Главная » Просмотр файлов » Физические основы методов исследования наноструктур

Физические основы методов исследования наноструктур (1027625), страница 15

Файл №1027625 Физические основы методов исследования наноструктур (Раздаточные материалы от преподавателя) 15 страницаФизические основы методов исследования наноструктур (1027625) страница 152017-12-21СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 15)

Действительно, прималых углах α << 1 глубина анализируемого поверхностного слоясоставляет d = λ sin α ≈ λα << λ , где λ – длина свободного пробега фотоэлектрона. Если разрешение спектрометра меньше поверхностного сдвига, спектральные линии, полученные при нормальном и скользящем углах вылета фотоэлектронов, будут различаться только асимметрией, проявляющейся при малых α со стороны, соответствующей направлению поверхностного сдвига энергии связи. При достаточно хорошем разрешении спектрометра ииспользовании монохроматического излучения удается получитьотдельные разрешенные пики объемной и поверхностной компонент (см. рис.2.22, б).Размерный сдвиг энергии связиРазмерный сдвиг энергии связи наблюдается в объектах, электронная структура которых изменяется с изменением их размера(т.е.

числа атомов в них). К таким объектам относятся нанокластеры, т.е. объединения из десятков и сотен взаимодействующих другс другом атомов с размерами от единиц до десятков нанометров. Суменьшением размера и числа атомов в кластере происходит возрастание доли его поверхностных атомов относительно объемных,а при достаточно малых размерах, когда разделение на поверхностные и объемные атомы теряет смысл, начинается общее изменениеэлектронной структуры кластера. Экспериментальные исследования свойств нанокластеров методом РФЭС, активно проводимые втечение последних тридцати лет, показывают наличие размерныхсдвигов энергии связи остовных уровней атомов кластеров металлов, проявляющиеся при размерах кластеров d = 1 ÷ 4 нм и достигающие значений ΔBE ≤ 1 эВ.

На рис.2.23 показаны полученныеиз анализа РФЭ спектров зависимости сдвига энергии связи83ΔBE = BE (d ) − BE bulk электрона на остовном уровне 2p3/2 для кластеров Ni, Co, Cr и Cu, сформированных на поверхности графита,от среднего размера кластеров ( BE bulk . – энергия связи электрона вметалле). Видно, что с уменьшением размера кластера (d<5 нм)энергия связи возрастает.Рис. 2.23. Экспериментальные зависимости сдвига энергии связи ΔBE остовногоуровня 2p3/2 кластеров Ni, Co, Cr и Cu на поверхности графита ВОПГ(0001) отсреднего размера кластеров dВ отличие от поверхностных сдвигов, размерные сдвиги энергиисвязи в кластерах обусловлены в равной степени как изменениемэнергии начального состояния, так и изменением энергии конечного состояния (энергии релаксации).

Для экспериментального разделения вкладов в сдвиг энергии связи эффектов начального и конечного состояний используют так называемый метод ожепараметра. Суть данного метода заключается в следующем.Рассмотрим сдвиг энергии связи некоторого остовного уровня j,фотоионизация которого приводит к оже-рекомбинации с ожепереходом jkl. В соответствии с выражениями (2.55) и (2.34) кинетическую энергию оже-электрона можно представить в виде:KE jkl = BE j − BE k − BE l − ϕ =(2.60)= ε j − R j − ε k − ε l + R kl − Fkl − ϕ .Здесь Rkl – энергия релаксации конечного дважды ионизованногосостояния оже-перехода, Fkl – энергия взаимодействия двух дырокна уровнях k и l в конечном состоянии. Тогда изменение энергии84связи остовных уровней атомов кластера при изменении его размера также приведет к изменению кинетической энергии ожеэлектрона:ΔKE jkl = Δε j − ΔR j − Δε k − Δε l + ΔRkl − ΔFkl .

(2.61)Поскольку для многих элементов в РФЭ спектрах присутствуютлинии оже-серий, то не представляет труда определить сдвигиэнергии связи ΔBE j и кинетической энергии ΔKE jkl .Сумма энергии связи и кинетической энергии оже-электрона,родившегося в результате оже-перехода с участием исходного фотоионизованного уровня, называется оже-параметром α ′ (не путать с индексом сингулярности α !):α ′ = BE j + KE jkl .(2.62)Данная величина была впервые введена Вагнером (Wagner) и такжеможет использоваться для идентификации элементов и химическихсоединений в методе РФЭС. Преимуществом использования ожепараметра является его независимость от статической зарядки,имеющей место для непроводящих образцов и приводящей к сдвигу всего спектра как целого на величину поверхностного потенциала заряженного образца ϕ q .

Действительно, в этом случае измеряемая энергия связи всех спектральных линий увеличивается наϕ q (при положительной зарядке), а кинетическая энергия линийоже-электронов, наоборот, уменьшается на то же значение ϕ q , такчто величина α ′ остается неизменной.Размерный сдвиг оже-параметра, в соответствии с (2.61), (2.62) и(2.59). представляется в виде:Δα ′ = ΔBE j + ΔKE jkl == Δε j − ΔR j + Δε j − ΔR j − Δε k − Δε l + ΔRkl − ΔFkl = (2.63)= 2Δε j − Δε k − Δε l − 2ΔR j + ΔRkl − ΔFkl .Для упрощения данного выражения делаются следующие предположения 19):19)I. Jirka // Surf. Sci. 232 (1990) p.307.851) изменение энергии начального состояния и энергии конечногосостояния для всех трех уровней j, k и l, одинаково:Δε j = Δε k = Δε l ≡ Δε , ΔR j = ΔRk = ΔRl ≡ ΔR ;2)энергиярелаксациидваждыионизованногосостоянияRkl = 4 R (для оже-переходов jkk, т.е.

для состояний k=l, это действительно так, поскольку энергия релаксации (экранировки) пропорциональна квадрату экранируемого заряда R ~ q 2 , который длядвухдырочного состоянияqkk = 2e , а для однодырочного –qk = e );3) изменение энергии взаимодействия двух дырок в конечном состоянии пренебрежимо мало: ΔFkl = 0 .Согласно Вертхайму 20), эти предположения верны для ожепереходов с участием глубоких остовных уровней, при отсутствииинтенсивных пиков плотности состояний вблизи уровня Ферми. Сучетом этих предположений выражение (2.63) сводится к виду:Δα ′ = 2ΔR.(2.64)Отсюда легко получить, чтоΔ R = Δα ′ / 2Δε = ΔBE + Δα ′ / 2.(2.65)Результаты использования метода оже-параметра для определениязависимостей сдвига энергии начального и конечного состояний отразмера нанокластеров металлов описаны в разделе 2.8.2.6.2.

Вторичная структура РФЭ спектров2.6.2.1. Ложные пики низкой интенсивностиДополнительные пики низкой интенсивности, сопровождающиеистинные фотоэлектронные пики, могут происходить из-за немонохроматичности рентгеновского источника. Действительно, если вспектре возбуждающего рентгеновского излучения помимо основной линии характеристического излучения высокой интенсивностис энергией hv присутствуют дополнительные линии низкой интен20)G.K. Wertheim // Phys. Rev.

B 36 (1987) p.9559.86сивности с другими энергиями hv ′ , то они также могут возбуждатьостовные уровни и, таким образом, давать вклад в РФЭ спектр ввиде сателлитов, отстоящих от истинных линий на величинуΔBE = hv − hv ′ .Дополнительные линии рентгеновского излучения могут возникать вследствие двух причин.Рентгеновские сателлиты, т.е. линии характеристического излучения, возникающего в результате других электронных переходов, приводящих к излучательной рекомбинации.

Так, например, встандартных источниках рентгеновского излучения (Mg, Al) используется линия характеристического излучения K α 12 , возникающая при электронном переходе с уровня 2p на уровень 1s. Помимо этого перехода, существует небольшая вероятность переходана уровень 1s электрона из валентной зоны, приводящего к эмиссиирентгеновского излучения K β , энергия которого отличается отэнергии линии K α 12 на 48 эВ для Mg и на 70 эВ для Al. Соответственно, в РФЭ спектре могут присутствовать сателлиты, отстоящиеот истинных линий на указанные значения энергии.Рентгеновские духи, т.е.

линии характеристического рентгеновского излучения, возникающего вследствие наличия примесей вматериале анода рентгеновской пушки, а также в результате бомбардировки фильтрующего окна рентгеновского источника вторичными электронами (так, для Mg источника в качестве фильтра используется алюминиевая фольга), в результате чего возможно возбуждение характеристического излучения Al Kα, приводящего кпоявлению сателлитов в РФЭ спектре, отстоящих от истинных линий на 1486.6 − 1253.6 = 233 эВ. В том случае, когда Al или Mgпокрытие анода рентгеновской пушки, изготовляемого обычно измеди для улучшения теплоотвода, не является сплошным, рентгеновское излучение может содержать характеристическую линиюCu Lα с энергией hv=929.7 эВ.

В этом случае спектральные линииимеют сателлиты, отстоящие от основных линий на величину1253.6 - 929.7 = 323.9 эВ в случае Mg источника и 1486.6 - 929.7 == 556.9 эВ в случае Al источника.87Рис. 2.24. Обзорный РФЭ спектр золота, полученный с использованием источникарентгеновского излучения Mg Ka с несовершенным анодным покрытием, приводящим к наличию рентгеновских духов Cu La. В спектре указаны все основныелинии Au, а также три сателлита, отстоящие от наиболее интенсивных линий Au 4fи Au 4d на 323.9 эВ в область больших значений энергии связиДля примера на рис.2.24 представлен обзорный РФЭ спектрзолота, полученный при использовании рентгеновского источникаMg K α с несовершенным покрытием медного анода пленкой магния.

Характеристики

Тип файла
PDF-файл
Размер
6,46 Mb
Тип материала
Высшее учебное заведение

Список файлов учебной работы

Свежие статьи
Популярно сейчас
А знаете ли Вы, что из года в год задания практически не меняются? Математика, преподаваемая в учебных заведениях, никак не менялась минимум 30 лет. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6392
Авторов
на СтудИзбе
307
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее