Диссертация (1091051)
Текст из файла
Московский государственный университет информационных технологий,радиотехники и электроникиНа правах рукописиШиколенко Юрий ЛеонидовичРАЗВИТИЕ МЕТОДОВ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ ДЛЯДИАГНОСТИКИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕМЕНТОВХРАНЕНИЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИСпециальность: 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронныекомпоненты, микро- и наноэлектроника, приборы наквантовых эффектахДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата технических наукНаучный руководитель:член-корр.
РАН, доктор физ.-мат. наукЛукичев Владимир ФедоровичМосква – 20152СодержаниеСодержание ...................................................................................................................... 2ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСИКА РАБОТЫ ................................................ 6ГЛАВА 1.
СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЗАПОМИНАЮЩИХУСТРОЙСТВ ................................................................................................................. 111.1 Современное состояние индустрии микроэлектроники .................................. 111.1.1 Тенденции развития рынка микроэлектроники .......................................... 111.1.2 Технологические особенности производства современных ИМС ........... 131.1.3 Перспективные технологические решения в микроэлектронике ............. 181.2 Особенности функционирования полупроводниковых ЗУ ............................. 201.2.1 Особенности развития рынка запоминающих устройств ..........................
201.2.2 Классификация запоминающих устройств ................................................. 211.2.3 Современные типы энергозависимой памяти ............................................. 231.2.4 Перспективные разработки в области энергозависимой памяти .............. 241.2.5 Перспективные разработки в области энергонезависимой памяти .......... 261.2.6 3D NAND flash-память ..................................................................................
301.3 Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) на основе хранения заряда .. 331.3.1 Классификация ПЗУ на основе хранения заряда........................................ 341.3.2 Ячейки памяти с плавающим затвором ....................................................... 391.3.3 Ячейки памяти, выполненные по технологии захвата заряда ................... 451.3.4 Многоуровневые запоминающие устройства (MLC) ................................ 501.4 Выводы по главе................................................................................................... 53ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ОТКАЗОВВ ЭЛЕМЕНТАХ ХРАНЕНИЯ FLASH-ПАМЯТИ ....................................................
552.1. Отказы в современных интегральных микросхемах ....................................... 552.1.1 Актуальность анализа отказов ИС ............................................................... 552.1.2 Виды и причины отказов ИС ........................................................................ 592.1.3 Методики анализа отказов ИС ..................................................................... 632.2. Анализ отказов ячеек flash-памяти ...................................................................
672.2.1 Виды отказов ячеек flash-памяти ................................................................. 6932.2.2 Вероятность отказа ячейки памяти .............................................................. 702.2.3 Измерение электрофизических характеристик ячеек памяти ................... 712.3 Причины возникновения отказов в элементах памяти ....................................
742.3.1 Дефекты оксида .............................................................................................. 752.3.2 Ионная контаминация ................................................................................... 772.3.3 Термоэлектронная эмиссия ........................................................................... 772.3.4 Дефекты контактных областей ячеек памяти ............................................. 782.3.5 Пробой оксидного слоя .................................................................................
812.3.6 Стресс-индуцированный ток утечки ............................................................ 822.3.7 Эффект избыточного удаления .................................................................... 842.4 Электрофизические механизмы отказов ячеек памяти .................................... 852.4.1 Эффекты избыточного накопления основных/неосновных носителейзаряда в ячейках памяти на основе хранения заряда .......................................... 872.4.2 Механизм генерации ловушек заряда ..........................................................
892.4.3 Межзонный туннельный ток ........................................................................ 912.5 Выводы по главе................................................................................................... 93ГЛАВА 3. МЕТОДЫ СЗМ В ИССЛЕДОВАНИИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХПАРАМЕТРОВ МДП-СТРУКТУР ..............................................................................
953.1 Сканирующая зондовая микроскопия: классификация методик ивозможности их практического применения .......................................................... 953.1.1 Концептуальные особенности СЗМ ............................................................. 953.1.2 Классификация методик СЗМ ...................................................................... 963.1.3 Возможности методов СЗМ в исследовании полупроводниковыхструктур ................................................................................................................... 973.2.
Контактная сканирующая емкостная микроскопия ...................................... 1053.2.1 Ключевые принципы и явления, лежащие в основе работы методикиКСЕМ ..................................................................................................................... 1053.2.2 Практическое применение методики КСЕМ в исследовании емкостныххарактеристик МДП-структур ............................................................................. 11043.2.2.1 Измерения емкостных характеристик МДП-структур на основе СЗМ.Определение понятий чувствительности методики КСЕМ.
Характеристикиисследуемого образца ........................................................................................ 1103.2.2.2 Построение и анализзависимостей для МДП-структур сразличными емкостными характеристиками .................................................. 1123.2.2.3 Анализ влияния радиуса и проводящего покрытия зонда СЗМ начувствительность метода КСЕМ. ..................................................................... 1163.2.2.4 Анализ влияния толщины подложки на чувствительность методикиКСЕМ по величине пропорциональной емкости МДП-структуры. ............. 1203.3 Исследование поверхностного потенциала МДП-структур методом зондаКельвина....................................................................................................................
1213.3.1. Теоретические основы работы метода зонда Кельвина.......................... 1213.3.2. Определение чувствительности измерений МЗК .................................... 1243.4 Метод отображения сопротивления растекания ............................................. 1253.4.1. Исследование особенностей работы метода отображения сопротивлениярастекания .............................................................................................................. 1253.4.2. Оценка практических возможностей метода отображения сопротивлениярастекания по измерению электрофизических параметров полупроводниковыхструктур .................................................................................................................
1273.5 Выводы по главе................................................................................................. 129ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕМЕНТОВ ХРАНЕНИЯЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ МЕТОДАМИ СЗМ..................................... 1314.1 Моделирование ячеек энергонезависимой памяти двухтранзисторного типа иячеек с расщепленным затвором ............................................................................
1314.1.1 Возможности применения САПР TCAD для исследованияэлектрофизических параметров элементов хранения энергонезависимойпамяти..................................................................................................................... 1314.1.2 Структура и особенности функционирования ячеек памятидвухтранзисторного типа и ячеек с расщепленным затвором ......................... 13454.1.3 Построение моделей ячеек памяти двухтранзисторного типа и ячеек срасщепленным затвором в САПР TCAD............................................................ 1364.2 Определение соответствия СЗМ и СРЭМ изображений структурыисследуемых ячеек энергонезависимой памяти ...................................................
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
