Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1091051), страница 24

Файл №1091051 Диссертация (Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики электрофизических параметров элементов хранения энергонезависимой памяти) 24 страницаДиссертация (1091051) страница 242018-01-18СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 24)

– P. 106–113.128.Barker S.A. Effects of Carbon on Charge Loss in EPROM Structures / BarkerS.A. // IEEE International Reliability Physics Symp. – 2001. – P. 171.129.Aritome S., Shirota R., Hemink G. Reliability Issues of Flash Memory Cells /Aritome S., Shirota R., Hemink G. // Proc. IEEE. – Vol. 81. – No. 5. – 2003. – P.

776–787.130.Liang M.S., Chang C., Yang W. Hot Carrier-Induced Degradation by SubstrateHot Electron Injection / Liang M.S., Chang C., Yang W. // IEEE IEDM Tech. Dig. –2007. – P. 186.131.DiMaria D. J., Stasiak J.W. Trap Creation in Silicon Dioxide Produced by HotElectrons / DiMaria D. J., Stasiak J.W. // J. Appl. Phys. – Vol.

65. –No. 6 – 1989. – P..2342–2356.132.Wu J., Register L.F., Rosenbaum E. Trap-Assisted Tunneling Current ThroughUltra - Thin Oxide / Wu J., Register L.F., Rosenbaum E. // Proc. IRPS. – 2001. – P.389–395.133.Koh B.H., Chim W.K., Ng T.H. Quantum Mechanical Modeling of GateCapacitance and Gate Current in Tunnel Dielectric Stack Structures for NonvolatileMemory Application / Koh B.H., Chim W.K., Ng T.H. // J.

Appl. Phys. – Vol. 95. –2004. – P. 5094-5103.134.Gartner Dataquest. Semiconductor Forecast Worldwide - Forecast Database /Gartner Co. // Gartner Dataquest. – 2014. – P. 34.135.136.Houdt J.V. Flash memory / Houdt J.V // IMEC. – 2008. – P. 45.Миронов, B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии. /Миронов, B.JI. – М.: Техносфера. – 2004.

– 143 с.176137.FriedbacherG.,FuchsH.Classificationofscanningprobemicroscopies. / Friedbacher G., Fuchs H. // IUPAC. – 1999. – Vol. 71, №7. –P. 1337–1357.138.TMA practical guide to scanning probe microscopy. [Электронный ресурс] //Microscopes[официальныйсайт].URLhttp//www.thermomicro.com/spmguide/contens.htm. (дата обращения: 20.05.2015).139.Основы сканирующей зондовой микроскопии. С. 91-98.140.Girard P. Electrostatic force microscopy: principlesand some applications tosemiconductors. / Girard P.

// Nanotechnology. – 2001. - № 12. – P. 485-490.141.Многопроходные методы [Электронный ресурс]. // ЗАО «НТ МДТ»[Официальный сайт]. URL http://www.ntmdt.ru/support.html. (дата обращения:20.04.2015). – P. 5-16.142.Многопроходные методы [Электронный ресурс]. // ЗАО «НТ МДТ»[Официальный сайт]. URL http://www.ntmdt.ru/support.html. (дата обращения:20.04.2015). – P.

5-16.143.Narang V., Muthu P., Chin JM. Development of backside scanningcapacitance microscopy technique for advanced SOI microprocessors. / Narang V.,Muthu P., Chin JM. // Proceedings of the 32nd International Symposium for Testingand Failure Analysis. – 2006. – P. 94-97.144.Lee J., Chuang J. Fault localization in contact level by using conductiveatomic force microscopy.

/ Lee J., Chuang J. // Proceedings of the 29nd InternationalSymposium for Testing and Failure Analysis. – 2003. – P. 413-418.145.Mulder R., Subramanian S., Chrasteky T. Atomic force probe analysis ofnon-visible defects in sub-100nm CMOS technologies.

/ Mulder R., Subramanian S.,Chrasteky T. // Proceedings of the 32nd International Symposium for Testing andFailure Analysis. – 2006. – P. 503-511.146.Yong J., Li-Lung L., Jian-Jun Z. Single-bit failure analysis at a nanometerresolution by conductive atomic force microscopy / Yong J., Li-Lung L., Jian-Jun Z. //Microelectronics Reliability. – 2012. - № 52. – P. 159-164.177147.Duhayon N.

Experimental study and optimization of scanning capacitancemicroscopy for two-dimensional carrier profiling of submicron semiconductor devices./ Duhayon N. // Katholieke Universiteit Leuven. – 2006. – P. 215.148.Experimental study and optimization of scanning capacitance microscopy fortwo-dimensional carrier profiling of submicron semiconductor devices. P. 36.149.Experimental study and optimization of scanning capacitance microscopy fortwo-dimensional carrier profiling of submicron semiconductor devices. P. 37.150.Инструкция«Контактнаясканирующаяемкостнаямикроскопия».[Электронный ресурс]. // ЗАО «НТ МДТ» [Официальный сайт].

URLhttp://www.ntmdt.ru/support.html. (дата обращения: 1.04.2015).151.Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Калугин В.В. Определение подинамическим вольт-фарадным характеристикам электрофизических свойств иоднородности толщин структур кремний на изоляторе. Оборонный комплекс –научно-техническому прогрессу России. – 2005. - №2. – С. 45 – 49.152.Сканирующая емкостная микроскопия (SCM).

[Электронный ресурс]. //ООО«Промэнерголаб»[Официальныйсайт].URLhttp://www.czl.ru/applications/scaning-capacitance-microscopy-scm/.htm.153.Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учебное пособие. / В.А.Гуртов. – М., 2005. – 492 с.154.Твердотельная электроника: Учебное пособие. С. 93.155.Kurokawa S., Sakai A. Gap dependence of the tip-sample capacitance/Kurokawa S., Sakai A. // Journal of applied physics. – 1998.

– Vol. 83, № 12. – P.7416-7423.156.Effectivetipradiusinelectrostaticforcemicroscopy./ Sacha G. [et al.]. // Applied physics letters. – 2005. –№ 86. – P. 1-3.157.Experimental study and optimization of scanning capacitance microscopy fortwo-dimensional carrier profiling of submicron semiconductor devices. P. 92.158.Краткий справочник физико-химических величин.

Под редакциейРавделя А.А. и Пономарева А.М. Санкт-Петербург: «Иван Федоров», 2002. 240 с.178159.Kelvin probe force microscopy in application to biomolecular films:frequency modulation, amplitude modulation, and lift mode. / Moores B. [et al.]. //Ultramicroscopy. – 2010. -№ 110. – P. 708-711.160.Kelvin probe force microscopy and its application. / Melits W. [et al.]. //Surface Science Reports.

– 2011. – № 66. – P. 1-27.161.Alexander J., Magonov S., Moeller M. Topography and surface potential inKelvin force microscopy of perfluoroalkyl alkane’s self-assemblies. / Alexander J.,Magonov S., Moeller M. // J. Vac. Sci. Technol. – 2009. – № 27. – P. 903-911.PeakForce Kelvin probe force microscopy. [Электронный ресурс]. //162.Bruker.

[Официальный сайт]. URL http://www.bruker.com/KPFM.htm.163.De Nardi C., Beaudoin F., Gauffier J. EEPROM failure analysismethodology: can programmed charges be measured directly by electrical techniquesof scanning probe microscopy?. / De Nardi C., Beaudoin F., Gauffier J. // Proceedingsof the 31nd International Symposium for Testing and Failure Analysis. – 2005. – P.256-261.164.al.].Failure analysis using scanning Kelvin probe microscopy. / Hochwitz T. [et//in1994FallMeetingoftheIBMfailureanalysistechnicalexchange. – 1994. – P. 9.165.AlvarezD.ScanningSpreadingResistanceMicroscopyforthecharacterization of advanced silicon devices. / Alvarez D.

// IMEC. – P. 135.166.Scanning Spreading Resistance Microscopy for the characterization ofadvanced silicon devices. P. 16-18.167.Fault localization in contact level by using conductive atomic forcemicroscopy. P.416.168.Денисенко В. Моделирование МОП транзисторов. / Денисенко В. //Компоненты и технологии. – 2004. – № 7. – С. 26-29., № 8. – С. 56-61., № 9. – С.32-39.169.Зотов С. 3D – моделирование электрических характеристик КНИ МОП-транзисторов О-типа с субмикронными размерами областей. / Зотов С.

//Молодежный научно-технический вестник. – 2012. – № 10. – С. 1-11.179170.Учебноепособие.Моделированиеполевыхполупроводниковыхприборов в САПР ISE TCAD. / Асессоров В., Быкадорова Г., Ткачев А. –Воронеж, 2007. – 27с.171.Synopsys. Application. [Электронный ресурс]. // Synopsys [Официальныйсайт]. URL http://www.synopsys.com.172.Моделирование 3D наносхемотехники. / Н.К.

Трубочкина. – М. :БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 499 с. : ил., [24]с. цв. вкл.173.Принципы работы и устройство флеш-памяти. [Электронный ресурс]. //Hobbyits.com [Официальный сайт]. URL http://www. hobbyits.com.174.Y. Tkachev, X. Liu, and A. Kotov. Floating-gate corner-enhanced poly-to-poly tunneling in split-gate Flash memory cells. / IEEE Trans. El.

Dev. – 2012. –Vol.59. – №.1. – P.5-11.175.Flash.Nonvolatile/J.Brewer,MemoryM.GillTechnologies//InstituteofwithElectricalEmphasisandonElectronicsEngineers. – 2008. – P. 759.176.Тимошенков С.П., Калугин В.В., Прокопьев Е.П. Разработка методовхимической обработки Si пластин, предназначенных для получения структуркремний на изоляторе.

I. Химические взаимодействия на поверхности прижидкостных обработках пластин кремния. Материаловедение. – 2002. - № 8. –С. 10-16.177.Kotov A. Three generarions of Embedded SuperFlash split gate cell: scalingprogress and challenges. // Leti Innovation Days – Memory Workshop 2013. – 2013. –P. 1-37..

Характеристики

Список файлов диссертации

Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики электрофизических параметров элементов хранения энергонезависимой памяти
Документы
Свежие статьи
Популярно сейчас
Почему делать на заказ в разы дороже, чем купить готовую учебную работу на СтудИзбе? Наши учебные работы продаются каждый год, тогда как большинство заказов выполняются с нуля. Найдите подходящий учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6311
Авторов
на СтудИзбе
312
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее