Диссертация (1105295), страница 25
Текст из файла (страница 25)
Gignac L.M., Kawasaki M., Boettcher S., Wells O.C., Imaging and analysis of subsurface Cu interconnects by detecting backscattered electrons in thescanning electron microscope // J. Appl. Phys., 2005. 97, p. 114506107. Luo T., Khursheed A., Imaging with surface sensitive backscatteredelectrons // J. Vac. Sci.
Technol., 2007. B25(6), pp. 2017-2019108. Cazaux J., Kuwano N., Sato K., Backscattered electron imaging at lowemerging angles: A physical approach to contrast in LVSEM // Ultramicroscopy,2013. 135, pp. 43-49109. Гостев А.В., Дицман С.А., Лукьянов Ф.А., Орликовский Н.А., РауЭ.И., Сеннов Р.А., Метод и аппаратура электронной микротомографии в сканирующей электронной микроскопии // ПТЭ, 2010. № 4, с. 124-134110. Гостев А.В., Матвиенко А.Н., Рау Э.И., Савин В.О., Савин Д.О., Квопросу об информационной глубине режима обратноотражённых электронов в РЭМ // Изв.
РАН. Серия физич., 1998. т. 62, № 2, с. 591-598111. Niedrig H, Film-thickness determination in electron microscopy: theelectron backscattering method // Optica Acta, 1977. 24, pp. 679-691112. Sheng Y.Q., The determination of the thickness of ultrathin metal andsemiconductor films on conventional semiconductor substrates // Phys. Stat. sol.(a), 1985. 92, pp. 121-128113. Рау Э.И., Дицман С.А., Зайцев С.В., Лермонтов Н.В., ЛукьяновА.Е., Купреенко С.Ю., Анализ формул для расчета основных характеристикотраженных электронов и сравнение с экспериментальными результатами //Известия РАН. Серия физическая. 2013. Т. 77, № 8, с.
1050-1058114. Schlichting F., Berger D., Niedrig H., Thickness determination of ultrathin films using backscattered electron spectra of a new toroidal electrostatic spectrometer // Scanning, 1999. 21, pp. 197-203.138115. Rau E., Hoffmeister H., Sennov R., Kohl H., Comparison of experimental and Monte Carlo simulated BSE spectra of multilayered structures and ‘indepth’ measurements in SEM // J. Phys. D: Appl.
Phys., 2002. 35, pp. 1433-1437.116. Dapor M., Rau E., Sennov R., Experimental and computational study ofthe mean energy of electrons backscattered from surface films // J. Appl. Phys.,2007. 102, pp. 063705-063708.117. Zhenyu T., Yueyuan X., A Monte Carlo study of the thickness determination of ultra-thin films // Scanning, 2002.
vol. 24, pp. 257-263118. Афанасьев В.П., Капля П.С., Костановский И.А., Определение толщины слоя золота на кремнии на основе спектроскопии отражённых электронов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2013. № 2, с. 30-36119. Гостев А.В., Орликовский Н.А., Рау Э.И., Трубицин А.А., Усовершенствование электронного тороидального спектрометра для растровогоэлектронного микроскопа и его новые применения в диагностике структурмикро- и наноэлектроники // ЖТФ, 2013. т.
83, вып. 3, с. 140-147.120. Niedrig H., Electron backscattering from thin films // J. Appl. Phys.,1982. 53(4), R-15121. Murata K., Yasuda M., Kawata H., The spatial distribution of backscattered electrons revisited with a new Monte Carlo simulation // Scanning Microscopy, 1992.
Vol. 6, No. 4, pp. 943-954122. Бронштейн И.М., В.П. Пронин, Хинич И.И., Чистотин И.А., Спектроскопия упругого отражения электронов как эффективный метод диагностики поверхности твёрдого тела // Известия Российского ГосударственногоПедагогического Университета им. А.И. Герцена, 2006. № 15, том 6, с. 151165123. Cazaux J., Some considerations on the secondary electron emission, δ,from e- irradiated insulators // J. Appl.
Phys., 1999. 85, № 2, pp. 1137-1147124. Melchinger A., Hofmann S., Dynamic double layer model: Descriptionof time dependent charging phenomena in insulators under electron beam irradiation // J. Appl. Phys., 1995. 78, pp. 6224-6232125. Meyza X., Goeuriot D., Guerret-Piécourt C., Tréheux D., Fitting H.-J.,Secondary electron emission and self-consistent charge transport and storage inbulk insulators: Application to alumina // J.
Appl. Phys., 2003. 94, № 8, pp. 53845391126. Рау Э.И., Евстафьева Е.Н., Андрианов М.В., Механизмы зарядкидиэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий //ФТТ, 2008. т. 50, № 4, с. 599-607139127. Евстафьева Е.Н., Рау Э.И., Милеев В.Н., Новиков Л.С., ДицманС.А., Сеннов Р.А., Анализ механизмов зарядки диэлектрических мишенейпод воздействием электронного облучения // Перспективные материалы,2010. № 4, с. 11-20128. Евстафьева Е.Н., Рау Э.И., Татаринцев А.А., Объяснение некоторыхпротиворечий в трактовке динамики зарядки диэлектрических мишеней подвоздействием электронного облучения // Вестник МГУ, Серия 3, Физика, Астрономия, 2013. № 2, с.
34-37129. Aristov V., Kokhanchik L., Meyer K.-P., Blumtritt H., Scanning electronmicroscopy investigations of peculiarities of BaTiO3 ferroelectric domain contrast// Phys. Stat. Sol. (a), 1983. 78, pp. 229-236130. Reimer L., Golla U., Bongeler R., Kässens M., Schindler B., Senkel R.,Charging of bulk specimens, insulating layers and free supporting films in SEM //Optik, 1992. 98, 1, pp. 14-22131.
Joy D.C., Joy C.S., Low voltage scanning electron microscopy // Micron., 1996. 27, pp. 247-263132. Cazaux J., Some considerations on the electric field induced in insulatorsby electron bombardment // J. Appl. Phys., 1986. 59, No. 5, pp. 1418-1430133. Рау Э.И., Евстафьева Е.Н., Зайцев С.И., Князев М.А., Свинцов А.А.,Татаринцев А.А., Комплексные исследования эффектов зарядки полимерногорезиста (ПММА) при электронной литографии // Микроэлектроника, 2013.
т.42, № 2, с. 116-126134. Frank L., Zadrazil M., Mullerova I., Scanning electron microscopy ofnonconductive specimens at critical energies in a cathode lens system // Scanning,2001. 23, pp. 36-50135. Song Z.G., Ong C.K., Gong H., A time-resolved current method for theinvestigation of charging ability of insulators under electron beam irradiation // J.Appl. Phys., 1996. 79, No. 9, pp.
7123-7128136. Askri B., Raouadi K., Renoud R., Yangui B., Time dependence of secondary electron yield and of surface potential during charging of amorphous silicatarget // J. Electrostatics, 2009. 67, 4, pp. 695-702137. Touzin M., Goeuriot D., Guerret-Piécourt C., Juvé D., Tréheux D., Fitting H.-J., Electron beam charging of insulators: A self-consistent flight-drift model // J.
Appl. Phys., 2006. 99, 114110138. Blaise G., Le Gressus C., Charging and flashover induced by surface polarization relaxation process // J. Appl. Phys., 1991. 69, 9, 1, pp. 6334-6339140139. Hanna R., Paulmier T., Belhaj M., Molinie P., Dirassen B., Payan D.,Balcon N., Characterization of charge carrier lateral conduction in irradiated dielectric materials // J. Phys. D: Appl. Phys. 2011. V. 44, P.
445402.140. Rettig P., Kassens M., Reimer L. Measurement of specimen charging inscanning electron microscopy with a Kelvin probe // Scanning. 1994. V. 16. P.221.141. Fakhfakh S., Jbara O., Belhaj M., Fakhfakh Z., Kallel A., Rau E.I., Anexperimental approach for dynamic investigation of the trapping properties ofglass-ceramic under electron beam irradiation from a scanning electron microscope// Europ.
Phys. J. Appl. Phys. 2003. V. 21. P. 137.142. Thome T., Braga D., Blaise G., Effect of current density on electronbeam induced charging in sapphire and yttria-stabilized zirconia // J. Appl. Phys.,2004, 95(5), pp. 2619-2624143. Vallayer B., Blaise G., Treheux D., Space charge measurement in a dielectric material after irradiation with a 30 kV electron beam: Application to singlecrystals oxide trapping properties // Review of Scientific Instruments. 1999. V.
70.P. 3102.144. Wintle H.J., Analysis of the scanning electron microscope mirror methodfor studying space charge in insulators // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. P. 5961.145. Belhaj M., Jbara O., Filippov M.N., Rau E.I., Andrianov M.V., Analysisof the two methods of measurement of surface potential of insulators in SEM: electron spectroscopy and X-Ray spectroscopy methods // Appl. Surf.
Sci. 2001. V.177. P. 58.146. Fitting H.-J., Meyza X., Guerret-Piecourt C., Dutriez C., Touzin M.,Goeuriot D., Treheux D., Selfconsistent electrical charging in insulators // J. of theEurop. Ceramic Society. 2005. V. 25. P. 2799.147. Askri B., Renoud R., Raouadi K., Ganachaud J., Determination of thesurface potential of a charging insulator by measuring intensity of its X-Ray characteristic peaks // Europ. Phys. J. Appl. Phys. 2005. V. 32. pp. 29-36.141148.
Рау Э.И., Евстафьева Е.Н., Андрианов М.В., Механизмы зарядкидиэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий //Физика Твёрдого Тела. 2008. Т. 50, вып. 4, с. 599-607.149. Rau E.I., Fakhfakh S., Andrianov M.V., Evstafeva E.N., Jbara O.,Rondot S., Mouse D., Second crossover energy of insulating materials using stationary electron beam under normal incidence // Nucl. Instr. Meth. In Phys. Res. B.2008. V. 266. pp. 719-729.150.
Jbara O., Fakhfakh S., Belhaj M., Rondot S., Charge implantation measurement on electron-irradiated insulating materials by means of a SEM technique //Microsc. Microanal. 2004. V. 10. p. 697-710.151. Евстафьева Е.Н., Рау Э.И., Татаринцев А.А., Объяснение некоторыхпротиворечий в трактовке динамики зарядки диэлектрических мишеней подвоздействием электронного облучения // Вестник МГУ. Серия 3.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
