[5] Сверхпроводники (987503), страница 3
Текст из файла (страница 3)
Из решения уравнения Шредингера для такой системы следует, что фазы и модули волновых функций совпадают, волновая функция не зависит от индекса пары и описывает конденсат электронных пар как единую квантовую когерентную систему. Таким образом, при нулевой температуре сверхпроводящее состояние является сильно коррелированным. Для пего в пространстве импульсов нормальные электроны в тонком слое в пределах ±ħD, где ħD— дебаевская энергия, вблизи поверхности Ферми плотно заполняют парные состояния с противоположным спином и импульсом.
О
сновное уравнение теории БКШ, позволяющее определить зависимость ширины энергетической щели металла в сверхпроводящем состояния от функции распределения возбуждений частиц по энергии Е, можно записать в виде(5.2.2)
где N(0) —плотность состояний на границе Ферми для газа свободных электронов; V — коэффициент, характеризующий энергию взаимодействия электронов, зависящий от диэлектрической проницаемости (,k) (5.2.1), E< ħD. При этом N(0)=0,5 (dn/dE), a EF=const.
Энергия такого состояния ниже энергии состояния нормального металла на конечную величину, представляющую собой энергию конденсации сверхпроводящего состояния. Минимальная энергия возбуждения частиц равна ширине щели . Необходимо затратить определенное количество энергии для возбуждения даже одного нормального неспаренного электрона, и при этом полная разность энергий между состоянием, когда все электроны спарены, и состоянием с одним возбужденным электроном, во много раз больше энергии связи одиночной пары. Для большинства элементарных сверхпроводящих элементов произведение N(0)V<<1, т.е. в сверхпроводниках имеется слабая связь между электронами и фононами. Тогда после интегрирования приведенного уравнения и упрощения можно получить выражение для энергетической щели, отделяющей уровень, на котором сконденсировались куперовские пары, от ближайшего разрешенного уровня, расположенного выше
=2ħD exp[-1/(N(0)V)]
Для типичных величин ≈1013 с-1 и N(0)V≈0,5 значение щели составляет порядка единиц мэВ.
Критическая температура при электрон-фононном механизме
Tc=1,13 (ħD/K)exp[-1/(N(0)V)] (5.2.4)
При Т = 0 К ширина энергетической щели 2(0) ≈3,52 КТc,.
Зависимость от температуры (рис 5.2.4) аппроксимируется выражением
(T)/ (0)=tħ[Tc/T* (T)/ (0)] (5.2.5)
вдали от Тc, и (T) ≈3,2 КТc(1—Т/Тc)1/2- в области температур вблизи Тc.
Длина когерентности сконденсированных сверхпроводящих электронов 0 (при Т0) определяется выражением
0=ħvF/()=0,18 ħvF/(KTc) (5.2.6)
где vF — скорость электронов на поверхности Ферми.
При 0>>l, =(l0/3) где — длина когерентности при T0, l — длина свободного пробега.
Р
ис. 5.2.4. Туннелирование между нормальным металлам и СП при Т=0К и потенциалах U=0 (a), U =U1, (б), U=U2>U1, (в)
5.2.4. Эффекты Джозефсона и квантование магнитного потока
Н
аличие жесткой фазовой корреляции куперовских пар приводит к двум основным макроскопическим когерентным квантовым явлениям: квантованию магнитного потока и эффектам Джозефсона. Для описания поведения конденсата сверхпроводящих носителей заряда для слабо взаимодействующих частиц можно применить нестационарное уравнение Шредингера(5.2.7)
где - волновая функция частицы; Ĥ — оператор Гамильтона. Учитываячто,что =||ei где — Фаза волновой функции, а
/t=/*/t=|| i ei/t=i /t (5.2.8)
Ĥ=E (5.2.9)
получим
ħ /t=-E (5.2.10)
Тогда разность фаз =(1-2) в двух точках СП определяется из уравнения
ħ d(1-2)/dt=E1-E2 (5.2.11)
Энергии Е1 и Е2 СП конденсата могут в разных точках различаться, если между этими точками имеется разность потенциалов U и E1-E2=2qU. Тогда для разности фаз получим выражение
Ħ(d/dt)= 2qU (5.2.12)
которое называют первым уравнением Джозефсона.
Разность потенциалов U на концах разомкнутого СП кольца можно создать только путем изменения магнитного потока внутри кольца: U=Ф/t. Произведя интегрирование уравнения Джозефсона по времени, получим выражение для; разности фаз:
= 2qФ/ħ =2Ф/Ф0 (5.2.13)
где величина Фо = ħ/2q=2,07*10-15 Bб — квант магнитного потока (флуксон). При замыкании кольца фазы 1 и 2 могут либо совпадать, либо различаться только на целое число 2, т.е. = 2n, где n=0, ±1, ±2, ... Таким образом, магнитный поток Ф через замкнутое кольцо может принимать лишь одно из указанных значений, т.е. квантуется.
Другими эффектами, в которых проявляется фазовая корреляция куперовских пар, являются эффекты Джозефсона. Б. Джозефсон в 1962 г. теоретически показал, что при туннельных экспериментах следует ожидать просачивания куперовских пар через изолирующий слой толщиной 10—20А между двумя сверхпроводниками. Туннельный ток можно наблюдать и на контакте нормального металла и СП, разделенных тонким непроводящим слоем. Вольт-амперная характеристика такого контакта приведена на рис. 5.2.5. Пока разность потенциалов, приложенная к контакту, не достигнет значения U=/q, туннельный ток протекать не может, так как электроны нормального металла не могут найти подходящих состояний в СП (в сверхпроводящем состоянии в схеме энергетических уровней нсспаренпых электронов возникает энергетическая щель (см. рис. 5.2.4). При U=/q начинается резкий подъем туннельного тока.
Р
ис. 5.2.5. Вольт-амперные характеристики туннельных контактов: 1— нормальный металл/нормальный металл; 2—нормальный металл/СП, Т=0 К; 3 — нормальный металл/СП, 0<Т<Тс
При дальнейшем повышении U кривая I(U) имеет вид, обычный для туннельной характеристики контакта двух нормальных металлов. При конечных температурах уровень Ферми в нормальном металле несколько размыт и соответственно в СП имеются отдельные электроны над щелью, которая становится уже (см. рис. 5.2.3).
Рассмотрим контакт двух сверхпроводников, разделенных тонким изолирующим слоем. На рис. 5.2.6 дана схема туннелирования куперовских пар и «возбужденных» квазичастиц через такой контакт. В условиях равновесия и в отсутствие внешнего напряжения куперовские пары в обоих СП находятся на одном энергетическом уровне. При наложении внешнего напряжения U(eU>I+II) начинается резкое возрастание тока. Появление туннельного тока является результатом разрыва куперовских пар и туннелирования одиночных электронов. Однако, как показал Джозефсон, возможно туннелирование куперовских пар, т.е. через очень тонкие изолирующие прослойки может протекать СП ток, обусловленный куперовскими парами. Вольт-амперная характеристика такого джозефсоновского контакта представлена на рис. 5.2.7. Отличие этой характеристики от аналогичной на рис. 5.2.4 заключается в том, что в отсутствие разности потенциалов на контакте (Us= 0) имеет место постоянный ток Джозефсона Is.
Рис. 5.2.6. Изображение туннельного эффекта между сверхпроводниками с помощью Куперововских пар и «возбужденных» квазичастнц: О — куперовские пары,
-отдельные электроны
Рис.5.2.7. Вольт-амперные характеристики джозефсоновского туннельного контакта двух одинаковых СП
Направление этого тока задается полярностью напряжения U0 во внешней цепи. При увеличении U0 сначала достигает максимального значения джозефсоновский ток, после чего на контакте появляется разность по-тепнналов Us. Положение на ВАХ точки, в которую попадает возникший при этом ток, определяется сопротивлением R внешней цени.
Для случая Us0 Джозефсон предсказал появление на контакте высокочастотного переменного тока с частотой vs:
vs= 2eUs/ħ (5.2.14)
что подтвердилось впоследствии экспериментально.
Все эффекты Джозефсона как на постоянном, так и на переменном токе зависят от фазовых соотношений в системах куперовских пар. Рассматривая обмен куперовскими парами между двумя сверхпроводниками через тонкий изолирующий слой и учитывай, что интенсивность и направление, этого обмена определяются разностью фаз волновых функций для состояний СП слева и справа от контакта, Джозефсон получил выражение для тока через контакт:
Is=Is max sin(2-1) (5.2.15)
где Is max — максимальный постоянный джозефсоновский ток через контакт; 1 и2— фазы волновых функций обеих систем куперовских пар слева и справа от барьера.
На постоянный джозефсоновский ток оказывает влияние внешнее магнитное поле, параллельное изолирующему слою. Расчеты показывают, что ток обращается в нуль при таких значениях магнитного поля, при которых в барьерном слое содержится целое число элементарных квантов потока (рис. 5.2.8). Зависимость максимального сверх проводящего тока от магнитного потока через туннельный контакт имеет вид
Is max(В)= Is max(0) sin[Ф(а)/Ф0]/( Ф(а)/Ф0) (5.2.16)
где Ф0— элементарный квант магнитного потока; а — ширина джолефсоновского контакта.
Р
ис. 5.2.8. Зависимость максимального значения джозефсоновского тока туннельного контакта Sn—SnO— Sn от магнитного поля, параллельного изолирующему слою
Уравнение (5.2.15) позволяет понять, почему на джозефсоновском контакте, к которому приложена разность потенциалов Us0, появляется высокочастотный переменный ток. Если к контакту приложена разность потенциалов Us, то энергия двух систем куперовских пар отличается на Е=2еU т.е. такое количество энергии может получить куперовская пара при прохождении через изолирующий слой от отрицательного потенциала к положительному. В соответствии с квантовой механикой разности энергий двух систем куперовских пар соответствует разность собственных частот систем
v=2еUs/h
Если обе системы колеблются с различными, но постоянными во времени частотами, то разность фаз между ними изменяется во времени по линейному закону:
=2v t=2*(2eUs/h)*t (5.2.17)
Этому изменению соответствует появление переменного тока
Is=Is max sin[2*(2eUs/h)*t] (5.2.18)
частота которого определяется разностью потенциалов на контакте Us.
При напряжении на контакте 1 мВ частота переменного джозефсоновского тока равна 4,85*1011 с-1 (соответствует электромагнитному излучению с длиной волны 600 мкм).
Трудность прямого наблюдения этого излучения состоит в сложности вывода высокочастотной мощности из туннельного контакта. Можно наблюдать косвенно, если поместить такой контакт в микроволновый резонатор. На вольт-амперной характеристике будут наблюдаться эквидистантно расположенные ступени. Расстояние между ними по оси напряжений U соответствует соотношению 2eUs/h=vв, где vв — частота высокочастотного поля. Когда частота джозефсоновского излучения становится кратной частоте поля, в результате наложения появляется дополнительный джозефсоновский ток, который и дает ступенчатую структуру вольт-амперной характеристики. Такую характеристику наблюдали и для ВТСП. Прямой метод регистрации излучения основан на использовании второго туннельного контакта рядом с джозефсоновским, вольт-амперная характеристика которого приобретает структуру с периодом по напряжению Us=hvв/е (одночастичное туннелирование под воздействием высокочастотного поля}, заряд — е). Эксперименты по наблюдению эффектов Джозефсона показали, что электроны (в классических СП) связываются в куперовские пары и что куперовские пары заполняют одно квантовое состояние.
5.2.5. Сверхпроводники в магнитном поле
Рассмотрим подробнее поведение сверхпроводников в магнитном поле. Будем использовать терминологию, принятую в теории классической (низкотемпературной) сверхпроводимости.
Мейсснеровской фазой называют такое состояние сверхпроводника, когда магнитное поле вытесняется из объема сверхпроводника и остается только в тонком приповерхност-ном слое. Феноменологическая теория электродинамических свойств сверхпроводников, предложенная в 1935 г. Ф. и Г. Лондонами, дает следующее выражение для глубины проникновения магнитного поля в сверхпроводник:
2=0 (5.2.19)
где =m/(ne2) для газа свободных электронов, в более общем виде
-l=2/3*e2N(EF)v02 (5.2.20)
где N— нормальная плотность энергетических состояний у поверхности Ферми; ЕF — энергия Ферми;
v0=ħ-1|∂E/∂k|ср— средняя скорость электронов в нормальном состоянии у поверхности Ферми.
Напряженность магнитного поля в направлении z, перпендикулярном поверхности сверхпроводника, изменяется по экспоненциальному закону:
H(z)=H(0)е-z/ (5.2.21)
Значение для обычных плотностей состояний составляет 10-6 см. Экспериментальные значения обычно порядка 5*10-6 см (в современных высокотемпературных сверхпроводниках ~2*10-5 см).
Исчезновение магнитной индукции в объеме СП (вектор Вi=0) объясняется возникновением индуцированного поверхностного тока, причем величина и распределение этого тока таковы, что создаваемое им внутреннее магнитное поле противоположно внешнему и полностью компенсирует его. Таким образом, вектора Bi= Hi=Ji=0, где Hi, Ji— напряженность и вектор намагничивания суммарного поля внутри образца соответственно.
Вне образца индукция поля Ве=0 (Не+Hs), где Нs— напряженность магнитного поля, создаваемого индуцированным поверхностным током в СП; Нe — напряженность внешнего поля. Наличие поля Hs, и вызывает изменение распределения магнитного поля вблизи поверхности СП (рис. 5.2.9).
Р
ис. 5.2.9. Распределение магнитного поля вокруг сверхпроводящей проволоки, находящейся в мейсснеровской фазе
Рассмотренную картину поведения СП в магнитном поле удобнее заменить эквивалентным описанием СП как идеального диамагнетика, т.е. вещества, имеющего внутреннее магнитное поле и намагниченность. В этом случае Bi=0, H0 и Ji=0, а вне образца Н=(Нe+Нs), где Нs— напряженность магнитного поля, обусловленного намагничиванием образца. Внутри образца Вi=0(H+J), H=-J, JH, =-1, т. е. СП обладает идеальной диамагнитной восприимчивостью (эксперименты по определению гиромагнитного отношения показывают, что именно электронный ток, а не спиновые моменты атомов обусловливают диамагнетизм СП).