Физические основы методов исследования наноструктур (1027625), страница 41
Текст из файла (страница 41)
Назовите существующие типы поверхностных решеток Браве.2. Почему поверхностная решетка может отличаться от объемной решетки кристалла и какие обозначения используют для поверхностной решетки?3. Что такое угол Брегга?4. В чем состоит описание Лауэ дифракции на кристалличексойрешетке?5. Что такое сфера Эвальда и для чего она используется?6. Чем отличается построение сферы Эвальда для дифракции натрехмерной и двумерной кристаллических решетках?7. Можно ли наблюдать дифракционную картину при отражении электронов с энергией 200 кэВ от поверхности кристалла?8. Какие явления приводят к размытию рефлексов дифракционной картины при дифракции электронов на кристаллической решетке поверхности?254ЗАДАЧИ1. Определить давление остаточных газов в вакуумной камереэлектронного спектрометра, необходимое для того, чтобы в ходеэксперимента поверхность исследуемого образца оставалась атомно-чистой.2.
Определить энергию плазмонных колебаний, возбуждающихся в объемных и поверхностных слоях магния, поверхность которого окислена (диэлектрическая проницаемость оксида магния9.65).3. Найти выражение для энергии иона массой m, претерпевшегодвукратное упругое рассеяние на атомах поверхности с массой M.Начальная энергия иона Е0, угол рассеяния θ.4. Определить энергию кванта рентгеновского излучения hν,необходимую для фотоионизации уровня 2p3/2 металлической меди.5. Показать, что свободный электрон не может поглотить фотон(нет фотоэффекта на свободных электронах).6. При малых напряжениях и температуре туннельный токI ∝ exp(− 2κd ) .
Считая потенциальный барьер между СТМзондом и образцом Δϕ = 4 эВ и точность задания туннельного токаΔI / I = 2 % , определить чувствительность Δd СТМ к расстояниюдо образца d.7. Определить долю туннельного тока I a / I max на расстоянииодного атома a от центра полусферического платинового СТМзонда с радиусом закругления острия R ≈ 100 Å от максимальноготуннельного тока в центре острия Imax при СТМ–поверхности высоколегированного кремния n-типа (работа выхода ϕ = 5 эВ).
Приложенное к зонду напряжение V = −1 В.8. Определить частоту плазмонных колебаний в объеме алюминия зная, что радиус сферы содержащей один валентный электрон,равен rs = 2a B ( a B = 0.529 Å– первый боровский радиус атомаводорода).255Список рекомендуемой литературы1. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры нанотехнологии.– М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007.2. Суздалев И.П.
Нанотехнология: физико-химия нанокластеров,наноструктур и наноматериалов. – М.: КомКнига, 2006.3. Трапезников В.А., Шабанова И.Н. Рентгеноэлектронная спектроскопия сверхтонких поверхностных слоев конденсированныхсистем. – М.: Наука, 1988.4. Праттон М. Введение в физику поверхности. – Ижевск: НИЦ«Регулярная и хаотическая динамика», 2000.5. Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М.Введение в физику поверхности. – М.: Наука, 2006.6.
Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии.– М.: Техносфера, 2004.7. Методы анализа поверхности / Под ред. Зандерны А. – М.:Мир, 1979.8. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. - М.: Мир, 1989.9. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / Под ред.Л. Фирмэнса, Дж. Вэнника, В. Декейсера. – М.: Мир, 1981.10.
Черепин В.Т., Васильев М.А. Методы и приборы для анализаповерхности материалов. – Киев: Наукова думка, 1982.11. Синдо Д., Оикава Т. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия. – М.: Техносфера, 2006.12. Гоулдстейн Дж., Ньюбери Д., Эчлин П., Джой Д., Фиори Ч.,Лифшин Э. Растровая электронная микроскопия и рентгеновскиймикроанализ. – М.: Мир, 1984.13. Нефедов В.И. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопияхимических соединений.
– М.: Химия, 1984.14. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов. – Киев: Наукова думка, 1976.25615. Бриггс Д., Сих М.П. Анализ поверхности методами ожеэлектронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. –М.: Мир, 1987.16. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. – М.: Наука,1974.17. J.F. Watts, J. Wolstenholme, An Introduction to Surface Analysisby XPS and AES, John Wiley & Sons Lts, Chichester, 2003.18. Ирхин В.Ю., Ирхин Ю.П., Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и ихсоединениях. – Екатеринбург: УрО РАН, 2004.19.Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy, Ed. By D. Briggs and J.T. Grant, IM Publications, Chichester, UK,2003.257Троян Виктор ИвановичПушкин Михаил АлександровичБорман Владимир ДмитриевичТронин Владимир НиколаевичФизические основы методов исследованиянаноструктур и поверхности твердого телаУчебное пособиеРедактор Шумакова Н.В.Оригинал-макет изготовлен Пушкиным М.А.Подписанов печать 02.12.2008.
Формат 60×84 1/16Печ. л. 16,25.Уч.-изд. л. 16,25. Тираж 150 экз.Изд. № 4 /126. Заказ №Московский инженерно-физический институт(государственный университет),115409, Москва, Каширское шоссе, д. 31.Типография издательства “ТРОВАНТ”, г. Троицк Московской обл.ДЛЯ ЗАМЕТОК259ДЛЯ ЗАМЕТОК260.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
