Н.С. Зефиров - Химическая энциклопедия, том 5 (1110092), страница 109
Текст из файла (страница 109)
Ф.) нли голоурафич. светочувствит. материалов при двуклучевом жспонировании (голографиа). Вид Ф. характеризуется определенным типом применяемого фотографич. материала, аппаратурой и способоьг сьеыхи, дополнит. обработкой и методом считывания изображения (табл. 1). В Ф. при экспонировании на светочувствнт. слой материала ПРОЕЦИРУЮТ ЭЛЕхтРОМанз.
(НаПРа СастОВОЕ) ИЗЛУЧЕНИЕ, Отраженное от непрозрачного обьекта съемки (собственно Ф.) или прошедшее сиюзь прозрачный обьект (фотопечать). Свет, попиуж на микрохристюшы Акна1, взаимод. с ионаын На1, в результате чею образуются сноб. электрон и нейтральный атом галогена. Своб. электроны перемещаются в пределах мвхрокристелла до тех пор, пока не захватываются «ловушками» вЂ” дефектамн крнспшлич. решетки или посторонними випочснивми (ионами, атомами, молекулами), находящимися внутри или на пов-сти ыикрохристалла и нвз.
центрами светочувствительности. Обычнмй (нормальный) центр способен захватывать электроны тольхо из микрокристаллов АКНа), крупный, кроме того; из проявителя или др. обрабатывиощих р-ров без предварит. жспонировэния, т.е. онюпиется потенцнавным центром образования вуали. Ионы Айс, расположенные вблизи центров светочувствительности, пришгиваются к ним и восстэнавливаютса до нейтральных атомов В результате вокруг ловушки образуется уруппа атомов АЕ, формирующая элемент схоытого изображения.
Процесс формированиа центров скрытого и з о б р аж е н и я представ3ыет собой многократное повторение описанных выше элементарных актов образования элек- Зава сптгэаиааа Вза 4чееггафиа геввасзь, евкоааосэь, смгд(ч ам ~ 10'-10' газне' Пебзтезэавае а ага4чссаоавльнав лстгафоеззч(зи, ечеччч(юзчэв4эе Аэрофатогрвэт, зэстэ. Фвечзафт твог.
Фатщэвфц~ газогэвыи зо-юа 1 ее-200 300-700 зсо-1100 !сэ-гсэ все-900 50-200 ло эссо зоа-эсо зсо-ыао С о л я р и з а ц на — снижение оптич. плгпности изображения при экспозиции (плотности энергии оптич. излучении), превышающей нек-рос критич. значение.
При чрезмерно больших экспозициях фотолиз А8На! продолжаетса и после образования центров скрытого изображения с выделением избыточного кол-аа А8 и газообразного галогена Желатин, примыкающий в слое фотографнч. эмульсии к пов-сти микрокристюша, не поглощает всего кол-ва галогена; его избыток взаимод. с А8, вновь образуя галогенид, х-рый препатствует контакту проявителя с центрами скрытого изображения. В результате этого плотность оптич, изобрюкения н, следовательно, светочувсгвительность снюкаютса.
Явление невзаимозаместимостн — отклонение от закона взанмозаместимости Бунзена — Росло, согласно х-рому общаа экспозиция Н=егтсолзг, ще Š— освещенность, г — выдержка. В Ф, этот захон соблюдается только при малых выдержках (до 50-100 мкс) и комнатной т-ре. При увеличении выдержки до нссх. секунд светочувствительность растет, при дальнейшем увеличении — убывает. Причины отклонениа от закона связаны с особенносгами механизма образованна скрытого изображения: время рекомбинации электрона с подвижными ионами А8+ составляет при хомнзт- 329 трона из иона НаГ и захвата его Ах'. Для образованна центра скрытою изображения микрохристалл А8На1 должен поглотить минимум 4 кванта света, в сравныв — 10 — 20 и более квантов. В зависимости от числа атомов А8, находащихся в центрах скрытого изображения, последние подрюделзются на неустойчивые (самораспадающнеся), устойчивые (субценгры) и центры, способные в дальнейшем проявлаться (центры проявления).
Прн фотографич. проявлении происхошп перенос электронов от восстановителя, входащего в состав проявляющего р-ра, к центрам пргивления. Последние обычно содержат такое кол-во атомов А8, х.-рос достаточно длв хаталитич. усхорения р-цнн восстановлениа А8На1 до А8 (см. Проявление фотоврагричвслого иэображения). Из-за хаталитич. действия Адв участки фотографич. слоя, получиипие ббльшую экспозицию, проявляются бйстрее, чем менее эхспонированные участки. О закреплении вюуализированного проявлением схрытого изображения см. Фиксирование 4ютографвчвсвого иэсбралгвнил.
Фотографич, процессы оценивают, используя сенситометрич. (свегочувствительность, спектральная чувствительность, оптич. плотность, контрастность, фотогра . широта) и структурнорсахостным (разрешаюшаа способность, резкость, гранулврносгь, частотно-контрастиаа харжтерисгика) параметры фотоматериалов (см. Фотографичесюзв мтввриалы и табл. 2). Кроме св-в фотоматериала и условий их обработки необходимо учитывать также и нек-рые т.
наз. фотография. и температурные эффекты. К первым относят соляриющпо, явление невзаимозаместимости экспозьщин и выдержки и юпгяние выдержки нв скорость проявления, ко вгорым— разрушение скрытого изображения при воздействии тегшового излучения или длит. хранении эхспонир. материала.
т аз з. з, — тгевовАВня к хагажгеРиотихам оветОчуВстВиткдьньгх пдоеж дшг Раздичцых видов ФОТОГРАФии ФОТОГРАФИЯ 169 ной т-ре ок. 10 э с, и образование атомов или групп атомов А8 происходит уже после прекращения экспонирования; поэтому при более коротких вьщержхах рекомбинации не происходит и, следовательно, чувствительность не зависит от издержки, меньшей 10-' с. При увеличении выдержки рекомбинация частично происходит до окончания экспонирования, в результате чего рост центров скрытого изображения происходит преим. на пов-сти михрохристаллов и в относительно небольшом числе мест, т.
е. образуются крупные центры, обладзаяпне значит. каталипвч. действием по огношению к восстановлению серебра проявителем, что приводит к увеличению светочувствительности. При дальнейшем увеличении выдержки схоросгь образования сноб. электронов за счет фотоэффекта уменьшается, отдельные ахти поглощенна квантов (при той же экспозиции) ствновзтса более редкими, хотя общее число квантов не изменяется.
При этом одиночные атомы А8 преврицаютсз в ион А8' и сноб. электрон еще до того, как образуется след. элехтрон и возникнет возможность роста центра светочувствительности. В результате образование крупных центров замедлается и светочувствнтельносзь уменыпается. Влиание выдержки прн равных экспозиц ил х на гжорость проявления определяется т, нвз. эффектом Квбанна — Гофииню чем больше вьщержха г (т. е. чем ниже освещенность Е), тем выше скорость проввления скрытого изображения.
Ясли при слабой освещенности игомы фотолнтич. серебра сосредоточены гл. обр. на крупных центрах скрытого юображениа, то при сильной образуются пренм. малые центры, возникающие хак на пов-сти, тах'и внутри микрокристалла, т.е. при проюиении работает только часть хаждого центра и скорость проявления замедлается. Под действием длинноволнового (в т.ч. теплового) излучение очень часто происходит фотоалектрич.
разрушение ценгров скрытого изображения (эффект Гершеля) с уменьшением оптич. плотности проэкспонированного эпгм излучением участка. Эффект обьасняется разрушением поверхностных ценгров в результате вырывания нз них алею ронов прн поглощении квантов ИК излучения и, как следствие, отделения от этих центров ионов серебра (т.
е. уменьшение размеров центров схрытого изображениа). Фотоэлектрич. (юзрушение скрытою изображения происходит по р-ции, об ной его образованию. Г егрессия скрытого изображения — частичное или полное разрушение изображения, происходящее при длит. хранении акспоннрованного непроявленного фотоматериала под дейсгвием влаги, т-ры, химически ырессивных примесей воздуха (следы нзЗ, хнз бсч, щелочей), механизм регрессии аналогичен механизму эффекта Гершеля, но более интенсивен вследствие хим. взаимодейсгвиа; результат — существенное снижение оптич. плотности. Развитие Ф.
на галогеносерсбраных материалах определяется гл. обр. перехгщом к контролируемым способам получения эмульсий и фотоматериалов. К нанб. пеоспективным разработкам относятся способы конгролируемои эмульсификации (см. Фотографические эмульсии). Эти способы позволяют получать, напр., плоские микрокристаллы галогенида А8, микрокристаллы сложного строения заданной формы, огранки, галогенного состава и размера, а также микрокристаллы типа ядро — оболочка с регулируемым состююм по толщине оболочки или от оболочки к оболочке.
Св-за таких микрокристаллов обычно эффективно задают и регулируют в зависимости от области применения фотографич, эмульсии. Другое важное направление развития Ф.— разработка эфхпеных способов хим. н спектральной сенсибилизации оматериалов (см. Свлсибилиэачил олтичесюгл, Свнсибилиэияил фотоврагричвсхлх зиинвриалов). Первыи фотографич. процесс на галогеносеребраных слоях (дагерротипиа) был изобретен Л.
Дагерром в 1835. Разработке Ф. в ее совр. виде в значит. степени способспювали В. Фокс-Талбог, изобретатель негативно-позитивного процесса (1834), Ф. Скот-Арчер, сощатель мокрого фотографич. процесса на светочувсгвит. слоях из коллодия (1851), и 330 170 ФОТОИОНИЗАЦИЯ А. Рассел, разработавший процесс на сухих желатиновых слоях (1864). Важный вклад в развитие классич. фотографии внесло открытие Г. Фогелем в 1837 спектральной сенснбнлизации. Лен.: Чнбнеее К.В., Обнес фесмрефн», М., 1984; ЧнбнсоеК.В« ШсберстоеВ.И., Сеунннн А.А., Фессера(см с арманом,неоснмнсм н буду«нем, М., 1988 Аж Сеун«он ФОТОИОИИЗАПИЯ, иониэацив молекул и атомов под действием света. Однократная Ф, невозбужденной нейтральной молекулы М фотонами с энерпеей Е = Ьч (Ь вЂ” постоянная Планка, т — частота излучения) приводит к образованию катион-радикала М' с энерпеей возбуждения Е(М') н сноб.
электрона (фотоэлектрона) с кинетич. энергией 8=Е- — Е(М') — 1,(М), ще 1,(М) — энерпв ионизации, соответствующая первому алиабатич, ловенциалу иениэации. Если энерпв возбуждения Е(М') превышает энергию активации мономол. распада, ион М' диссоциирует на заряженный А' и нейтральный В фрагменты (диссоциативная Ф.). Ф. относится к первичным фотопроцессам; образующиеся под действием света катион-ралнхалы и электроны вступают во вторичные р-ции, к-рые приводят уже к конечным в-вам (см. Фавсхимичесхие рево(ии). Скорость Ф. у = олФ, где л — число молекул в обьеме у' ионизэции1 Ф вЂ” фотонный поток через этот обьем (число Ф" новас); о — коэфо называемый полным сечением . (величина порядка 1О'7 — 10 'е см').
Т.наз. парциальнос сечение Ф. определяет вероятность образования М' с определенной энерпгей возбуждения. Аналопгчно определюот сечение Ф, с образованием ионов олрелеленнопу типа— п(й'), электронов с заданной кинетнч. энергией а — о(8) и т. и. Зависимость о от Е имеет пороговый характер, т.е. о = 0 при Е< Ее. Пороговая энергия Ее диссоциативной Ф. выражается через энергии диссоциации П нли энтальпии абразования ДНобр; Ее —— 1,(М) е ))(А' — В) = 11(А — В)+ 1,(А) = = ДНО (А ) + ДНобр(В) — ДНем (М).
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
