Отзыв на автореферат Рахимов (Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди)

отзыв на автореферат диссертационной работы Р.А. Милованова на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» по теме: «Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди» Диссертационная работа Р.А. Милованова посвящена исследованию технологических основ и разработке методик послойного травления кристаллов интегральных схем (ИС) с системой межсоединений на основе меди для повышения процента выхода годных в производстве ИС и при разработке новых ИС.

Актуальность работы заключается в необходимости выполнения послойного препарирования кристаллов ИС на этапе их анализа отказов, в то время как для кристаллов с системой межсоединений на основе меди серьезные исследования отсутствуют. Для достижения поставленной в работе цели были решены следующие основные задачи: -обобщены структурные особенности топологических слоев кристаллов с системой межсоединений на основе меди; - проанализированы существующие методы послойного препарирования кристаллов ИС с системой межсоединеннй на основе алюминия; - исследованы процессы селективного к диффузионно-барьерному слою (ДБС) жидкостного травления (ЖТ) медных проводников системы межсоединений кристаллов, проанализированы их особенности и разработаны соответствующие методики; - исследованы процессы селективного к ДБС вакуумно-плазменного травления (ВПТ) медных проводников системы межсоединений кристаллов, проанализированы их особенности и разработаны соответствующие методики; - усовершенствована технология послойного препарирования кристаллов ИС с системой межсоединений на основе меди за счет включения в состав методик селективного к ДБС травления медных проводников; -проведена апробация разработанных методик послойного препарирования кристаллов ИС с системой межсоединений на основе меди.

В работе получен ряд новых научных результатов: - впервые показано, что при жидкостном травлении меди, применение аммиачного комплекса двухвалентной меди (П), выступающего одновременно окислителем и комплексообразователем одновалентной меди (1), позволяет селективно к ДБС из тантала удалять медные проводники системы межсоединений кристаллов ИС; - установлено„что при жидкостном травлении меди в смеси соляной кислоты и перекиси водорода увеличение концентрации Н О до 1;4 приводит к протеканию процесса травления через две стадии: образования нерастворимой пленки монохлорида меди на поверхности и последующим доокислением СиС! до растворимого СиС1~, что позволяет равномерно и селективно к ДБС удалять медные проводники системы межсоединений кристаллов ИС; - впервые продемонстрирована возможность селективного к 1оь-1 диэлектрику типа ЯОСН ВПТ медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС при температуре образца 280'С за счет термодесорбцин галогенидов меди при понижении давления в реакторе до -0,25 Па и применении плазмообразующего газа НВг; - впервые продемонстрирована возможность селективного к ДБС ВПТ медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС при температуре образца 280'С за счет термодесорбции галогенидов меди при понижении давления в реакторе до -0,25 Па и применении плазмообразующего газа ВС1з, - впервые показана возможность снижения температуры селективного к ДБС ВПТ медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС в смеси ВС1з/Аг до 100'С за счет увеличения физической компоненты процесса в результате добавки к плазмообразующему газу аргона; - показана потенциальная возможность понижения температуры селективного к ДБС удаления медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС до -20'С за счет использования циклического процесса, включающего этапы ВПТ и ЖТ.

Результаты исследований могут быть использованы для анализа отказов кристаллов ИС с системой межсоединений на основе меди с целью повышения процента выхода годных, а также при исследовании зарубежных ИС. Результаты работы опубликованы в научных журналах, включенных в список ВАК, и прошли апробацию на международных научных конференциях. На основании автореферата и опубликованных работ диссертанта, а также по актуальности и новизне полученных результатов, их прикладной значимости и объему проведенных исследований можно заключить, что работа удовлетворяет требованиям, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор Р.А. Милованов заслуживает присвоения ученой степени кандидата технических наук по специальности «Технология и оборудование, для производства полупроводников, материалов и приборов электро~ной техники».

/ l' Доктор физ.-мат. наук, профессор,;,, ' ~,' А. 1'.Рахимов / Подпись А.Т.Рахимова заверяю.,',' ~;:;.,";:..::,.; -;,~ у .