Список публикаций Тимошенкова (1091043)
Текст из файла
1. «Распределениетемпературыподлинетермомеханическогоактюатора».Тимошенков С.П., Самойликов В.К.,. Евстафьев С.С и др.Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т.20, №4.– С.397–404.2. «Лазерная модификация монокристаллического кремния в МЭМС».Зуев Е.В., Тимошенков С.П., Кузнецова Л.И., Калугин В.В., ЧжоМье Аунг.Сборник тезисов медународной конференции «Микроэлектроника2015». Интегральные схемы и микроэлектронные модули: проектирование,производство и применение.
ТЕХНОСФЕРА. – М., 2015. – С. 246-247.3. «Структурные и фазовые изменения в стеклообразном GeSe2 при егоизотермическом отжиге ниже и выше TG».Александрович Е.В., Минаев В.С., Тимошекнов С.П.Сборник трудов IX Международной конференции "Аморфные имикрокристаллическиеполупроводники".Санкт-Петербург.–2014–С. 213-214.4.
«Оптимизация прогрессов глубокого травления кремния для МЭМСструктур.»Виноградов А.И., Зярянкин Н.М., Тимошенков С.П.Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. –2013. – Вып. 2. – С. 68-73.5. «Нанохарвестер пьезоэлектрической энергии на основе массиванитевидных нанокристалов ZnO и плоского медного электрода.»Гаврилов С.А, Громов Д.Г., Козьмин А.М., Назаркин М.Ю.,Тимошенков С.П., Шулятьев А.С., Кочурина Е.С.Физика твердого тела. – 2013. – Т. 55. – Вып. 7.
– С. 1376-1379.6. «StructureandrelaxationprocessesofchalcogenideAs-Se system».Minaev V., Kalugin V., Timoshenkov S, Mukimov D.lassesofThe 23 International Congress on Glass. 2013. 1-5 juli, Prague, CzechRepublic. – 2013. – P. 297-298.7. «Glass transition process – interrelation between kinetic, thermodynamicand structural features».Minaev V., Timoshnkov S., Novikov S., Kalugin V., Mukimov D.12 International conference on the Structure of non crystalline materials.2013.
july 7-12, Riva Del Garda-Italy. – 2013 – P. 254.8. «Анализ шероховатости профиля плазмохимического травлениякремния».Виноградов А.И., Тимошенокв С.П.VIII Int. Symp. Combustion&Plasmochemistry. 2013. September 18-20.Almaty, Republic of Kazakhstan. – 2013 – P. 57-60.9. «Electrophysical properties of phase change memory materials on thepseudo-binary line GeTe-Sb2Te3».Yakubov A., Terekhov D., Sherchenkov A., Kozyuhhin S., Lazarenko P.,Babich A., Timoshenkov S., Gromov D., Shuliatyev A.Journal of Physics: Conference Series.
2015. Vol. 643. pp.012104-1 012104-610. «Influence of Bi Doping on the Electrical Properties of Ge2Sb2Te5 ThinFilms for Phase Change Memory Application»Lazarenko P., Sherchenkov A., Kozyukhin S., Babich A., Timoshenkov S.,Gromov D., Yakubov A.,Terekhov D.2015 International Conference on Computer Science and InformationEngineering (CSIE 2015). June 28–29, 2015, Bangkok, Thailand. DEStechPublications, Inc., 439 North Duke Street, Lancaster, Pennsylvania 17602 U.S.A.pp.487-492. ISBN:978-1-60595-255-011.
«Influence of Ti doping on the properties of Ge-Sb-Te thin films forphase change memory»Sherchenkov A., Kozyukhin S., Lazarenko P., Babich A., Timoshenkov S.,Gromov D., Yakubov A., Terekhov D.Solid State Phenomena (Scopus, WEB of Science, принято к публикации в2016 г.).12. «Investigation of the crystallization kinetics in the phase-change memorymaterials of Ge-Sb-Te system».Sherchenkov A., Kozyukhin S., Babich A., Lazarenko P., Timoshenkov S.,Shuliatyev A., Baranchikov A.MaterialsScienceinSemiconductorProceedings(Scopus,вредакции 2016 г.).13.
«Electrical properties and transport mechanisms in Ge-Sb-Te thin films».Lazarenko P., Sherchenkov A., Kozyukhin S., Babich A., Timoshenkov S.,Shuliatyev A., Kudoyarova V.JournalofOptoelectronicsandAdvancedMaterials(Scopus,вредакции 2016 г.).14. «Electrical properties of the Ge2Sb2Te5 thin films for phase changememory application».Lazarenko P., Sherchenkov A., Kozyukhin S., Babich A., Timoshenkov S.,Gromov D., Shuliatyev A., Redichev E.AIP Proceedings (Scopus, WEB of Science, в редакции 2016 г.).15.
«Электрофизические свойства тонких пленок системы Ge-Sb-Te дляустройств фазовой памяти».Лазаренко П.И., Козюхин С.А., Шерченков А.А., Бабич А.В.,Тимошенков С.П., Громов Д.Г., Козик В.В.Известия вузов. Физика (Scopus, в редакции 2016 г.).16. «Исследование электрофизических и термоэлектрических свойствтонких пленок Ge2Sb2Te5».Лазаренко П.И., Шерченков А.А., Козюхин С.А., Бабич А.В., ТереховД.Ю., Тимошенков С.П., Баранчиков А.Е., Шулятьев А.С.Физика и техника полупроводников (Scopus, в редакции 2016 г.)..
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
