Отзыв на автореферат Бумагин (Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди)

ОТЗЫВ на автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Милованова Рома>и Александровича ><Технологические основы и ме.ьоднки пос>!ойноь.о тр»вс!енин криста;)лов ннгегральнык схем с системой межеоединений 1>а основе меди» Диссертационная работа Ми:н)ванова РЛ. посвя>цена технологическим основам и Мстоднхак! ПОС;Н>йНОГО ПрснарнрОВапня Крне>ссщоа И>ПС!раЛЬНЫХ СХЕМ !ИС1, В КОТОРЫХ В качестве материала межсосдинсний используется мель. Клн)чевым момен!ом работы являе!ся формулирование мс!Опик сесшкзнв>нно по о!!!Ошения к диффузно-барьерным слоям !ДВС ! на основе тантала !равления медных проводников, Представленная работа ЯВЛЯС >СЯ ВажНЫМ.

ИКТсн1ЛЬНЫМ И СВОСВ!РЕМ!Л!НЫМ ИСС!!СДОВЯНИСМ. Для селективного травления мели по огношению к ДЬС в работе впервые предложено использовать метод жидкостного травления 1Ж!') раствором на основе аммиачного комплекса двухвалентной меди. и вакуумно-плазменно!.о травления 1ВГГГ> при различных температурах с вары!роваписм химических и физических характеристик процесса. а >акже сочезанис мс)О,>ои Ж! и ИП.

Па основе данных методик было пред:южено проведение циклических процессов. вклк)чающих т>апы ВПТ и ЖТ. позволяющих проводить удаление медных проводников селективно к ДБС даже при комнатной температуре, 'г>0 сущссзвснно умецьщасз требования к необходимому лля послойного травлсиия крис>а)шов оборулованшо. В 1х1мках нролслан>юй ра>)0 ! ы были выЯ>шены зна'>и!е:>ьные нв достатки стществм>о>цих моголов у,'1а:!спин мсжсо!.дипспий на Основе мсдп, такие неравномерность травления. не!юс>ояпшво скорости процесса травления и адсорбция галшенпдов мели на поверхнос!и крис>ал.юв ИС. Пок!Тзана возможность устранения дшщых недоста>ков за счет и !Ящнси!я сос>ав» травящсго раствора.

оптимизации процессов В1П н увеличения физической сосшвляюп>сй процессов ИГГ. Судя по автореферату. ко:шчес >ну и содержанию публикаций. соискателем ш,щолнсн очень большой объем >ксперимснтальной работы. Важно отмет>г!ь, что в 1!в!Орсфсра>с четко изложень! Ис >олька обпщя цель работы, по и досп!!опю подробно оооснованы все )тапы прове,!снн>,!х )кспсримщпов. Выводы рао01ы с!1>орк!>з>нрованы четко.

лО!'И~ни) и нс в!я'пиван)!' >д)м>щннй. Оиуоликовш!Иьье по т>.мс лисс> рташ!и р>>боты до!."111>оч1ю по:1но Озральа>от !.с сс>,.!Ср)канис. По рабо>е имеется следующие !амсчания: Ведчций научный сотрудник Химического факультета М! «У гя /,." ' 4.-ф~~ „~ 'Г 1!.А. Ьумгнпн им. М33. !!Омоносова. длин,. профессор е-!зза!1: Ь~п)й 1!й1'ОГис11свиз18!,ГИ тел. 8 (495) 939-13-83 1.

Не совсем понятно, почему авгор экстрагГолирует применив!ость разработанных на примере кристаллов с топо!ни ическими нормами 90 и б5 нм методик травления меди на кристгьзг!ь! с меиыпими тоиоло! нческнми нормами, вплоть до 22 нм. Не проведена чис!1енная оценка с!".ЛекГивности к ДБС раз)эаооганных методик травления проводников кристтепов ИС' с системой межсоединений на основе меди.

Указанныс недостатки не влия101 на 015нпмк! Но:!Ожигельнук1 ОНСН1су диссерта!!Ии. Работа по новизне. акту!Кп ности и обьсму соответствует требованиям ВА82 иредьявляемым к кандидатским диссертациям. а ее автор. Милованов Роман Александрович. заслуживает присуждения степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 «'1'ехнология и Оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов злек1.роииой !Схнпки». .