Диссертация (1105295), страница 24
Текст из файла (страница 24)
157, S. 576-58557. Cazaux J., Material contrast in SEM: Fermi energy and work function effects // Ultramicroscopy, 2010. 110, pp. 242-25358. Kanter H., Slow-electron mean free paths in aluminum, silver, gold //Physical Review B, 1970. Vol. 1, No. 2, pp. 522-53713459. Henke B.L., Liesegang J., Smith S.D., Soft X-Ray-induced secondaryelectron emission from semiconductors and insulators: Models and measurements// Physical Review B, 1979. Vol. 19, No.
6, pp. 3004-302160. Joy D.C., Prasad M.S., Meyer H.M., Experimental secondary electronspectra under SEM conditions // Journal of Microscopy, 2004. Vol. 215, Pt 1, pp.77-8561. Commisso M., Barone P., Bonanno A., Cimino R., Grosso D., MinnitiM., Oliva A., Riccardi P., Xu F., Angular dependence of secondary electron emission from Cu surfaces induced by electron bombardment // Journal of Physics:Conference Series, 2008. 100, pp. 1-462. Бронштейн И.М., Долинин В.А., Распределение вторичных электронов по энергиям при больших углах падения первичных электронов // Радиотехника и Электроника, 1968, 13, № 1, с.
18163. Endo A., Ino S., Energy and angular distribution of secondary electronsemitted from Si(111)-7 7,-Ag and 5 2-Au surfaces // Surface Science, 1996. 346, pp. 40-4864. Cosslett V.E., Thomas R.N., Multiple scattering of 5 - 30 keV electronsin evaporated metal films III: Backscattering and absorption // Brit. J. Appl. Phys.,1965.16, pp. 779-79665. Sogard M.R., An empirical study of electron backscattering from thinfilms // J. Appl. Phys., 1980. 51, pp. 4417-442566. Neubert G., Rogaschewski S., Measurements of the backscattering andabsorption of 15 – 60 keV electrons for transparent solid films at various angles ofincidence // J.
Phys. D: Appl. Phys., 1984. 17, pp. 2439-245467. Hunger H.-J., Rogaschewski S., Electron Backscattering of Thin Filmson Substrates // Scanning, 1986. 8, pp. 257-26368. Niedrig H., Sieber P., Rückstreuung mittelschneller Elektronen andünnen Schichten // Z. angew. Phys., 1971. 31, 2769. HohnF.J.,KindtM.,NiedrigH.,StuthB.,ElektronenrückstreumessungenandünnenSchichtenaufmassivenTrägersubstanzen // Optik, 1976. 46, 49170. Вятскин А.Я., Кабанов А.Н., Макаров К.А., Трунев В.В., Отражениеэлектронов тонкими плёнками в твёрдом теле // Радиотехника и электроника,1970.
т. 15, с. 56571. De Nee P.B., Measurement of mass and thickness of respirable size dustparticles by SEM backscattered electron imaging // Scanning Electron Microscopy.SEM Inc. / Ed. O’Hare. 1978. v. 1, p. 74172. Tolansky S., Multiple beam interference microscopy of metals // RoyalHoloway College Egham. Academic Press, London - New York, 197013573. Stout K. J.; Blunt L., Three-Dimensional Surface Topography (2-nd ed.)// Penton Press, London 2000 p.
2274. Binnig G., Rohrer H., Scanning Tunneling Microscopy – From Birth toAdolescence // Nobel Lecture. Stockholm December 8, 1986 или в переводе Терзиева В.Г: Бинниг Г., Рорер Г., Сканирующая электронная микроскопия – отрождения к юности // УФН, т. 154, вып. 2, с. 261-27875. Martin Y, Williams C. C., Wickramasinghe H.
K., Atomic force microscope-force mapping and profiling on a sub 100 Å scale // Appl. Phys., 1987. Vol.61, No. 10, pp. 4723-472976. Castle J.E., Zhdan P.A., Characterization of surface topography by SEMand SFM: problems and solutions // J. Phys. D: Appl. Phys., 1997. 30, pp. 722-74077. Beil W., Carlsen I.C., Surface reconstruction from stereoscopy and“shape from shading” in SEM images // Machine vision and applications, 1991. 4,pp.
271-28578. Breton B.C., Thong J.T.L., Nixon W.C., A contactless 3-D measuringtechnique for IC inspection // In: Proceedings on Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control, SPIE, 1987. 775, pp. 109-11779. Grimson W.E.L., From images to surfaces – A computational study ofthe human early visual system // The MIT Press, Cambridge, MA, 198180. Mayhew J.E.W., Frisby J.P., Psychophysical and computational studiestowards a theory of human stereopsis // Artificial Intelligence, 1981.
17, pp. 34938581. Tafti A.P., Kirkpatrick A.B., Alavi Z., Owen H.A., Recent advances in3D SEM surface reconstruction // Micron, 2015. 78, pp. 54-6682. Lebiedzik J., An automatic topographical surface reconstruction in theSEM // Scanning, 1979. 2, pp. 230-23783. Kaczmarek D., Domaradzki J., The method for reconstruction of complex images of specimens using backscattered electrons // Scanning, 2002. Vol. 24,pp. 65-6984. Suganuma T., Measurement of Surface Topography Using SEM withTwo Secondary Electron Detectors // Journal of Electron Microscopy, 1985. 34, 4,pp. 328-33785. Tanaka K., Nishimori K., Maeda K., Matsuda J., Hotta M., A ScanningElectron Microscope With Two Secondary Electron Detectors and Its Applicationto the Surface Topography Measurements of Magnetic Media // Transactions ofASME, 1992. 114, pp.
274-27986. Czepkowski T., Slowko W., Some limitations of surface profile reconstruction in scanning electron microscopy // Scanning, 1996. 18, pp. 433-44613687. Paluszyński J., Slowko W., Surface reconstruction with photometricmethod in SEM // Vacuum, 2005. 78, pp. 533-53788. Hemmleb M., Bettge D., Driehorst I., Berger D., 3D surface reconstruction with segmented BSE detector: New improvements and application for fractureanalysis in SEM // European Microscopy Congress 2016.
Volume 1: Instrumentation and Methods, pp. 489-49089. Kanaya K., Okayama S., Penetration and energy-loss theory of electronsin solid targets // J. Phys. D: Appl. Phys., 1972.Vol. 5, pp. 4390. Fitting H.-J., Six laws of low-energy electron sattering in solids // J.Electr. Spectr. Rel. Phenomena, 2004. 136, pp. 265-27291. Афонин В.П., Лебедь В.И., Метод Монте-Карло в рентгеноспектральном микроанализе // Новосибирск, «Наука», 1989, с. 11092. Werner U., Bethge H., Heydenreich J., An analytic model of electronbackscattering for the energy range of 10-100 keV // Ultramicroscopy, 1982.
8, p.41793. Михеев Н.Н., Степович М.А., Петров В.И., Моделирование процессов обратного рассеяния электронов от мишени заданной толщины при нормальном падении пучка // Изв. РАН. Сер. Физич., 1995. т. 59, № 2, с. 14494. Dupouy G., Perrier F., Verdier P., Arnal F., Transmission d'electronsmonocinetiques a travers des feuilles metaliques minces // Compt. Rend. Acad. Sci(Fr.), 1964. v. 258, p. 365595. Кошев Н.А., Орликовский Н.А., Рау Э.И., Ягола А.Г., Восстановление энергетических спектров отражённых электронов с учётом аппаратнойфункции спектрометра // Изв.
РАН. Серия Физич., 2012. т. 76, № 9, с. 107096. Hoffmeister H., Reimer L., Kohl H. // Optik Suppl., 1999. v. 110, p. 4797. Lin P.S., Becker R.P., Detection of backscattered electrons with highresolution //In: Scanning Electron Microscopy Ed. O’Hare, Chicago. USA, 1975.p. 6198. Funsten H.O., Suszcynsky D.M., Ritzau S.M., Korde R., Response of100% internal quantum efficiency silicon photodiodes to 200eV-40keV electrons //IEEE Trans. Nucl. Sci., 1997.
v.44, pp. 2561-2565.99. Гостев А.В., Дицман С.А., Забродский В.В., Забродская Н.В., Лукьянов Ф.А., Рау Э.И., Сеннов Р.А., Суханов В.Л., Характеризация полупроводниковых детекторов монокинетических и отражённых электронов с энергией 1-30 кэВ // Изв.РАН.Сер.
физич., 2008. Т.72, №11, С.1539-1544.100. Рау Э.И., Орликовский Н.А., Иванова Е.С., Функция отклика и оптимальная конфигурация полупроводниковых детекторов отражённых электронов для сканирующих электронных микроскопов // Физика и техника полупроводников, 2012. т.46, вып. 6, с. 829-832.137101. Boughorbel F., Kooijman C., Lich B.H., Bosch E.G. // USA patent8,232,523B2 from 31.07.2012.
“SEM Imaging Method”102. Boughorbel F., Potocek P., Kooijman C., Lich B.H. // USA patent2013/0037715A1 from 14.02.2013.”Charged-particle microscope providing depthresolved imagery”103. Seiler H. // Scanning Electron Microscopy / Ed. By O’Hare. Chicago:IITRI, 1976. pt. 1, p. 9104. Wells O., Savoy R., Bailey P. // in: Electron Beam Interaction With Solids. SEM Inc. Chicago: IITRI, 1982. p.287105. Saparin G.W., Obyden S.K., Ivannikov P.V., A nondestructive methodfor three-dimensional reconstruction of luminescence materials: principles, dataacquisition, image processing // Scanning, 1996.18, pp. 281-290106.