Физика-10-11-Задачник-Степанова-2000-ГДЗ (991539), страница 24
Текст из файла (страница 24)
P = 37 Вт; t = 50 мин = 3⋅103 с; m = 0,3 г = 3⋅10–4 кг;k = 10–8 кг/Кл; R – ?; P = UI;22⎛ −8 ⋅ 3 ⋅ 3 ⎞UPm⎛ kt ⎞10 ⎟ = 0 ,37 Ом.= 2 ; I = ; R = P ⎜ ⎟ = 37 ⋅ ⎜ 10R=⎜ 3 ⋅ −4 ⎟Iktm⎝⎠I10⎝⎠1198. Е = 5 кВт ⋅ ч = 1,8⋅107 Дж; U = 10 B; η = 75% = 0,75;k = 3,3⋅10–7 кг/Кл; m – ?E = UIt; I = ηEE 0,75 ⋅ 3,3 ⋅ 10−7 ⋅ 1,8 ⋅ 107; m = kIt = ηk =≈ 0,44 кг.Ut10U1199. При ионизации растворов молекулы распадаются на ионы, приионизации газов – на ионы и электроны.1200. Наступает динамическое равновесие: сколько ионов появляется,столько же и рекомбинирует в нейтральные молекулы или атомы.1201. Для дугового разряда нужна высокая температура, для искрового –высокое напряжение.1202.
Тонкостенную надо присоединить к минусу.1203. Если охладить отрицательный уголь, то дуговой разряд прекратитсяиз-за прекращения термоэлектронной эмиссии. Если охладитьположительный уголь, то дуговой разряд не прекратится.1204. Из-за изменения концентрации свободных зарядов.1205.
Так как ток насыщения на АВ не зависит от напряжения, то онзависит от действия ионизатора.1206. Не изменится, так как не зависит от напряжения.1207. Не наступит.1208. U = 6 кВт = 6⋅103 Вт; Е = 3 МВ/м = 3⋅106 В/м; d – ?U = Ed; d =U 6 ⋅ 103== 2 ⋅ 10−3 м.E 3 ⋅ 1061209. v = 1,83⋅106 м/с; Е = 2,18⋅10–18 Дж; U – ?225mv 2+ eU ;2E=2−3112 ⎞⎛1⎛1mv 2 ⎞⎟⎜ 2 ,18 ⋅ 10−18 − 9 ,1 ⋅ 10 ⋅ 1,83 ⋅ 10 ⎟ ≈ 4 ,1 B.U = ⎜⎜ E −=⎟2 ⎟⎠ 1,6 ⋅ 10−9 ⎜2e⎝⎝⎠9 –1315 –1 32–2 21210. n = 10 c /см = 10 c /м ; S = 100 см = 10 м ;d = 5 см = 5⋅10–2 м; I – ?I=q= nSde = 1015 ⋅ 10−2 ⋅ 5 ⋅ 10−2 ⋅ 1,6 ⋅ 10−19 = 8 ⋅ 10−8 A.t1211. I = 2⋅10–7 мА = 2⋅10–10 А; S = 1 дм2 = 10–2 м2;d = 5 мм = 5⋅10–3 м; n – ?2 ⋅ 10−10I= −2= 2,5 ⋅ 1013 c–1/м3.Sde 10 ⋅ 5 ⋅ 10−3 ⋅ 1,6 ⋅ 10−191212. S = 100 см2 = 10–2 м2 I = 10−10 A; n = 12,5 ⋅ 106 c–1/см3n== 1,25 ⋅ 1013 c–1/м3 ;d − ?d=I10−10== 5 ⋅ 10−3 м.nSl 1,25 ⋅ 1013 ⋅ 10−2 ⋅ 1,6 ⋅ 10−191213.
W = 2,4⋅10–18 Дж; λ = 5 мкм = 5⋅10–6 м; Е – ? v – ?E=W=2,4 ⋅ 10−18W== 3⋅106 B / c;eλ 1,6 ⋅ 10−19 ⋅ 5 ⋅ 10−6mv2; v=22W=m2 ⋅ 2,4 ⋅ 10−189,1 ⋅ 10−31≈ 2,3 ⋅ 106 м/с.1214. d = 10 см = 0,1 м; U = 600 B; W = 1,7⋅10–18 Дж; λ – ?W=eUdW 0,1 ⋅ 1,7 ⋅ 10−18λ; λ ==≈ 1,8 ⋅ 10−3 м.deU 1,6 ⋅ 10−19 ⋅ 6001215. R = 1 кОм = 103 Ом; С = 8 нФ = 8⋅10–9 Ф;d = 3 мм = 3⋅10–3 м; n = 104 c–1 cм–3 = 1010 c–1 м–3; U – ?C=CdSε 0; S=;dε029 ⋅ 10−6 ⋅I = nSde = nC d e = = 1010 ⋅ 8 ⋅ 10−9 ⋅⋅ 1,6 ⋅ 10−19 ≈ 1,3 ⋅ 10−11 A;8,85 ⋅ 10−12ε0U = IR = 1,3 ⋅ 10−11 ⋅ 103 = 1,3 ⋅ 10−8 B.1216. Вследствие очень большого падения напряжения на сопротивлении R.1217.
Около нуля ток равен нулю из-за того, что термоэлектронной эмиссиинет, так как мала температура. На следующем участке вместе с ростомтемпературы растет и ток, так как увеличивается число вылетевших в226единицу времени электронов. В дальнейшем наступает динамическоеравновесие: сколько электронов вылетает, столько же и возвращается накатод лампы, то есть ток не зависит от температуры.1218.
I(T3) принадлежит более высокотемпературному катоду, I (T2) –среднему, I (T1) – самому холодному. Около нулевого напряжения триграфика совпадают из-за образования электронного облака около катода.1219. По схеме a, потому что сетка имеет потенциал, равный потенциалукатода; по схеме б потенциалы сетки и анода совпадают.1220.Для отклонения пучка электронов по вертикали и по горизонтали. Ихможно заменить двумя катушками индуктивности, и отклонять пучокмагнитным полем.1221.
l = 240 м; N = 1011; c = 3⋅108 м/с; I – ?I=q Ne Nec 1011 ⋅ 1,6 ⋅ 10−19 ⋅ 3 ⋅ 108==== 2 ⋅10−2 A.l240tlc1222. A = 6,9⋅10–19 Дж; v – ?2mv = A; v =22A=m2 ⋅ 6,9 ⋅ 10−199,1⋅ 10−316≈ 1,23⋅10 м/с.1223. Е = 100 эВ = 1,6⋅10–17 Дж; v – ?m v2= E; v =22E=m2 ⋅ 1,6 ⋅ 10−179,1⋅ 10−31≈ 6⋅106 м/с.1224. v = 8 Мм/с = 8⋅106 м/с; U – ?eU =29,1⋅ 10−31 ⋅ 64 ⋅ 1012mv2; U = mv == 182 B.22e2 ⋅ 1,6 ⋅ 10−191225.
Сила тока одинакова в лампе и полупроводниках.1226. I = 50 мА = 5⋅10–2 А; n – ?n=5 ⋅ 10−2I17=≈ 3,1⋅10 1/c.e 1,6 ⋅ 10−191227. Напряжение колеблется от 44 В до 50 В. На рисунке не расставленыточки А, В, С, D, на другие вопросы задачи ответить невозможно.1228. U = 16 кВ = 1,6⋅104 В; l = 30 cм = 0,3 м; t – ?По закону сохранения энергии2eU = mv ; v =2t=2lU;m9,1⋅ 10−31lm=l= 0,3 ⋅≈ 4 ⋅10−9 c.v2eU2 ⋅ 1,6 ⋅ 10−19 ⋅ 1,6 ⋅ 10−41229.
Sx = 0,2 мм/В; Sу = 0,28 мм/В; l = 50 мм;Ux – ? Uy – ?227l = Sy U y ; U y =lSy=50l50≈ 179 B; l = Sx U y ; U x ==≈ 250 B.0,28Sx 0,21230. EK = 8 кэВ = 1,28⋅10–15 Дж; х = 4 см = 0,04 м;l = 2 см = 0,02 м; у = 0,8 см = 0,008 м; U – ?vx =x2EK;t ==mvx4lyE Km2EK=Uex24lE K;4 ⋅ 1,28 ⋅ 10−15 ⋅ 0,02 ⋅ 0,008= 3,2 ⋅ 10−3 B.−4⋅1,6⋅10ex16⋅101231. U = 5 кВ = 5⋅103 В; х = 5 см = 0,05 м;Е = 40 кВ/м = 4⋅103 В/м; у – ?2mxllU = mv x ; t ==x; ma = El; a = E ⋅ ;22lUmvxU=2=−19241 l1 E1my = at = E x2= ⋅ x2 = ⋅ 4⋅10 3 ⋅ 25⋅10−4 = 0,005 м = 5 мм.22 m 2lU 4 U2 5 ⋅ 101232.
Дырка может быть и нейтральной.1233. Потому что происходит и рекомбинация.1234. Дырочную проводимость создают введением примеси свалентностью, меньшей на единицу; акцепторную – примесью свалентностью, большей на единицу.1235. Во всех случаях электронной.1236.а) электронным; б) дырочным.1237. Валентность Аs – V, валентность In – III. В итоге на два атомаприходится 8 валентных электронов, как у Ge или Si. Таким образом, в InAs будет собственная проводимость типа собственной и Ge, и Si. Приувеличении индия проводимость будет дырочной, мышьяка – электронной.1238. При прямом токе движутся основные носители заряда, при обратном– неосновные.
Так как концентрация основных носителей заряда больше,чем неосновных, то и прямой ток будет больше обратного.1239. ne = 3⋅1019 м–3; ρ = 5400 кг/м3;µ = 0,073 кг/моль = 7,3⋅10–2 кг/моль; N e − ?NaN e = ne ;N ρna = A , где NA – число Авогадро.µN a na19−2−10N e = ne µ = 3⋅10 ⋅ 7,3⋅10 ≈6,8⋅10 .23ρ5400⋅NaNa6⋅101240.
ne = 1014 см–3= 1020 м–3; ρ = 5400 кг/м3;nµ = 0,073 кг/моль = 7,3⋅10–2 кг/моль; e − ?na228ρ ne ne µ 1020 ⋅ 7,3 ⋅ 10−2=== 2,3 ⋅ 10−9 .na = N A ;µ na N a ρ 6⋅1023 ⋅ 5,4⋅103n1241. e = 2 ⋅ 10−8 % = 2 ⋅ 10−10 ;naρ = 2,3 ⋅ 103 кг/м3 ; µ = 2,8 ⋅ 10−2 кг/моль; ne − ?na =3n N ρ6 ⋅ 1023 ⋅ 2,3 ⋅ 10N A ne ne µ≈ 1019 м–3.; =; ne = e A = 2 ⋅ 10−10ρµ na N A ρna µ2,8 ⋅ 10−21242. n = 5⋅1016 см–3 = 5⋅1022 м–3; mAl − ?mSimSi = VρSi ; mAl = nVµ AlNA;22−2−5mAl = nµ Al = 5⋅10 ⋅ 2,7 ⋅ 10 ≈9,7 ⋅ 10−7 ≈ 9,7⋅10 %.233⋅ρ,⋅2310mSi6⋅10Si N A1243.
R = 1 кОм = 103 Ом; U = 20 B; I1 = 5 мА = 5⋅10–3 А;⎧U = I1 ( R + R1);I2 = 10 мА = 10–2 А; R 2 − ? ; ⎨R1⎩U = I 2 ( R + R 2 );U⎧U20−R− −3⎪R1 = − R;−2 101I1⎪RI1022;=== ≈ 0,33.⎨U20U33−⎪R = − R; R1−R−−3 10⎪⎩ 2 I 2I15⋅101244. U = 18 B; I1 = 10 мА = 10–2 А; I2 = 5 мА = 5⋅10–3 А;I3 = 2 мА = 2⋅10–3 А; Т1 – ? Т2 – ? Т3 – ? Imax – ?I max =I max =UR min18; R min = 1,5 кОм = 1,5⋅103 Ом;31,5⋅10= 1,2 ⋅ 10−2 A.Rmin определен из графикаR1 =R2 =R3 =UI1UI2UI3===18−21018= 1800 Ом = 1,8 кОм; Т1 ≈ 85оС;5 ⋅ 10−3182 ⋅ 10−3= 3600 Ом = 3,6 кОм; Т2 ≈ 70оС;= 9000 Ом = 9 кОм; Т3 ≈ 25оС.2291245.
R1 = 25 кОм; R = 5 кОм; R 2 − ?R1⎧U = I( R + R1);1; R + R1 = 4; R 2 = ( R1 − 3R );⎨4UI=();4R + R1R + R2⎩R1 = 4 R1 = 4 ⋅ 25 = 10.25 − 3 ⋅ 5R 2 R1 − 3R1246. Из графика видно, что при постоянной температуре I ~ U, т. е. законОма выполняется. У освещенного фоторезистора R меньше, чем унеосвещенного, т.е. график зависимости I от U для освещенногофоторезистора – это график II.UR II13= I =≈ 0 ,3 3U3RII1247. Сопротивление для случая II больше, чем для I. В случае I закон Омане выполняется, в случае II – выполняется.1248. В индуктивности запасается энергия магнитного поля, в емкости –энергия электрического поля.
Между емкостью и индуктивностьюпроисходит непрерывный обмен энергией.1249. Увеличится затухание, уменьшится частота колебаний; при большомактивном сопротивлении колебания не возникнут, а будет апериодическоеуменьшение амплитуды.1250. При отсутствии сопротивления или при подпитке энергией.1251. Для изменения частоты колебаний.1252. С ∼1253. ω 1 =1254. ω =11;ω∼∼dC1LC;ω 2 =d . Значит, частота увеличится.1L3C3= ω 1 .
;Частота не изменится.1L⋅ 3C31255. L = 2,5 мГн = 2,5⋅10–3 Гн; С = 1,5 мкФ = 1,5⋅10–6 Ф; Т – ?T = 2 π LC = 2 ⋅ 3,14 ⋅ 2,5 ⋅ 10−3 ⋅ 1,5 ⋅ 10−6 = 3,8 ⋅ 10−5 с.1256. ν = 10 кГц = 104 Гц; С= 0,1 мкФ = 10–7 Ф; L – ?111;L =ν==≈ 2,5 ⋅ 10−3 Гн.2224 π ν C 4 ⋅ 3,14 ⋅ 108 ⋅ 10−72 π LC2301257. С = 2 мкФ = 2⋅10–6 Ф; Т = 10–3 с; L – ?T = 2 π LC ; L =10−6T2== 1,15 ⋅ 10−2 Гн.2C4 ⋅ 3,142 ⋅ 2 ⋅ 10−64π1258. L = 5,1 мкГн = 5,1⋅10–6 Гн; ν = 10 МГц = 107 Гц; С – ?1ν=2 π LC1;C =2 2L4π ν=14 ⋅ 3,14 ⋅ 1014 ⋅ 5,1⋅ 10−62≈ 5 ⋅ 10−11 Ф.1259. ε = 7; d = 8⋅10–2 м; ∆ = 5⋅10–3 м; L = 0,02 Гн; ν – ?ε ε0 S ε ε0 π d 211==;ν =∆4∆2 π LC 2 πC==1ε ε π d2L⋅ 04∆=115 ⋅ 10−3∆⋅=⋅≈ 1,4 ⋅ 105 Гц.2−πd ε ε 0 πL 3,14 ⋅ 8 ⋅ 107 ⋅ 8,85 ⋅ 10−12 ⋅ 3,14 ⋅ 0,021260. L = 0,003 Гн; r = 1,2 см = 0,012 м; ∆ = 0,3 мм = 0,0003 м; ε = 4;Т1, Т2 – ?S = π r 2 ; C1 =πε 0 Lε0 S ε0 π r 2==; T1 = 2 π LC = 2 πr∆∆∆= 3,14 ⋅ 1,2 ⋅ 10−2C2 =3,14 ⋅ 8,85 ⋅ 10−12 ⋅ 3 ⋅ 10−3≈ 1,12 ⋅ 10−6 с;3 ⋅ 10−4εε 0 S= ε C1 ; T2 = 2 π L C2 = 2 π C1 L ⋅ ε = T1 ε =∆= 1,26 ⋅ 10−6 = 2,52 ⋅ 10−6 с.1261.
L = 30 мкГн = 3⋅10–5 Гн; S = 0,01 м2; ∆ = 0,1 мм = 10–4 м;ν = 400 кГц = 4⋅105 Гц; ε – ?∆C=11εε 0 S;ν==∆2 π LC 2 πε=∆10−4=≈ 6.4 π 2 ε 0 SL ν2 4 ⋅ 3,14 ⋅ 8,85 ⋅ 10−12 ⋅ 0,01⋅ 3 ⋅ 10−5εε 0 SL;1262. ν1 = 400 Гц; ν2 = 500 Гц; L = 16 мГн = 1,6⋅10–2 Гн; С1 – ? С2 – ?ν1 =12 π L C1; C1 =Аналогично, C2 =11== 10−5 Ф.4 π2 ν12 L 4 ⋅ 3,142 ⋅ 4002 ⋅ 1,6 ⋅ 10−214 π 2 ν22 L=14 ⋅ 3,14 ⋅ 5002 ⋅ 1,6 ⋅ 10−22= 6,3 ⋅ 10−6 Ф.1263.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
