Н.С. Зефиров - Химическая энциклопедия, том 4 (1110091), страница 317
Текст из файла (страница 317)
БЬ (в частности, ЯЬЯ, БМе1, БЬЯВг, обладающвх полупроводнвковыми, пироэлехтрич. и др. св-вами). Пентабромид БЬВгв существует в виде адлухтов, напр. ЗЬВгх О(С,Нх)„пеитаиодид-красные кристаллы с т.пл. 79'С, т. квн. 40! 'С. Известны также оксигалогениды БЬОХ и дро халькогалогевиды ЗЬУХ (х'= Яе, Я, Ре, Х = О, Вг, 1), смешанные галогениды, фтороантимонаты, хлороалтимонаты и др. комплексные С. г. ПДК хлоридов и фторидов ЯЬ(П1, У) 0,3 мг/м'.
л.э. р СУРЬМЙ ОКСИДЫ. Сесквноксид ьоксид ЗЬ(П1)] ЯЬ,Озбесцв. кристаллы (см, табл.), существует в а- (минерал валевтиннт) н б-формах (мннерал сенармовтвт); прахтически не раств. в воде. Устойчивая форма в газовой фазе— димер ЗЬеОс, образуетса при горении нли обжиге сульфидных руд сурьмы на воздухе. БЬ,О, получают конденсацией паров ЗЬсОе.
Он м. б. получен также прокалнванием гвдроксида БЬ(ОН)„к-рый выделяется в виде геля при гидро. лизе галогенидов ЯЬ(П1). При обработке ЗЬ(ОН), щелочью образуется соль очень слабой (К 10 ") метасурьмяннстой к-ты-антимона т(1П), напр, КБЬО . Автимонат К хорошо раста. в воде, в отличие от Ь(аЗЬО2, выпадающего из р-ра в виде кристаллогидрата ЫаЯЬО2 ЗН;О. Окснд сурьмы(Ч) ЯЬ,О,-желтые кристалльц практически не растворяются в воде; получают окислением БЬзО, кислородом под давлением в песк. десятков МПа прн 700-900'С.
Гядролизом пентагалогенидов БЬ, действием Н)г(Оз на р-р К(ЯЬ(ОН)о] илп ионным обменом на катионите в Н-форме получают аморфный гидратированный БЬ,О,.дН,О, где л = 1 — 4, б и зависит от условий старения осадка. При его прокаливании при 380'С образуется тетрапшрат БЬхО, 4НхО-бесцв. кристаллы хубич. сннгонви типа пирохлора (а = 1,0384 нм, пространств. группа Рг)Звг); плоти. 4,27 г/см'.
С р-рами щелочей он образует антимонаты(У) — соли сурьмяной к-ты Н[БЬ(ОН)с], известной только в р-ре (К 4.10 е). Получен хорошо р-рвмый в воде антимонат К(БЬ(ОН) ], к-рый применяют в аналит. химии для обнаружения Ыа в виде На 1БЬ(ОН)о]. Безводные аитнмонаты(У) разл. металлов получают спекавием их оксидоа с БЬхО,. Их состав соответствует солям ортосурьмяной Н,БЬОс, пиросурьмяной НеБЬ2О„и метасурьмяной НБЬОв к-т, хотя существование самих к-т не установлено. При отжиге гидратировавного БЬ,Ох при 300 †5 С наряду с отщеплением воды выделяется О, и образуется оксид БЬ,Огм в к-ром соотношение БЬ(У): ЯЬ(Ш) = 2: 1.
Рго получают тавже прокаливанием смеси БЬ,Ов и БЬдО, лНхО при 500-750'С. Конечный продукт прокаливания БЬ,Ох.аНхО при т-рах выше 800'С вЂ” диоксид ЯЬхОс, нли БЬ,Ох.ЯЬ8Ох,-бесцв. кристаллы, существует в двух модификациях а (минерал сервантвг) и (3, Диоксш1 получают также длит. прокаливанисм смесей БЬ808 и БЬхОх.лН,О при т-рах выше 750'С.
В газовой фазе также обйаружей монооксид БЬО. Окснд Я(г(1Щ используют для получения ЯЬ высокой чистоты, как компонент оптнч. стехла и эмалей, вапошппель термостойких пластмасс, пигмент для красок, протраву и антипнрен для тканей. Оксцд БЬ(У) входвт в состав люминофоров для люминесцентиых ламп дневного света, его используют в текстильной и резиновой иром.сти, в произ-ве спец.
стекла, керамики, красок, лаков. Гидратированный ЯЬ О,-ионообменннк с высокой ионообменной емкостью и селективностью. Катализаторы на основе С.о. и антнмонагов(У) ряда металлов применяют для парциального окислеяия углеводозоодов. На пов-стн монокристаллич. полупроводников типа А "Вч (ОаЯЬ, 1пБЬ и др.) образуются тонкиепленки собств. оксидов, в состав к-рых входат С.о. и антимонаты(37) АЯЬО,„определяющие стабильность полупроводниковых структур.
С.о. токсичны, ПДК в воздухе рабочей зоны БЬ,Ов 1,0 мг/мз, БЬ О 2,0 мг/мх. 948 СУРЬМЫ 479 СВОВСТВА ОКСИДОВ СУРЬМЫ яь,о, я-зь,о, яь,о, яь,ом п-Яйэос (зе,о, Покемхель Псрммчры эммеитсрной ячсйкя: с, им... ° ° угол, грел... * Чнсло формульпьм спилил с ячейке.... ° . ° . ° Пр р 4.Ъу и.'...'.' Т-ре (иэанапг переходя, 'С . в., г/а *, С.,диямоль К). Ан,",„кпи/моль . а!ео Ди/(моль К) .. ° з,озвм 0,ММ длвю 1,! 76 1,2060 0,4834 0ЛЮЗ 104 0,4914 1,2468 0,5421 1,274 0,479 0,545 105,05 1,1152 4 Ро и 572' 5,67 11!,Ю -709,24 141,10 4 79T 3,80 117,69 -1008,18 125,19 4 рпи 5,62 -2806,83 4 Ринг 6,52 114,68 — иа,!г 127,28 в раэм бзбс 5,25 -720,76 Т рк полнморфваго перпюдп н И Ан перскодл 1340 кди/моль.
' Т ии, х кип. !456'С. ' Т рс илчклс Зиммисвии Лпмл Дэисько В.А., Кериеухон А. П., Терссонс Д.В., Фиимо.хвмвчеакм оснохы спвчсэе оминых клгссиэсгаран, Нопасиб., 1978; Гиднсгвронмгпыс осипла элемеиган 19 п Ч Чохах М., 1986. я. и. Ессмй. СУРЬМ)01 ХАЛЫСОГЕНЙДЫ, саед. БЬ с Б, Бе, Те. Наиб. важны сесквихальхогениды-саед. состава БЬхХх (табл. 1)-темно-серые кристаллы, практически нерастворимые в воде, орг. р-рителях, разлагаются НХОз, нарекай водкой. С.х. при нагр.
в вакууме сублвмнруются (БЬхбз и БЬхЯекопгруэнтно, ЯЬхТеэ-внконгруэнтно), состав йара сложен, ур-нне темпера.гурной зависимости давления пара над С.х.: 1йр (мм рт.сг.) = — А/7+В (значения коэф. А и В см. в табл. 2). С,х.-полупроводники, БЬэбэ и БЬхЯеэ имеют высокне значения р, фоточувсгвнтельны. При нагр. на воздухе окисляются до оксидов халькогенов и БЬ. При взанмод. С.х. с ЯЬНа1, образуются хальхогеигалогениды БЬХНа1, нек-рые вз ввх обладают сегнетоэлехтрич., фютозлектрнч. и полупроводниковыми св-вами.
Наиб. важен БЬЯ1-красные кристаллы; сегнетоэлевтрич. фаза ЯЬЯ кристаллизуется в ромбич. сингонни (при 6'С а =0,352 им, Ь= 1,012 им, с = 0,411 нм, - = 4, пространств. группа Рла2 ); т-ра перехода сегнетоэлехтрнк хх параэлектрнк ок. 18-22'С, Мн. металлы (напр., Ре) при нагр. вытесняют ЯЬ из ЗЬ,Бз. Р-пия БЬзбэ с Ре лежит в основе осадвт.
выплавки ЯЬ йз антнмоннтовых руд. БЬхБз раста. в р-рах сульфидов щелочных металлов с образованием М,БЬБэ н др. тноантимонатов(1П), эта р-пня леясит в основе гндромстнллургич. извлечения БЬ вз антимонвта. В р-рах полисулъфидов МхЗ„, где В Г, К Осн. компоненты пссьпд. Ирл Омдквснве Агрегсг(пм Л сасга яме 7340 8,433 6920 7,900 82Ю В,юе Ю)29 11,533 72Ю 8,41 3 НЮ 8',(Ю пв22 ю/и я(3, яь,я, яь я,* ' яья эвь Т«,Льтв яь,те„яьи яь, 753-813 845-1002 1049-1337 677-822 МЗ-Юо! 917-1101 679-8!9 яьэяэ Тмрдае Жидкое Жидкое Тссрдае Жпдкос Жидкое Т«мрдае яьэя э яь,тс, Тсбл. 1.-СВОЖТВА ХАЛЬКОГЕНИЕОВ СУРЬМЫ $ЪЯ! ЬЪТс яь,я, яь,те, Поккэлгель яьэясэ Ромбичд Ромбаэлрнч. Гексэгав.
Рамбич. Ромбич. 0,853 1,014 0, 09 4 Рлам 5 19 87,9 — 106,3 нг,б 1,0436 23,57 з язм 6,513 621,6 юв,во -56,72 246,6 93.О олю 2,390 6 Рз!и 6,55' 558' 1,! 633 1,!780 0,3985 4 РМм 1,12!9 1,!3!0 0.3839 4 Рыя 4.635 559.5 1гзо52 -157,8 181,7 79,1 5,843 617 125,06 -!г7,7 212,3 53,8 0,0062 (о,ю-о,зо) ю + (15-20) 0,0079 (0,25-0,5) 1О э «- (75-90) 0/М о,о!ао юз-ю' + 1200 1,2 0.0230 !оэ-10" 4! 000 1,6З 1,96(з.с) 1,84йс) П-45 4-15 29 ю 270-2Ю* ' Приливны мрувхурмм денные для плреинигрвч. фхэы ири 35 'С. ' Рмнчвомпа» илотюагм ' Имомруюхмх' я(ээтсэ пснесхсп хамловчмм Мниадиимнси 949 950 Снгвоипя Параметры хмместэрвой ячейки: а,пм.
Ь,нм. угол, Чьэд . Чвога фармульвгм ахяввл н ячейке . Пр р н, ру Плачи., г/смэ С, Ди/(моль К) . Ясин Ди/(маль К) . Теплопроводвасчь Вг/(см К) (25 С) . а, Ом см (25'С) ° коэф гермоэдс щм 25)С, ьиВ/Гвел. щврппс эепрсмслиой пхсы, эВ ° Подсмккасгь, амс/с мекгроиое дырок М-ХН„, Ха, К, л > 2, сульфид ЗЬ,З, раста. с образованием м зы,",'мзы,. /((пз С.х. характерно образование твердых р-ров, напр. БЬхТез „Бе„, ЯЬлВзэ „Яез и др. Теллурнд ЗЬгТеэ-иестехиомстрич.
соедс гранпПЫ Областя гомогенности, ат. % Те: 59,2-59,25 (4а)еС), 59,4-59,6 (500'С), 59„45 — 59,75 (550*С); вне области гомогенности стехиометрич. состав. Сульфид ЯЬДБ,-оранжево-красное аморфное в-во (может содержать свободную сару); плоти. 4,12 г/смэ; разлагается при нагр. в вахууме вьппе 120'С до ЗЬхБз и Я; практически не раста. в воде, легко раста, в р.рах щелочных сульфидов и полпсульфидов с образованием тиоантнмонатов((/) МБЬЯз, МэБЬБД, раста. в щелочах. Получен мало- устойчивый дисульфнд БЬхйс.
Табл. 2.-ЗНАЧЕНИИ КОЭФФИЦИЕНТОВ С и В И СОСТАВ ПАРА НАд ХАЛЬКОГКНИДАМИ Сз'РЬМЫ ю суспкнзии Теллурид БЬТе-кристаллы темно-серого цвета; имеет область гомогенности в пределах 40,9 — 53,8 ат. %о Те (500 — 540'С). Существует также течлурид ЯЬ с широкой областью гомогенности в пределах 17,3 — 36,9 ат. % Те (500-530'С) с гексагон.
решеткой. С. х. получают сплавлением простых в-в в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах, в иром-сти БЬлБ, (техн. назв. «крудум») — зейтерованием (разделение смеси на компоненты в результате различия в их т-рах плавления) из антимонитовых штуфных рул илн возгонкой в вакууме ш флотационных антимонитовых концентратов. Монокристаллы ЯЬлБ, выращивают осаждением из паровой фазы, монокристаллы БЬ,Тез, ЯЬаЯе,— из расплава по методу Брилчжмена.
Зонную перекрйсталлизацию используют как для очистки, так и для получения монокристаллов. Аморфный ЯЬкЯз (оранукевого цвета) осаждают из солянокислых р-ров соед. БЬ действием Н,Б. Сульфид БЬзЯ, в иром-сти получают обработкой ЯЬлБз р-ром ХаНБ йлй ХаОН в присут. Б с послед. разложенйем тиосолей разб. Н,БОе. Лаб. способ — разложение ХазБЬЯе соляной к-той. С.х. встречаются в природе в виде минералов -анти- монита (стибнит, сурьмяный блеск) БЬ,Б„метастибнита (аморфный) БЬ,Я вЂ” ЯЬлЯ„хоробетсуита переменного состава, напр. БЬ лВ)о нЯ„кермезита БЬлБ О; встречаются также редкий мийерал теллуросурьма (теллурантимон) БЬ Те, сложные сульфиды, теллурицы, селениды.
Антимонитовые руды — главный источник ЯЬ, их используют также для получения БЬ,Б, и др. саед. сурьмы. БЬ Б— компонент головок спичек, рубиново~о стекла; БЬзЬ'„ Бдзб, — хомпонеиты пиротехн. составов. БЬлЯ„ БЬ,Яез-полуйроводниковые материалы в фоторезисторах, фотоэлементах, электроннолучевых приборах. БЬ,Тез-компонент материалов для термозлектрич. генераторов (В!к „БЬ„Тез и уцу.); БЬ,Беу-легирующая добавка для термоэлектрич. материалов. БЬкЯ,— пигмент в красках, вулканшуюший агент для храсной резины; БЬЯ1-сегнетоэлектрик, полупроводниковый материал для фото- и терморезисторов, компонент халькогенидиых стекол. Пыль БЬ,Бв, БЬлЯ, при нагр.
на воздухе воспламеняется, КПВ БЬкБ, 194 г(м'. Аэрозоли С.х. токсичны; ПДК БЬлБу 2 мг/мз БЬ Бз 1 муумз Лн Полупроводниковые лвлвкогеннды н сплввы нв нк основе, М, !Зуз, с. маш. И и. Однп. СУСПЕНЗИИ (от позднелат. внзрепйо — подвешивание), дисперсные системы, в к-рых твердые частицы дисперсной фазы. находятся во взвешенном состоянии в жилкой дисперсионной среде (другой часто применяемый термин — в внеси ).
Интервал размеров частиц — от десятых долей мм до 10 ' м. С. с меньшими частицами (с 10' м) относят х дисяереяым системам, верх. предел размеров частиц ограничен быстрым оседанием частиц в гравитагв поле (см. Осауусоеяие). Иногда С, подразделяют на грубодисперсные собстненно С. (размер частиц» 10« м) и тонкие взвеси -системы с промежут.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
