Список публикаций ведущей организации (Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди)

Научные публикации (статьи) ОАО «НПП «Пульсар»

за 2011-2015 года.

1. Многоцелевой синтез мощного транзистора каскада [Текст] / Аронов В.Л., Григорян Р.М., Евстигнеев А.А., Коренков И.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С.3-18.

2. Релаксационные эффекты в полевых датчика Холла при воздействии импульса ионизирующего облучения [Текст] / Громов Д.В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М., Скоробогатов П.К.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С.19-26

3. МИС 10 Вт ограничителя СВЧ мощности на GaAs p-i-n диодах [Текст] / Аболдуев И.М., Вальд-Перлов В.М., Вейц В.В., Гарбер Г.З.,Герасимов А.О., Зубков А.М., Иванов К.А., Красильников В.Д.Миннебаев В.М., Черных А.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С.27-35

4. Оценка апараметров модели многозарядного быстродействующего аналого-цифрового преобразователя, использующего метод предсказания [Текст] / Волков И.В., Румянцев С.В., Фокин Ю.М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С.36-44.

5. Матричный КМОП мультиплексор формата 640х512 ячеек для гибридных фото приёмных устройств [Текст] / Бородин Д.В., Осипов Ю.В., Васильев В.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С. 45-50

6. Применение методов химического осаждения тонких слоев из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,25-0,018 мкм. Часть 2. Аппаратура и методология осаждения слоев [Текст] / Васильев В.Ю.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С. 51-66

7. Твердотельный генератор шума Х-диапазона с высоким уровнем СПМШ[Текст] / Аболдуев И.М. Вепринцев К.С., Герасимов А.О., Миннебаев В.М .// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С. 67-71

8. Модулятор питания для Gan СВЧ усилителя мощности [Текст] / Борисов О.В., Глыбин А.А., Ивко А.М., Колковский Ю.В.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С. 71-73

9. Восьмиканальный мощный передающий модуль S-диапазона [Текст] / Евстигнеев А.С., Евстигнеев Д.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С. 74-80

10. Твердотельный нитридгаллиевый 500-ваттный импульсный усилитель мощности Х-диапазона [Текст] / Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Миннебаев В.М., Глыбин А.А., Иванов К.А., Мещярекова К.С. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С. 83-88.

11. Программно- аппаратная платформа автоматизированного измерения параметров электронных модулей и полупроводниковых приборов [Текст] / Леонидов В.В., Гуляев И.Б., Колчин Г.С. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.1. ¬– С. 89-97.

12. Динамика развития отечественных мощных кремниевых полевых ВЧ и СВЧ МОП транзисторов [Текст] / Бачурин В.В., Васильев А.Г., Крымко М.М.. Сопов О.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 3-15.

13. Методика функциональной верификации цифровых устройств [Текст] / Деменкова Т.А., Певцов Е.Ф., стотланд И.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 16-23.

14. Применение методов химического осаждения тонких слове из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть3. Аппаратура и методология осаждения слоев [Текст] / Васильев В.Ю.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 24-37

15. Методики моделирования и оптимизации электрических характеристик выходного ПЗС – регистра со скрытым каналом [Текст] / Пугачев А.А., Певцов Е.Ф., Рябев А.Н..//Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 37-44.

16. Поведенческое моделирование мощного СВЧ усилительного каскада с полевым транзистором [Текст] / Аронов В.Л.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 44-52.

17. Особенности использования самосовмещения в комплементарной биполярной технологии [Текст] / Аронов В.Л.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 53-58.

18. Способ восстановления пороговых напряжений СВЧ кремниевых полевых транзисторных структур после воздействия плазменных обработок [Текст] / Бородкин И.И., Асессоров В.В., Кожевников В.А.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 59-63.

19. 128-канальный мультиплексор с индивидуальной компенсацией темнового тока чувствительных элементов [Текст] / Бородин Д.В., Осипов Ю.В., Давыдов А.Х., Васильев В.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 64-69.

20. Влияние y-обучения на электрические параметры границы разделы кремний-сапфир в КНС – структурах [Текст] / Енишерлова К.Л., Горячев в.Г., Шоболов Е.Л. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 70-80.

21. Конструктивные материалы с высокой теплопроводностью для теплоотводов в изделиях электронной техники [Текст] / Сидоров В.А., Катаев С.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 81-90.

22. Резонансно-туннельный диод для устройств формирования, преобразования и генерации сигналов СВЧ и КВЧ диапазонов частот [Текст] / Дорофеев А.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 91-95.

23. Фотоэлектронике «Пульсара»- 40 лет! [Текст] / Васильев А.Г., Скрылев А.С., Константинов П.Б. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 96-103.

24. Состояние и перспективы развития КВЧ интегральных схем класса «система на кристалле» [Текст] / Будяков А.С., Котельницкий А.В., Шишкунова Е.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 104-113.

25. Четырехканальный приемник Х-диапазона на GaN и SiGe микросхемах Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2011. ¬– Вып.2. ¬– С. 114-120.

26. Применение методов химического осаждения тонких слоев из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35- 0,18 мкм. Часть 4. Обобщенная методология анализа закономерностей процессов роста тонких слоев [Текст] / В.Ю. Васильев // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬– 2012. - Вып.1. – С.9-19.

27. Импульсивный усилитель мощности Х – диапазона на GaN СВЧ транзисторах: опыт изготовления [Текст] / А.О. Герасимов, В.М. Миннебаев, А.В. Редька, В.Ф. Синкевич // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. -– Вып.1. ¬– С.30 ¬–37.

28. Перспективы использования резонансно – туннельных диодов в субгармонических смесителях радиоаппаратуры [Текст] / С.В. Аверин, Н.В. Алкеев, Н.Б. Гладышева, А.А. Дорофеев // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.1. ¬– С.38 ¬–43

29. СВЧ ограничитель мощности диапазона 0-12 ГГц на арсениде галлия [Текст] / Н.О. Волиянский, А.И. Ли, С.И. Толстолуцкий, А.А. Фролова // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.1. ¬– С.44 ¬–47. Импульсный режим работы мощных СВЧ гетеро- полевых AlGaN/GaN транзисторов [Текст] / И.М. Аболдуев, Г.З. Гарбер, А.М. Зубков, К.А. Иванов, Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев, А.В. Редька, А.В. Ушаков Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.1. ¬– С.48 ¬–53

30. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний МОП интегральных схем [Текст] / В.К. Чжон // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.1. ¬– С.54 ¬–56.

31. Способ определения излучательной способности поверхности полупроводниковых приборов [Текст] / Н.Л. Евдокимов, В.С. Ежов, С.В. Иванов, В.Ф. Минин, В.Ф. Синкевич // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.1. ¬– С.57 ¬–63. Фотоэлектронике «Пульсар» - 40 лет! [Текст] / А.Г. Васильев, П.Б. Константинов, А.С. Скрылев // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. -– Вып.1. ¬– С.64 ¬–74.

32. Динамика развития микрорельефа поверхности поликремниевой пленки в процессе ее термического окисления [Текст] / Г.В. Перов // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.1. ¬– С.75 ¬–81

33. GaN мощные СВЧ транзисторы из полиалмаза [Текст] / К.А. Иванов, В.А. Курмачев, А.Л. Филатов // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.1. ¬– С.82 ¬–85.

34. Моделирование тепловых режимов мощных GaN СВЧ транзисторов [Текст] / А.А. Глыбин, К.А. Иванов, В.А. Курмачев, А.Л. Филатов // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.1. ¬– С.86 ¬–89.

35. Разроботка энергоэффективного светильника на основе наногетероструктур InGaN/GaN/AlGaN [Текст] / Н.И. Каргин, А.М. Коновалов, А.Л.Кузнецов, А.А. Макаров, А.Ю. Павлов, Р.В. Рыжук // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.1. ¬– С.90 ¬–94.

36. Высокотемпературный фотополимер в технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов [Текст] / В.И. Диковский // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.1. ¬– С.95 ¬–96.

37. GaAs СВЧ МИС двухпозиционного коммутатора в SО-8 пластиковом корпусе [Текст] / В.С. Арыков, О.А. Дедкова, А.С. Кривчук, А.М. Ющенко // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.3 ¬–8.

38. Моделирование тепловой режимной неустойчивости в структуре мощного СВЧ биполярного транзистора в существенно нелинейном режиме [Текст] / В.Л. Аронов, Д.А. Евстигнеев, И.В. Коренков // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.9 ¬–17.

39. Метод снижения вероятности электрического пробоя GaN СВЧ транзисторов при работе в режиме максимальной выходной мощности [Текст] / А.А. Глыбин, В.А. Курмачев, В.Ф. Синкевич // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.18 ¬–21.

40. Опыт использования Microsoft Excel при математическом моделировании СВЧ транзисторов [Текст] / Г.З. Гарбер // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.22 ¬–27.

41. Исследование деградации параметров интегральных микросхем операционных усилителей при воздействии ионизирующего излучения космического пространства [Текст] / Р.Н. Виноградов, Э.Н. Вологдин, П.А. Дюканов, С.В. Корнеев, Е.М. Савченко, Д.С. Смирнов // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.28 ¬–33.

42. Температурная нестабильность параметров СВЧ сигнала в GaN СВЧ транзисторах [Текст] / А.А. Глыбин, Ю.В. Колковский, А.Л. Филатов // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.35 ¬–36.

43. Определение излучательной способности поверхности полупроводниковых приборов методом отражения [Текст] / Н.Л. Евдокимова, В.С. Ежов, В.Ф. Минин // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.37 ¬–41.

44. Оптимизация мощных СВЧ генераторов, стабилизированных диэлектрическими резонаторами, по критерию максимума стабильности частоты и фазы [Текст] / А.А. Глыбин, Ю.В. Колковский, А.П. Карацуба // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.42 ¬–76.

45. Исследование и устранение причин брака при производстве мощных кремниевых PIN диодов [Текст] / А.С. Дренин, Т.П. Колмакова, М.В. Меженный, Е.С. Роговский, М.Ю. Филатов // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.77 ¬–86.

46. . Автоматизированная аппаратура для измерения сопротивления полупроводниковых слоев и металлических пленок [Текст] / И.М. Анфимов // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. -– Вып.2. ¬– С.87 ¬–92

47. Перспектива повышения выходной мощности в мощных СВЧ кремниевых биполярных транзисторах при использовании высокотемпературного фотополимера [Текст] / В.И. Диковский, П.В. Таран // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.93 ¬–96.

48. Программируемый генератор тестовых последовательностей [Текст] / П.А. Горбоконенко, К.А. Зинис, Е.Ф. Певцов, В.В. Чернокожин // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2012. ¬– Вып.2. ¬– С.97¬–103.

49. Параметры алмазных полевых транзисторов, необходимых для работы в усилителях ГГц диапазона [Текст] / Зяблюк К.Н., Концевой Ю.А., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.3¬–9.

50. Проектирование с помощью моделированию на ЭВМ СВЧ мощных полевых транзисторов на основе алмаза [Текст] / Гарбер Г.З., Дорофеев А.А., Зубков а.М., Иванов К.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.9¬–16.

51. Процесс осаждения пленок аморфного кремния, интегрированный в технологию многоуровневой металлизации КМОП БИС [Текст] / Бабкин С.И., Трохин А.С., Новослелов А.С.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.17¬–21.

52. GaAs диод с барьером Шоттки для твердотельного генератора шума Х-диапазона [Текст] / Аболдуев И.М. вейц В.В., Гарбер Г.З., Евграфов А.Ю., Зубков А.М. //.Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.22¬–25

53. Механизм работы электронно-чувствительной ПЗС-матрицы – элемента электронно- оптического преобразователя [Текст] / Константинов П.Б., Костюков е.В., Скрылев А.С., чернокожин В.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.26 ¬–30.

54. Фазостобитльный 200-ватный GaN усилитель мощности Х-диапазона [Текст] / Борисов О.В., Иванов К.А., Колковский Ю.В., Миннебаев В.М. Редька Ал.В., Ушаков А.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.31 ¬36

55. Возможности и ограничения TRENCN МОП структур [Текст] / Корнеев С.В., Крымко М.М., Максимов А.Н. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.37 ¬41

56. Бесконтактный датчик тока с повышенной надежностью в экстремальных условиях эксплуатации [Текст] / Бараночкин М.Л., Мордкович В.Н., Леонов А.В., Пажин Д.М., Ануфрин В.Н., Богатырев В.Н., Дымов Д.В. Павлюк М.И.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.42 ¬51

57. Анализ пространственного распределения радиационных дефектов при облучении кремния альфа-частицами радионуклидных источников [Текст] / Вологдин Э.Н., Гантман И.Я., Стдоров Д.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.52 ¬59.

58. Исследование электрических параметров твердотельных аппаратов защит и коммутации [Текст] / Крымко М.М., Корнеев С.В., Ростанин А.Н., Христьяновский А.Г., Шумков И.Е. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.60 ¬68.

59. Тепловой анализ полупроводниковых структур [Текст] / Евдокимова Н.Л., Ежов В.С., Минин В.Ф. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.69 ¬75.

60. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слове диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах Часть 1. Обзор состояния, направления и задач исследований [Текст] / Васильев В.Ю. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.76¬88.

61. Иридиевые контакты Шоттки для гетероструктур AlGaN/Gan [Текст] / Курмачев В.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.1. ¬– С.88¬90.

62. Эволюция МДП-нанотранзистора [Текст] / Орликовский А.А., Вьюрков в.В., Руденко К.В., Семенихин И.А., свинцов Д.А., Мяконьких А.В., Филиппов С.Н., Рогожин А.Е // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.2. ¬– С.3¬25.

63. Модельное исследование эффектов неравномерной работы многокристального СВЧ LDMOS транзистора в полосе частот [Текст] / Аронов В.Л., Романовский С.М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.2. ¬– С.26¬35.

64. Технологические особенности формирования омических контактов в системе Ni-Al-Ni-Au-nAlGan-GaN [Текст] / Енишерлова К.Л., Лютцау а.В., Сейдман Л.А., Темпер Э.М., Коновалов А.М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.2. ¬– С.35¬46.

65. Исследования в области поверхностных акустических волн в НИИ «Пульсар» [Текст] / Федорец В.Н., Колковский Ю.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.2. ¬– С.46¬52.

66. Тематическая трансформация НИИ «Пульсар» за прошедшие 60 лет [Текст] / Аронов В.Л., Евтигнеев А.С., Евстигнеев А.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.2. ¬– С.53¬58.

67. Моделирование вольт-амперных характеристик тонкопленочных сегнеттоэлектрических структур с отрицательной дифференциальной проводимостью [Текст] / Подгорный Ю.В., вишневский А.С., Воротилов К.А., Сигов А.С. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.2. ¬– С.59¬69.

68. Формирование времятоковой характеристики твердотельных аппаратов защиты и коммутации с микропроцессорной системой управления [Текст] / Крымко М.М., Корнеев С.В., Колчин Г.С., Леонидов В.В., Шумков И.Е. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.2. ¬– С.70¬74.

69. Получение пленок с низкой диалектрической проницаемостью методом химического осаждения из газовой фазы [Текст] / Серегин Д.С., Вишневский А.С., Воротилов К.А. Ланцев Ан.Н., Валеев А.С. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.2. ¬– С.75¬88.

70. СВЧ электроника на основе нитрида галлия – основное направление создания радиоэлектронных систем [Текст] / Груздов В.В., Колковский Ю.В., Миннебаев В.М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.2. ¬– С.88¬101.

71. Разработка КМОП фотоприемника видимого диапазона на базе отечественной технологии (краткое сообщение) [Текст] / Нестеров С.А., Бородин Д.В., Пугачев А.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2013. ¬– Вып.2. ¬– С.102¬104.

72. Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов [Текст] / Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.1. ¬– С.3¬19.

73. Проектирование симметрирующих устройств Маршанда для кремниевых монолитных интегральных схем миллиметрового диапазона волн [Текст] / Будяков А.С., Журавлева Л.В., Власов А.И., Аверьянихин А.Е.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.1. ¬– С.20¬28.

74. Исследование возможности использования кубической модели Куртиса для расчета мощных СВЧ усилителей на AlGaN полевых транзисторах [Текст] / Зубков А.М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.1. ¬– С.29¬34.

75. Использование теоремы Байеса для оценки показателей надежности электронной компонентой базы [Текст] / Батурин А.В., Григорьева Т.А., Лоскот А.И., Малинин В.Г. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.1. ¬– С.35¬40.

76. Верификация программного кода для расчета поля температур [Текст] / Иванов К.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.1. ¬– С.40¬43.

77. Эллипсометрический контроль процессов металлизации в технологии СВЧ транзисторов [Текст] / Гладышева Н.Б., Завадский Ю.И., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.1. ¬– С.44¬51.

78. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слове диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах Часть 2. Исследование роста слоев в условиях непрерывного напуска реагентов [Текст] / Васильев В.Ю. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2043. ¬– Вып.1. ¬– С.52¬63.

79. Исследование коррозионной устойчивости алюминиевой металлизации ИМС [Текст] / Александров О.В., Ковтун Е.С., Романов Н.М.. Семенов А.Е. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.1. ¬– С.63¬69.

80. Технология изготовления затвора с барьером Шоттки транзистора с вертикальной структурой [Текст] / Лисянский А.Н., Кожевников В.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.1. ¬– С.69¬75.

81. Формирование омических контактов в транзисторе с высокой подвижностью электронов с метафорным гетеропереходом на сонове арсенида галлия [Текст] / Каргин Н.И., Кузнецов А.Л., Сейдман Л.А., Чашкин Н.А., Шостаченко // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.1. ¬– С.75¬84.

82. Широкополосный 70-ваттный GaN усилитель мощности Х-диапазона [Текст] /Борисов О.В., Зубков А.М., Иванов К.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.2. ¬– С.4¬9.

83. Фоточувствительный матричный ПЗС с вертикальным антиблумингом [Текст] / Костюков Е.В., Маклаков А.М, Пугачев А.А., Поспелова М.А., Соколов С.В., Трунов С.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.2. ¬– С.10¬19.

84. Применение GaN устройств в условиях космического пространства [Текст] / Колковский Ю.В., Миннебаев В.М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.2. ¬– С.20¬25.

85. Учет воздействия нейтронного облучения на биполярные ИМС ОУ при их схемотехническом моделировании [Текст] / Вологдин Э.Н., Дюканов П.А., Синкевич В.Ф., Смирнов Д.С., сурков Г.П. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.2. ¬– С.27¬33.

86. Особенности фликкерного шума в квантово –размерных гетеронаноструктурах на основе GaAs [Текст] / Клюев А.В., Якимов А.В., Рыжкин М.И., лучников А.П., Болховская О.В // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.2. ¬– С.34¬41.

87. Архитектурные и схематические методы улучшения радиационно-чувствительных характеристик операционного усилителя класса LM124 для использования в космической аппаратуре[Текст] / Лебедев А.А., Комлева В.А., Яковлева Н.М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.2. ¬– С.42¬45.

88. Тонкопленочная структура для элемента программирования интегрированного в многоуровневую металлизацию КЬПО БИС [Текст] / Бабкин С.И., Новоселов А.С. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.2. ¬– С.47¬50.

89. Основные свойства, параметры и базовые схемы включения мультидифференциальных операционных усилителей с высокоимпедансным узлом [Текст] / Прокопенко Н.Н., Дворников О.В., Будяков П.С. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.2. ¬– С.51¬62.

90. Сегрегация наночастиц серебра в слоистых металл-полимерных гетероструктурных при термической обработке [Текст] / Лучников П.А., Рогачев А.А., Ярмоленко М.А., Лучников А.П. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.2. ¬– С.63¬73.

91. Исследование СВЧ параметров GaAS диода с барьером Шоттки для генератора шума в Х-диапазоне частот [Текст] / Аболдуев И.М., Вейц В.В., Евграфов А.Ю., Миннебаев В.М., Солтаханов С.У., Черных А.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.3. ¬– С.4¬9.

92. Конструкции и технологии изготовления современных микроммутационных модулей и тенденций их развития [Текст] / Каргин Н.И., ВолосовА.В., Миннебаев С.В. , Блинов П.И.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.3. ¬– С.10¬14.

93. Математическое моделирование как средство оценки прочности эквивалентной схемы СВЧ полевого транзистора [Текст] / Гарбер Г.З. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.3. ¬– С.15¬26.

94. МШУ входного криоблока многоканального приемника 8-мм диапазона для спектральных наблюдений [Текст] / Миннебаев В.М., Краснов В.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.3. ¬– С.27¬34.

95. Термическая устойчивость многослойных систем метализации для применения в полупроводниковых приборах [Текст] / Черных М.И., Велигура Г.А., Буслов В.А., Кожевников В.А., Цоцорин А.Н. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.3. ¬– С.35¬42.

96. Архитектура IP-блоков для вычисления преобразований Фурье [Текст] / Деменкова Т.А., Николаев С.А., Певцов Е.Ф. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.3. ¬– С.42¬50.

97. Оптимизация построения асинхронного сумматора [Текст] / Старых А.А., Ковалев А.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.3. ¬– С.51¬55.

98. Использование Байесовской оценки показателей надежности при испытаниях изделий электронной техники по схеме ступенчатого нагружения [Текст] / Батурин А.В., Лоскот А.И. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.3. ¬– С.56¬61.

99. Оптическое поглощения в эпитаксиальных структурных на основе lnAs при температурах 80 К и 300 К [Текст] / Комков О.С., Фирсов Д.Д., Ковалишина Е.А., Петров А.С.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2014. ¬– Вып.3. ¬– С.62¬64.

100. Интервью с А. Д. Степановым – ветераном Великой Отечественной войны // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.1. ¬– С.6-7.

101. Метод быстрой автоподстройки электронного Затвора ПЗC. [Текст] / Гусев М. Е. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.1. ¬– С.8-.12

102. Айнбунд М. Р., Алымов О. В., Андреева Е. Б., Васильев И. С.,

103. Гибридный высокочувствительный телевизионный прибор для УФ диапазона [Текст] / Левина Е. Е., Пашук А. В., Плахов С. А., Свищëв И. А.,Чернова О. В.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.1. ¬– С.13-.17

104. Температурная зависимость параметров СВЧ мощных

полевых транзисторов на основе нитрида галлия и алмаза [Текст] / Аболдуев И. М., Гарбер Г. З., Зубков А. М., Иванов К. А., Колковский Ю. В., Красильников В. Д., Миннебаев В.М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.1. ¬– С.18-.26.

1. Аналитическая тепловая структурная функция. Численное моделирование [Текст] / Евдокимова Н.Л., Ежов В.С., Иванов К.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.1. ¬– С.27-.36.

2. Определения излучающей способности прибора и температуры его саморазогрева в одном измерительном [Текст] / Евдокимова Н.Л., Ежов В.С. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.1. ¬– С.37-.40.

3. Оценка зависимости и числа отказов твердотельных СВЧ модулей от времени наработки [Текст] / Синкевич В.Ф., Телец А.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.1. ¬– С.41-.44.

4. Особенности БИКМОП микросхемы драйвера для интеллектуальных силовых модулей многофазных инверторов [Текст] / Шумков И. Е., Крымко М. М., Корнеев С. В., Ростанин А. Н., Христьяновский А. Г// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.1. ¬– С.45-.54.

5. Элемент программирования, интегрированный в многоуровневую металлизацию КМОП КНИ БИС [Текст] / Бабкин С. И., Новоселов А. С., Пресняков М. Ю. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.1. ¬– С.55-.60.

6. Теплоотводящие основания из алюмонитридной керамики с металлизированными отверстиями в базовых цепях для мощных транзисторов L-диапазона частот [Текст] / Катаев С. В., Сидоров В. А., Евстигнеев Д. А. . // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.1. ¬– С.62-.67.

7. Высоковольтный IGBT транзистор на основе Trench структур [Текст] / Краснов А. А., Максимов А. Н., Крымко М. М., Леготин С. А., Корнеев С. В., Мурашев В. Н., Коновалов М. П. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.6-.11.

8. Шестиканальный ППМ для АФАР X- диапазона: приемный тракт [Текст] /Герасимов А. О., Перевезенцев А. В., Шишков М. А., Шмаков Д. В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2-3. ¬– С.12-.20.

9. 112. Шестиканальный ППМ для АФАР X- диапазона: передающим тракт [Текст] / Иванов К. А., Осиповский А. А., Редька Ал. В., Редька Ан. В., Тихомиров А. В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.21-.32.

10. Быстродействующий приёмник оптических излучений [Текст] / Мурашев В. Н., Леготин С. А., Ельников Д. С., Кузьмина К. А.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.33-.37.

11. Цифровые телевизионные передатчики на электровакуумных приборах [Текст] / Загнетко М. А., Кукк К. И., Лопин М. И., Мишкин Т. А., Рыжов В. А., Сеченых А. М., Юнаков А. Н. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.38-.42.

12. Метод и алгоритм предварительной цифровой обработки изображений на основе однородных вычислительных структур [Текст] /.Василевский В. В., Михоленок А. Н. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.43-.48.

13. Устранение аномально больших ошибок измерения в пассивном многошкальном фазовом пеленгаторе [Текст] /. Челембий В. М., Бекишев Р. А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.49-.62.

14. Метод синтеза функциональных блоков комбинационных схем с использованием минтермов и макстермов [Текст] /. Старых А. А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.63-.69.

15. Моделирование влияния параметров буферного слоя на статические характеристики мощных СВЧ транзисторов с затвором Шоттки на основе карбида кремния [Текст] /.Черных М. И., Кожевников В. А., Цоцорин А. Н. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.70-.81.

16. Влияние тонкого слоя с повышенной концентрацией примеси на напряжение пробоя p-n перехода [Текст] /.Падеров В. П., Силкин Д. С. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.82-.88.

17. Определение рабочего диапазона неоднородности поверхности окисленного поликремния по распределению электрических полей в ультратонком диэлектрике в среде Sentaurus Tcad [Текст] /.Перов Г. В., Егоркин А. В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.89-.95.

18. Оптимизация режимов вжигания омических контактов к наногетероструктурам на основе арсенида галлия [Текст] /. Неженцев А. В., Земляков В. Е., Егоркин В. И., Гармаш В. И. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.96-.102.

19. Особенности получения силовых кремниевых приборов методом термомиграции [Текст] /. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Середин Б. М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.103-.115.

20. Дьяконица О. Ю., Миннебаев В. М. Электрофизические и магнитные свойства гексаферритных фаз системы SrO-CoO-Fe ₂О₃ и твёрдых растворов на их основе [Текст] /.Дьяконица О. Ю., Миннебаев В. М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.116-.120.

21. Модель системы размагничивания элементов из конструкционных сплавов на основе полупроводниковых MOSFET ключей [Текст] /.Гусев О.В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.2.-3. ¬– С.121-.128.

22. .СВЧ ключ с контактами с ëмкостной связью на AlGaN/GaN гетероструктурах [Текст] /.Адонин А. С., Евграфов А. Ю., Миннебаев В. М., Перевезенцев А. В., Черных А. В., Мяконьких А. В., Рогожин А. Е., Руденко К. В // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.4. ¬– С.6-.14.

23. .SPST C 3 MOS переключатель с ëмкостной связью контактов на AlGaN/GaN гетероструктурах [Текст] /. Адонин А. С., Аболдуев И. М., Евграфов А. Ю., Миннебаев В. М., Перевезенцев А. В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.4. ¬– С.15-.21.

24. Моделирование взаимной индуктивности между внутренними проводниками в мощных СВЧ транзисторах [Текст] /. Аронов В. Л., Романовский С. М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.4. ¬– С.22-.29.

25. Специфика проявления внутренних взаимных индуктивностей в мощном СВЧ усилительном каскаде в существенно нелинейном режиме [Текст] /. Аронов В. Л., Романовский С. М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.4. ¬– С.30-.37.

26. Исследование системы металлизации Mo/Al/Mo/Au в качестве омического контакта к гетероструктурам AlGaN/GaN [Текст] /. Кондаков М. Н., Черных С. В., Гладышева Н. Б., Черных А. В., Дорофеев А. А., Диденко С. И., Щербачев К. Д., Табачкова Н. Ю., Барышников Ф. М. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.4. ¬– С.38-.48.

27. Применение плëнок тугоплавких металлов в омических контактах к AlGaN/GaN гетероструктурам [Текст] /. Буробин В. А., Пищагин В. В., Коновалов А. М., Пашков М. В., Макаров А. А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.4. ¬– С.49-.57.

28. Диагностика дефектов ячеек энергонезависимой памяти методом зонда Кельвина [Текст] /. Лукичев В. Ф., Шиколенко Ю. Л., Нестеров С. И., Сергеев Е. В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.4. ¬– С.58-.61.

29. Метод и стенды для электротермотренировки твердотельных СВЧ модулей [Текст] /.Телец А. В., Фурсов С.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.4. ¬– С.62-.66.

30. Обзор и исследование возможных вариантов реализации сверхширокополосных аналоговых процессоров диапазона СВЧ с использованием методов и средств радиофотоники [Текст] /.Гамиловская А. В., Белоусов А. А., Дубровская А. А., Вольхин Ю. Н. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.5. ¬– С.6-.11.

31. Моделирование и оптимизация тепловых характеристик мембранной конструкции приёмника ИК-излучения [Текст] /. Аль-Натах Р. И. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.5. ¬– С.12-.21.

32. Cпецвычислитель для оперативной цифровой обработки изображений [Текст] /.Василевский В. В., Михоленок А. Н., Гусев М. Е // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.5. ¬– С.22-.26.

33. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоëв диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах.Часть 3. Опыт выращивания слоëв при последовательно импульсном режиме напуска реагентов [Текст] /.Васильев В. Ю. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.5. ¬– С.27-.41.

34. Исследование влияния термостабилизации пластины на равномерность процессов глубокого травления кремния для модернизации установки «МВУ ТМ Плазма 06» [Текст] /. Данила А. В., Долгополов В. М., Иракин П. А., Немировский В. Э., Одиноков В. В., Павлов Г. Я. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.5. ¬– С.42-.48.

35. Влияние поликремния и фосфоро-силикатных слоëв на радиационную чувствительность МОП-структур [Текст] /. Горячев В. Г., Чернокожин В. В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.5. ¬– С.49-.59.

36. Обеспечение надëжности радиоэлектронной аппаратуры на стадии производства и эксплуатации [Текст] /.Фурсов С. А., Киров А. В., Телец А. В. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.5. ¬– С.60-.64.

37. Оборудование для получения кремниевых структур методом термомиграции [Текст] /. Лозовский В. Н., Середин Б. М., Полухин А. С., Солодовник А. И. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. ¬–2015. ¬– Вып.5. ¬– С.65-.77.