Диссертация (1091051), страница 24
Текст из файла (страница 24)
– P. 106–113.128.Barker S.A. Effects of Carbon on Charge Loss in EPROM Structures / BarkerS.A. // IEEE International Reliability Physics Symp. – 2001. – P. 171.129.Aritome S., Shirota R., Hemink G. Reliability Issues of Flash Memory Cells /Aritome S., Shirota R., Hemink G. // Proc. IEEE. – Vol. 81. – No. 5. – 2003. – P.
776–787.130.Liang M.S., Chang C., Yang W. Hot Carrier-Induced Degradation by SubstrateHot Electron Injection / Liang M.S., Chang C., Yang W. // IEEE IEDM Tech. Dig. –2007. – P. 186.131.DiMaria D. J., Stasiak J.W. Trap Creation in Silicon Dioxide Produced by HotElectrons / DiMaria D. J., Stasiak J.W. // J. Appl. Phys. – Vol.
65. –No. 6 – 1989. – P..2342–2356.132.Wu J., Register L.F., Rosenbaum E. Trap-Assisted Tunneling Current ThroughUltra - Thin Oxide / Wu J., Register L.F., Rosenbaum E. // Proc. IRPS. – 2001. – P.389–395.133.Koh B.H., Chim W.K., Ng T.H. Quantum Mechanical Modeling of GateCapacitance and Gate Current in Tunnel Dielectric Stack Structures for NonvolatileMemory Application / Koh B.H., Chim W.K., Ng T.H. // J.
Appl. Phys. – Vol. 95. –2004. – P. 5094-5103.134.Gartner Dataquest. Semiconductor Forecast Worldwide - Forecast Database /Gartner Co. // Gartner Dataquest. – 2014. – P. 34.135.136.Houdt J.V. Flash memory / Houdt J.V // IMEC. – 2008. – P. 45.Миронов, B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии. /Миронов, B.JI. – М.: Техносфера. – 2004.
– 143 с.176137.FriedbacherG.,FuchsH.Classificationofscanningprobemicroscopies. / Friedbacher G., Fuchs H. // IUPAC. – 1999. – Vol. 71, №7. –P. 1337–1357.138.TMA practical guide to scanning probe microscopy. [Электронный ресурс] //Microscopes[официальныйсайт].URLhttp//www.thermomicro.com/spmguide/contens.htm. (дата обращения: 20.05.2015).139.Основы сканирующей зондовой микроскопии. С. 91-98.140.Girard P. Electrostatic force microscopy: principlesand some applications tosemiconductors. / Girard P.
// Nanotechnology. – 2001. - № 12. – P. 485-490.141.Многопроходные методы [Электронный ресурс]. // ЗАО «НТ МДТ»[Официальный сайт]. URL http://www.ntmdt.ru/support.html. (дата обращения:20.04.2015). – P. 5-16.142.Многопроходные методы [Электронный ресурс]. // ЗАО «НТ МДТ»[Официальный сайт]. URL http://www.ntmdt.ru/support.html. (дата обращения:20.04.2015). – P.
5-16.143.Narang V., Muthu P., Chin JM. Development of backside scanningcapacitance microscopy technique for advanced SOI microprocessors. / Narang V.,Muthu P., Chin JM. // Proceedings of the 32nd International Symposium for Testingand Failure Analysis. – 2006. – P. 94-97.144.Lee J., Chuang J. Fault localization in contact level by using conductiveatomic force microscopy.
/ Lee J., Chuang J. // Proceedings of the 29nd InternationalSymposium for Testing and Failure Analysis. – 2003. – P. 413-418.145.Mulder R., Subramanian S., Chrasteky T. Atomic force probe analysis ofnon-visible defects in sub-100nm CMOS technologies.
/ Mulder R., Subramanian S.,Chrasteky T. // Proceedings of the 32nd International Symposium for Testing andFailure Analysis. – 2006. – P. 503-511.146.Yong J., Li-Lung L., Jian-Jun Z. Single-bit failure analysis at a nanometerresolution by conductive atomic force microscopy / Yong J., Li-Lung L., Jian-Jun Z. //Microelectronics Reliability. – 2012. - № 52. – P. 159-164.177147.Duhayon N.
Experimental study and optimization of scanning capacitancemicroscopy for two-dimensional carrier profiling of submicron semiconductor devices./ Duhayon N. // Katholieke Universiteit Leuven. – 2006. – P. 215.148.Experimental study and optimization of scanning capacitance microscopy fortwo-dimensional carrier profiling of submicron semiconductor devices. P. 36.149.Experimental study and optimization of scanning capacitance microscopy fortwo-dimensional carrier profiling of submicron semiconductor devices. P. 37.150.Инструкция«Контактнаясканирующаяемкостнаямикроскопия».[Электронный ресурс]. // ЗАО «НТ МДТ» [Официальный сайт].
URLhttp://www.ntmdt.ru/support.html. (дата обращения: 1.04.2015).151.Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Калугин В.В. Определение подинамическим вольт-фарадным характеристикам электрофизических свойств иоднородности толщин структур кремний на изоляторе. Оборонный комплекс –научно-техническому прогрессу России. – 2005. - №2. – С. 45 – 49.152.Сканирующая емкостная микроскопия (SCM).
[Электронный ресурс]. //ООО«Промэнерголаб»[Официальныйсайт].URLhttp://www.czl.ru/applications/scaning-capacitance-microscopy-scm/.htm.153.Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учебное пособие. / В.А.Гуртов. – М., 2005. – 492 с.154.Твердотельная электроника: Учебное пособие. С. 93.155.Kurokawa S., Sakai A. Gap dependence of the tip-sample capacitance/Kurokawa S., Sakai A. // Journal of applied physics. – 1998.
– Vol. 83, № 12. – P.7416-7423.156.Effectivetipradiusinelectrostaticforcemicroscopy./ Sacha G. [et al.]. // Applied physics letters. – 2005. –№ 86. – P. 1-3.157.Experimental study and optimization of scanning capacitance microscopy fortwo-dimensional carrier profiling of submicron semiconductor devices. P. 92.158.Краткий справочник физико-химических величин.
Под редакциейРавделя А.А. и Пономарева А.М. Санкт-Петербург: «Иван Федоров», 2002. 240 с.178159.Kelvin probe force microscopy in application to biomolecular films:frequency modulation, amplitude modulation, and lift mode. / Moores B. [et al.]. //Ultramicroscopy. – 2010. -№ 110. – P. 708-711.160.Kelvin probe force microscopy and its application. / Melits W. [et al.]. //Surface Science Reports.
– 2011. – № 66. – P. 1-27.161.Alexander J., Magonov S., Moeller M. Topography and surface potential inKelvin force microscopy of perfluoroalkyl alkane’s self-assemblies. / Alexander J.,Magonov S., Moeller M. // J. Vac. Sci. Technol. – 2009. – № 27. – P. 903-911.PeakForce Kelvin probe force microscopy. [Электронный ресурс]. //162.Bruker.
[Официальный сайт]. URL http://www.bruker.com/KPFM.htm.163.De Nardi C., Beaudoin F., Gauffier J. EEPROM failure analysismethodology: can programmed charges be measured directly by electrical techniquesof scanning probe microscopy?. / De Nardi C., Beaudoin F., Gauffier J. // Proceedingsof the 31nd International Symposium for Testing and Failure Analysis. – 2005. – P.256-261.164.al.].Failure analysis using scanning Kelvin probe microscopy. / Hochwitz T. [et//in1994FallMeetingoftheIBMfailureanalysistechnicalexchange. – 1994. – P. 9.165.AlvarezD.ScanningSpreadingResistanceMicroscopyforthecharacterization of advanced silicon devices. / Alvarez D.
// IMEC. – P. 135.166.Scanning Spreading Resistance Microscopy for the characterization ofadvanced silicon devices. P. 16-18.167.Fault localization in contact level by using conductive atomic forcemicroscopy. P.416.168.Денисенко В. Моделирование МОП транзисторов. / Денисенко В. //Компоненты и технологии. – 2004. – № 7. – С. 26-29., № 8. – С. 56-61., № 9. – С.32-39.169.Зотов С. 3D – моделирование электрических характеристик КНИ МОП-транзисторов О-типа с субмикронными размерами областей. / Зотов С.
//Молодежный научно-технический вестник. – 2012. – № 10. – С. 1-11.179170.Учебноепособие.Моделированиеполевыхполупроводниковыхприборов в САПР ISE TCAD. / Асессоров В., Быкадорова Г., Ткачев А. –Воронеж, 2007. – 27с.171.Synopsys. Application. [Электронный ресурс]. // Synopsys [Официальныйсайт]. URL http://www.synopsys.com.172.Моделирование 3D наносхемотехники. / Н.К.
Трубочкина. – М. :БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 499 с. : ил., [24]с. цв. вкл.173.Принципы работы и устройство флеш-памяти. [Электронный ресурс]. //Hobbyits.com [Официальный сайт]. URL http://www. hobbyits.com.174.Y. Tkachev, X. Liu, and A. Kotov. Floating-gate corner-enhanced poly-to-poly tunneling in split-gate Flash memory cells. / IEEE Trans. El.
Dev. – 2012. –Vol.59. – №.1. – P.5-11.175.Flash.Nonvolatile/J.Brewer,MemoryM.GillTechnologies//InstituteofwithElectricalEmphasisandonElectronicsEngineers. – 2008. – P. 759.176.Тимошенков С.П., Калугин В.В., Прокопьев Е.П. Разработка методовхимической обработки Si пластин, предназначенных для получения структуркремний на изоляторе.
I. Химические взаимодействия на поверхности прижидкостных обработках пластин кремния. Материаловедение. – 2002. - № 8. –С. 10-16.177.Kotov A. Three generarions of Embedded SuperFlash split gate cell: scalingprogress and challenges. // Leti Innovation Days – Memory Workshop 2013. – 2013. –P. 1-37..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
