Отзыв на автореферат (Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди)

ОТЗЫВ иа ав!'О~эефс~)а'$' диссер Гации МИЛОВАНОВА Рома!!а Алсгксандровииа «ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ И МЕТОДИКИ ПОСЛОЙНОГО ТРАВЛЕНИЯ КГИСТАЛЛОВ ИНтИ РАЛЬНЫХ СХЕМ С СИСТЕМОЙ МЕжСОЕДИНЕНИЙ НА ОСНОВЕ МЕДИ», представленный на соискание ученой стспеци кандида)а технических наук по специальности: 05.27.06 «Тех)$0 $о! ия и оборудование лэ(я $)роиз)10 (с(в($ полу п1эоводцикОВ, матсриа)$0В и $$)эибор0$! э)1ск!"р0$$)и)Й '(схиики)>. (.. 0$!1эсх)с1$1$ыс и1Г)с!'р(1.'!!э!1!~(с (.'хсмы !11)сдс'$2В'1я)О'1' собой съ$$срс.'10)$($! ~. э,'$ект)э0$$$(ыс устроЙства, сОс'10я)цис из со)сн мил;(иопОВ мцОГОС:юй!1ых трацзисторцых структур и линий мс'ксосдинепий.

Дефекты этих $$роволя(ц1(х $0иких ли))ий м(жсосдипе)(ий $)р!(водя) к 0)казам (ог(астрофи)секо!0 )и!!а. !1робэ(сыы ос;$0)кц)ПОГся $$~)Г$ $)р$$х(с1)с$$((и В качсс1В(. К((1)ср($а.!!1 мсжсоедицсций меди Вместо алк)миция. Акзуальиыми задачами яв )яются разработка методов анализа огказов кристаллов ш!Тсгральцых схем с системой ые)ксосли1$епий иа ОсцОВ~;" мс 1и. Цслью раооты яВляю)ся исследОВаиия тех!$0:$01 ичсскпх ОСНОВ и р()зрабо!'ка методик послОииОГО 11репарирова11ия крис'1т!'$)$0В и1Г$(.'.! ралы1ых схем с ые)ксосдинениями на основе меди.

Достигкешьс цели )и)звали! (ювысить проч(сит выхода годных 11ри производстве и)псгральпых схем и в 1(роцсссс р(1$~)аб(э(ки 1!Овь(х Гипов И~.'. Для 10(.тиж(.'11ия поставлс)п(0$! !к сОискат(.')ь рс(циэ! СЭ)е,"(у)о)цис За,'1ач)$: ВЫЯВИЛ И 0000)ЦИЛ СГРУКГУР1(ЫС ОСООСП)ЮС)И $ОП0.$0! ИЧССКИХ 0.10(.В к~э)$стаэ)л0$! с сис)смои межсОсдипсцпи ца Оспове мели; - па осповс Весле;.(оваций процессов сслск(ив)и))о жилкосп(о(о зравлс)(ия мс.(цых проводников разрабо(апы мсп)дики се.(скп)Иного Гравлсш(я к лиффузиошю-барьерному слою; — на основе исследования процессов селективпого вакуум)ц)-и )азмс)шо(о Гравлсния медных проводников разработаш,$ соответствуницис мего,ц(кп вакуумно-плазменного травления медных х!С)ксоеди(1С$(иь(: В тсхнОЛОГии пОслОЙПОГР 1$1)с)!ар!!)эОВВ$$ия к)эис Га."$лОВ с м(':ксос зи)(с$(ия ми $)а ОсцОВс меди успе)ПИО испо:1ьзОвапы х1( 1Одики се~(с)ХГиьч(0!'0 '$'раВ $(.'$$$(я медных проводников.

С'1сдус)Отк(е)и'$1~ х0$)0$$11$Й ур(эВС$$ь $(а)!$(с'п)и5$ авГ()~)сфер($$!$. Ооосиоваипос1Ь и дос)01)сь)$!Ос! 1, $$0.1у"(с!!!1! $Х рсрч($ГГ(!$0в ~.ос,!и Гсл(„, 1!Од(веря(дастся экс$$ср!$к(с)т)т!$$$ !!!!ми исслс;10$!а11иях)и, их СО)з(!(сова!11!001ь(0 и нспро Г)(ворсчивость$0 с теоретическими л(1111(ых!и.

М$$01ис )кспсримспталыпее резх.)ьта1 (э1 посят циопсрский х(1рак Гср и оы.1и п0.1хчспь! В$$СРВЬ)Е. Среди полученных результатов нсобходичо выделить: новыс методики селективного к диффузиошн)-барьерному с:нио жидкостного травления медных проводников с применением аммиа шого кохцглскса)п)ухва)!Ситной меди и.н1 с применением смеси соля!И)Й к)ю:1о и перекиси водорода; — новыс методики селективного к диффузиошю-барьерному с;юк) ваку5м!ю- !!)!Взмснно1О травления медных прово,.ц!иков с применением цлазмообразук)щего газа !)С!)и:ш плазмообраз.юп!Сй смеси !)С1; Лг: - новые методики селективного к дгн1)!!)узионно-барьернох!у слою удаления чсдных и!эОВОдникОВ системы мсжсосди1гении крис'!аллОВ инте!'ра.'1ы1ых микросхем на основе циклических процессов жидкостною и вакуумноплазчеши)го травлений. Ргюота ОО!'а!О ил!!юстрироВана у1!Ика.'!ы!!Мчи фо! О! рафиль!и !Тазрсзов и сечений микрострмктур, что свидетельствует о высоком !!рофессионализмс соискателя. Результаты работы достаточно широко апробирован!ы на международных конференциях, отражены более чем в десятке опубликованных работ.

! чи! ак). 'пО '! сма„рассматри1)асмая Б диссср!ации, !1ктуальнг1. а 11олу чс1Н !ь . в ней новыс рсзу)!ы аты имею.г важ!Н)с научное и практическое зна"!сни .. Работа отвечает требованиям, прсдьявляечым к кандидатским дисссртацияч, а се авюр Рочан Ллександрови ! Милованов несочнс!шо заеду)кивас! присуждению ему ученой степени кандидага технических наук ио специальности: 05.27.0б «Техно) !о!.Ня и оборудование для цроизво тства полупроводников, материалов и приборов электронной техники». доктор физико-математических наук, 1!рог!)Сссор. зам.

ЗаВсдую!Цс!'О кафе,'1!)о!й вакуумной электроники МФ ГИ. Щсщ!!1ТЦ. в1 сний 11авлович 11одпись 1.",!1.11!Сц!Ина заверяю '"й~ф58 ° ~~~"' ФИСН 11! Сш ин 1'вгений ! 1авло вы ~",.";,'"„,'-,,ь"."Ч Учс!!ая с'! спснь: дОк! Ор физико-маъф3бф ичсст))ф'4!аук Специальность: 01.04.07 11очтовый адрес: 14! 700, Московская обл., Долгопрудный, Институтский пер.9, МФТИ, Кафе,!ра вакуумной электроники '! слефон: +7!495! 40!) 59 44 Лдрсс '):1ск тронной но'г!'и; ВЬевЬ1п.е,'й!н! 1.гг1 Наименование ор)-анизацни: Московской физико-гехничсский институт !госу тарствсш 1ый унивсрситс ! ! Должносты профессор .