Диссертация (1105295), страница 26
Текст из файла (страница 26)
Физика. Астрономия. 2013. № 2. С. 34-37152. Евстафьева Е.Н., Плиес Э., Рау Э.И., Сеннов Р.А., Татаринцев А.А.,Фрейнкман Б.Г., Методические аспекты электронно-зондовых исследованийпроцессов зарядки диэлектрических мишеней // Изв. РАН. Серия физическая.2010. Т. 74. № 7. С. 1020.153. Никитин В.В., Комолова Л.Ф., Рау Э.И., Эффекты локальной самоактивации и гашения в некоторых катодолюминофорах // Оптика и спектроскопия. 1986.
Т. 60, вып. 6, С. 1186-1192.154. Cazaux J., Secondary electron emission yield: graphite and some aromatic hydrocarbons // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38, No. 14, pp. 2442-2445.155. Рау Э.И., Сеннов Р.А., Определение средней энергии электронов,отражённых от однородных, от слоистых и от диэлектрических мишеней //Изв.
РАН. Серия физическая. 2004. Т. 68. № 9. С. 1342-1347156. Cazaux J., Charging in Scanning Electron Microscopy “from Inside andOutside” // Scanning, 2004. 26, pp. 181-203157. Cazaux J., e-Induced secondary electron emission yield of insulators andcharging effects // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Research B, 2006. 244, pp. 307-322142158. Bougharion A., Kallel A., Blaise G., Study of the charge kinetics ofMgO (110) subjected to high energy electron irradiation // Appl. Surf. Sci., 2014.313, pp.
736-741159. Z.J. Ding, X.D. Tang, R. Shimizu, Monte Carlo study of secondary electron emission // J. Appl. Phys., 2001. 89, pp. 718-726160. Kotera M., Yamaguchi K., Suga H., Dynamic simulation of electronbeam-induced charging of insulators // Japan. J. Appl. Phys., 1999. 38, 7176-7179161. Fitting H.-J., E.
Schreiber, Kuhr, von Czarnowski A., Attenuation andescape depths of low-energy electron emission // Journal of electron spectroscopyand related phenomena, 2001. 119, 35-47162. Lefebre F., Vigouroux J.P., Perreau J., Charge phenomena induced bylow-energy ion bombardment in SiO2 // J. Appl. Phys., 1989. 65, pp. 1683-1689163. Baragiola R.A., Shi M., Vidal R., Dukes C., Fast proton-induced electronemission from rare-gas solids and electrostatic charging effects // Phys. Rev. B.,1998. 58, pp. 13212-13218.164. Cheifetz E., Richter V., Zalman A., Kalish R., Ion-induced electronemission from Boron-doped diamond: effect of surface hydrogenation and sampletemperature // Diamond and Rel.
Mat., 2001. 10, pp. 824-828.165. Yogev S., Levin J., Molotskii M., Schwarzman A., Avayu O.,Rosenwaks. Y., Charging of dielectrics under focused ion beam irradiation // J.Appl. Phys., 2008. 103, 064107.166. Hoffman A., Prawer S., Kalish R., Structural transformation of diamondinduced by 1-keV Ar-ion irradiation as studied by Auger and secondary-electronspectroscopies and total secondary-electron-yield measurements // Phys. Rev.
B,1992. 45, pp. 12736-12745167. Rau E.I., Tatarintsev A.A., Khvostov V.V., Yurasova V.E., Secondaryelectron emission and charging characteristics of ion-irradiated sapphire // Vacuum, 2016, 129, pp. 142-147.168. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р. Бериша. Вып. 2, Москва, «Мир», 1986.169. Kelly R., Factors determining the compound phases formed by oxygenor nitrogen implantation in metals // J. Vac. Sci. Technol., 1982. 21, pp. 778-789170. Alov N.V., XPS study of MoO3 and WO3 oxide surface modification bylow-energy Ar+ ion bombardment // Phys. Status Solidi C, 2015. 12, pp. 263-266171. Knotek M.L., Feibelman P.J., Stability of ionically bonded surfaces inionizing environments // Surf. Sci., 1979.
90, 78-90172. Зыкова Е.Ю., Хайдаров А.А., Иваненко И.П., Гайнуллин И.К., Формирование островковых плёнок алюминия при электронном облучении сап143фира // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2012. № 11, с. 7-11173. Minnebaev K.F., Khvostov V.V., Zykova E.Yu., Tolpin K.A., ColligonJ.S., Yurasova V.E., Secondary particle emission from sapphire single crystal //Nucl.
Instr. Meth. in Phys. Research B, 2015. 354, pp. 159-162174. Vigouroux J.P., Duraud J.P., Le Moel A., Le Gressus C., Electron trapping in amorphous SiO2 studied by charge buildup under electron bombardment //J. Appl. Phys., 1985. 57, pp. 5139-5144175. Kim K.S., Baitinger W.E., Amy J.W., Winograd N., ESCA studies ofmetal-oxygen surfaces using argon and oxygen ion-bombardment // J. Electron.Spectrosc., 1974. 5, pp. 351-367176. Paparazzo E., Synchrotron radiation photoemission and X-Ray photoelectron spectroscopy studies of argon ion etched SiO2 surfaces // J. Electron.Spectrosc., 1990. 50, pp.
47-52177. Khellafi M. and Lang B., An AES study of damage induced by inert gasions at SiO2 surfaces: influence of ion mass and energy // Revue de PhysiqueAppliquee, 1990. 25, 4, pp. 389-394178. Guseva M.B., Khvostov V.V., Kostishko V.M., Kovalenko S.Yu., Interaction of low-energy Ar+ ions with the surfaces Al2O3 and MgO // Surf.
Sci. Lett.,1992. 276, L24-L27179. Levy P., Color centers and radiation-induced defects // Phys. Rev., 1961.123, 1226-1233180. Choi M., Janotti A., Van de Walle Ch.G., Native point defects and dangling bonds in α-Al2O3 // J. Appl. Phys., 2013. 113, 044501181. Rakhovskaya O.V., Elovikov S.S., Dubinina E.M., Shakhurin E.S.,Dementjev A.P., Electron stimulated desorption process from ionic compound surface // Surf. Sci., 1992.
274, 190-198182. Pooley D., F-centre production in alkali halides by electron-hole recombination and subsequent [110] replacement sequence: a discussion of the electronhole recombination // Proc. Phys. Soc., 1966. 87, pp. 245-256183. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А., Экситонный механизм создания F-центров в бездефектных участках ионных кристаллов // ФТТ, 1968.6, 2753184. Tanimura K., Tanaka T., Itoh N., Creation of quasistable lattice defectsby electronic excitation in SiO2 // Phys.
Rev. Lett., 1983, 51, pp. 423-426185. Stevens-Kalceff M.A., Electron-radiation-induced radiolytic oxygengeneration and microsegregation in silicon dioxide polymorphs // Phys. Rev. Lett.,2000. 84, 14, pp. 3137-3140144186. Crisci A., Gosse B., Gosse J.-P., Dureault V.O., Surface-potential decaydue to surface conduction // Europ. Phys. J. Appl. Phys., 1998. 4, 107-116187. Hendriks B.N., van Gorkom G., van Keersop A., Lambert N., de ZwartS.T., Dynamical behavior of electron hop transport over insulating surfaces // J.Appl.
Phys., 1999. 85, 3, pp. 1848-1856188. Cornet N., Goeuriot D., Guerret-Piecourt C., Juve D., Treheux D.,Touzin M., Fitting H.-J., Electron beam charging of insulators with surface layerand leakage currents // J. Appl. Phys., 2008. 103, pp. 064110145.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
