Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1091051), страница 22

Файл №1091051 Диссертация (Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики электрофизических параметров элементов хранения энергонезависимой памяти) 22 страницаДиссертация (1091051) страница 222018-01-18СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 22)

Metal contacts to MoS2: a two-dimensional semiconductor / Neal A.T. //Device Research Conference. – 2012. – P. 65-66.28.Aouaj A., Bouziane A. Nanotube carbon transistor (CNTFET) / Aouaj A., Bouziane A.// ICMCS. – April 2009. – P.236-239.29.Tarasov A., Wipf M., Nef C. Sensing with liquid-gated grapheme field-effecttransistors / Tarasov A., Wipf M., Nef C. // 12th Conference of IEEE-NANO. Aug. –2012. – P. 1-2.30.Lu J.G., Chang P-C. ZnO nanowire field effect transistors / Lu J.G., Chang P-C.

//IEEE International Electron Devices. Vol. 55. Issue: 11. Nov. 2008, pp. 2977-2987.31.Chen C-W., Tzeng J-Y. High-performance Germanium p- and n-MOSFETs with NiGeSource/Drain / Chen C-W., Tzeng J-Y.// IEEE International Electron Devices. – Vol.61. – Issue: 8. – Aug. 2014. – P.

2656-2661.32.Aono M., Hasegawa T. The Atomic Switch / Aono M., Hasegawa T. // Proceeding ofthe IEEE. – Vol. 98. – Issue: 12. – Dec. 2010. – P. 2228-2236.33.Yinug F. The rise of the Flash memory market: Its impact on firm behavior and globalsemiconductor trade patterns / Yinug F. // Journal of International Commerce andEconomics. – July 2014. – P. 34.34.Shenouda D., Peplow R.

Digital system design – use of microcontroller / Shenouda D.,Peplow R. // River Publishers, – 2011. – P. 255-258.35.Mohammad B. Low leakage power SRAM cell for embedded memory / Mohammad B.// Innovations in Information Technology. – April 2011. – P. 367-370.36.Hidaka H., Matsuda Y., Asakura M. The optimize embedded DRAM / Hidaka H.,Matsuda Y., Asakura M. // IEEE Micro. – Vol. 10. – Issue: 2. – April 2002. – P. 14-25.37.Nemati F. A novel thyristor-based SRAM cell (T-RAM) for high-speed, low-voltage,giga-scale memories / Nemati F. // IEEE IEDM Tech. Dig. – Dec.

1999. – P. 283-286.16738.Okhonin S., Fazan P., Jones M.E. Zero capacitor embedded memory technology forsystem on chip / Okhonin S., Fazan P., Jones M.E. // IEEE MTDT. – Aug. 2005. –P.21-26.39.Arimoto K., Morishito F., Hayashi I. High-density scalable twin transistors RAM(TTRAM) with verify control for SOI platform memory / Arimoto K., Morishito F.,Hayashi I. // Solid-State Circuits, IEEE Journal. – Vol.

42, – Issue 11. – Nov. 2012. –P. 2611-2619.40.Bohac C. Comparing technologies: MRAM vs. FRAM. / Bohac C. // EverspinTechnologies. – March 2013. – P. 1-6.41.Hughes B. Magnetoresistive random access memory (MRAM) and reliability / HughesB. // Integrated Reliability Workshop Final Report. – Oct. 2003. – P. 169-174.42.Burr G. W., Breitwisch M. J., Francesschini M. Phase change memory technology /Burr G. W., Breitwisch M. J., Francesschini M. // Journal of Science and Technology. –Vol.

28. – Issue 2. – Apr. 2010. – P. 223-262.43.Seo J.Y., Kim Y., Lee S-H. A study on gate-All-around (GAA) polycrystalline siliconchannel SONOS flash memory / Seo J.Y., Kim Y., Lee S-H. // INEC. – 2013. – P. 313.44.Prince B. Vertical 3D Memory Technologies / Prince B. // John Wiley & Sons Ltd.Chichester, UK. – Vol.1. – 2014.

– P. 4-31.45.Kim J., Hong A. J., Kim S. M. A stacked memory device on logic 3D technology forultra-density data storage / Kim J., Hong A. J., Kim S. M. // Nanotechnology IOPPublishing. – Vol. 22. – 2011. – P. 1-7.46.Lue H.T., Hsu T.H., Hsiao Y.H. A highly scalable 8-layer 3D Vertical-Gate (VG) TFTNAND flash using junction-free buried Channel BE-SONOS device / Lue H.T., HsuT.H., Hsiao Y.H. // VLSI Symposia on Technology.

– 2010. – P. 131-132.47.Katsumata R. Pipe-shaped BiCS flash memory with 16 stacked layers and multi-levelcell operation for ultra-high density storage devices / Katsumata R. // VLSI Symposiaon Technology. – June 2009. – P. 135-137.16848.Jang J., Kim H-S., Cho S. Vertical cell array using TCAT(Terabit Cell ArrayTransistor) technology for ultra-high density NAND flash memory / Jang J., Kim H-S.,Cho S. // VLSI Symposia on Technology. – 2009.

– P.192-193.49.Kim J., Hong A-J., Sung M. Novel Vertical-Stacked-Array-Transistor (VSAT) forultra-high-density and cost-effective NAND Flash memory devices and SSD / Kim J.,Hong A-J., Sung M. // VLSI Symposia on Technology. – 2009. – P.187-189.50.Lue H-T. Charge-Trapping (CT) Flash and 3D NAND Flash / Lue H-T. // MacronixInternational Co., Ltd. Macronix International Co., Hsinchu, Taiwan. – 2011. – P. 45.51.Bertagnolli, E., Hofmann, F., Willer, J. ROS: an extremely high density mask ROMtechnology based on vertical transistor cells / Bertagnolli, E., Hofmann, F., Willer, J.

//VLSI Symposia on Technology. – 1996. – P.58-59.52.Yoshikawa K., Mori S., Kaneko Y. 0.6 mu m EPROM cell design based on a newscaling scenario / Yoshikawa K., Mori S., Kaneko Y. // IEDM. Technical Digest. –1989. – P.587-590.53.Nakagawa K., Yoshida K., Masuda S. A flash EEPROM cell with self-aligned trenchtransistor and isolation structure / Nakagawa K., Yoshida K., Masuda S. // VLSISymposia on Technology, – 2000. – P.124-125.54.Tsuji N., Ajika N., Yuzuriha K. New Erase Scheme for DINOR Flash MemoryEnhancing Erase/Write Cycling Endurance Characteristics / Tsuji N., Ajika N.,Yuzuriha K.// IEDM Tech. Dig.

Dec. – 1994. – P. 53–56.55.Bez R., Camerlenghi E. Introduction to Flash Memory / Bez R., Camerlenghi E. //Non-Volatile Memory Process Development, STMicroelectronics. – Vol.41. – No. 4. –2003. – P. 489-496.56.Rössler B., Müller R. Electrically Erasable and Reprogrammable Read-Only MemoryUsing the n-Channel SIMOS One-Transistor Cell / Rössler B., Müller R. // IEEE Trans.Electron Devices. – Vol. 24. – 2001. – P.

806-814.57.Guterman D., Rimawi I., Chiu T. An Electrically Alterable Nonvolatile Memory CellUsing a Floating Gate Structure / Guterman D., Rimawi I., Chiu T. // IEEE Trans.Electron Devices. – Vol. 24. – 1998. – P. 816-821.16958.Ning T. H. Hot-Electron Emission from Silicon into Silicon Dioxide / Ning T. H. //Solid-State Electronics.

– Vol. 21. – 1999. – P. 273.59.Tsuji N., Ajika N., Yuzuriha K. New Erase Scheme for DINOR Flash MemoryEnhancing Erase/Write Cycling Endurance Characteristics / Tsuji N., Ajika N.,Yuzuriha K. // IEDM Tech. Dig. – 1994. – P. 53.60.Kamiya M., Kojima Y., Kato Y. EPROM Cell with High Gate Injection Efficiency /Kamiya M., Kojima Y., Kato Y.

// IEDM Tech. Dig. – 2006. – P. 741.61.Van Houdt J., Heremans P., Deferm L. Analysis of the Enhanced Hot - ElectronInjection in Split-Gate Transistors Useful for EEPROM Applications / Van Houdt J.,Heremans P., Deferm L. // IEEE Trans. Electron Devices. – Vol. 39. – 2002. – P. 1150.62.Tsai H.W., Chaing P.Y., Chung S.S. The performance and reliability enhancement ofETOX p-channel flash EEPROM cell with p-doped floating-gate / Tsai H.W., ChaingP.Y., Chung S.S. // VLSI Symposia on Technology. – 2003. – P.36-39.63.Lee J., Dham V.K. Design considerations for scaling FLOTOX E2PROM cell / Lee J.,Dham V.K. // IEDM. Technical Digest. – 2000.

– P. 582-593.64.Chen B. Highly Reliable SuperFlash® Embedded Memory Scaling for Low PowerSoC / Chen B. // VLSI Symposia on Technology. – 2007. – P.1-2.65.Kuo C., Toms T., Wiedner M. A microcontroller with 100 K bytes embedded flashEEPROM / Kuo C., Toms T., Wiedner M. // 4th International Conference Solid-Stateand Integrated Circuit Technology. – 1995.

– P. 138-140.66.Nair D.R., Shukuri S., Mahapatra S. Cycling endurance of NOR flash EEPROM cellsunder CHISEL programming operation - impact of technological parameters andscaling / Nair D.R., Shukuri S., Mahapatra S. // IEDM. – Vol.51. – Issue:10. – 2004. –P. 1672-1678.67.Lin C-N., Farenc D., Singh D. A novel Uniform-Channel-Program Erase (UCPE) flashEEPROM using an isolated P-well structure / Lin C-N., Farenc D., Singh D.

// IEDM. –Vol.48. – Issue:10. – 2004. – P. 779-782.68.Bartoli J., Della Marca V., Regnier A. A new non-volatile memory cell based on theflash architecture for embedded low energy applications: ATW (Asymmetrical Tunnel170Window) / Bartoli J., Della Marca V., Regnier A. // International SemiconductorConference (CAS). – 2014.

– P. 117-120.69.Chang S., Kuo S.N. Performance and reliability evaluations of p-channel flashmemories with different programming schemes / Chang S., Kuo S.N. // IEDM. –Vol.39. – Issue:10. – 1997. – P. 295-298.70. Garth K. Pipeline defects in flash devices associated with ring OSF / Garth K. //Journal of Crystal Growth.

No. 204. – 1999. – P. 462.71.Kuo C., Chrudimsky D., Jew T. A 32-Bit RISC Microcontroller with 448K Bytes ofEmbedded Flash Memory / Kuo C., Chrudimsky D., Jew T. // International NVMTechnology Conference. Albuquerque. – June 1998. – P.28–33.72.Markov V., Liu X., Kotov A. Superflash memory program/erase endurance / MarkovV., Liu X., Kotov A. // NVM Tech. Symp. – 2003. – P. 231-234.73.Liu X., Markov V., Kotov A.

Endurance characteristics of SuperFlash memory / LiuX., Markov V., Kotov A. // ICSICT. – 2006. – P. 763-765.74.Markov V., Liu X., Kotov A. Tunneling phenomenon in SuperFlash cell / Markov V.,Liu X., Kotov A. // NVM Tech. Symp, – 2002. – P. 110-115.75.Lusky E., Mitenberg G. Investigation of Channel Hot Electron Injection by LocalizedCharge-Trapping Nonvolatile Memory Devices / Lusky E., Mitenberg G. // IEEETransactions on Electron Devices.

– Vol.51. – No.3. – 2004. – P. 444-456.76.Peters C. Advancement in Charge Trap Flash Memory Technology / Peters C. // CTOFlash Memory Summit. – 2013. – P. 54-65.77.Walker A.J. TFT-SONOS memory cell for ultra-high density file storage applications /Walker A.J. // VLSI Symposia on Technology.

– 2003. – P.29-30.78.Lee J., Cho H., Choi S. Omega flash cell SONOS device built on bulk Si wafer / Lee J.,Cho H., Choi S. // Device Research Conference. – 2003. – P. 34-56.79.Su C-J., Su T-K., Tsai T-I. A junctionless SONOS nonvolatile memory deviceconstructed with in situ-doped polycrystalline silicon nanowires / Su C-J., Su T-K.,Tsai T-I. // INEC. – 2011.

Характеристики

Список файлов диссертации

Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики электрофизических параметров элементов хранения энергонезависимой памяти
Документы
Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6381
Авторов
на СтудИзбе
308
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее