляционные (на основе )ч(а1, С91) или полупроводниковые (на основе Ое, 51, СЛТез) детекторы, счетчики Гейгера †Мюллера и др.
Нуклиды, используемые в кач-ве источников у-квантов, должны давать моноэнергетич. излучение с энергией, обеспечивающей макс. сечение фотоэффекта для определяемого элемента, иметь длительный период полураспада и высокий выход у-квантов. Наиб часто применяют ле'Аш, 'тоТш, '"Со, а также еобг и 'е'Рг (для получения тормозного излучения1 Диапазон определяемых концентраций большинства элементов(с Е > 13)-л !О '-п.10;4 по массе. Время, необходимое для проведения определений, составляет неск минут. Погрешность анадиза 1-5ео Г.-а. а. применяют для экспрессного неразрушаюшего анализа раэл.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
