[5] Сверхпроводники (987503), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Сверхпроводники, для которых выполняются эти условия, называются СП II рода. Можно показать, что выигрыш энергии при образовании границы раздела получаем, если λ=ζ, где λ — глубина проникновения поля, ζ — длина когерентности. При этом
ζ,Bct2< λB2, т.е. Bct2/B2 <λ/ζ,
где Bct, — термодинамическое поле, соответствующее условию 5.2.26.
Поэтому следует ожидать, что в сверхпроводниках, у которых. λ>ζ, магнитное поле может проникать уже при полях В, меньших Bct. Оказывается, что в этом случае поверхностная энергия границы раздела «нормальная фаза — СП» отрицательна, и энергетически выгодно не скачкообразное проникновение поля сразу в весь объем образца, а образование смешанного состояния. При этом, как и на границах раздела, возникают неоднородности в пространственном распределении поля В и плотности куперовских пар ns. Условие λ>ζ можно получить, если мала l* (длина свободного пробега). При уменьшении l* глубина проникновения λ слабо возрастает, а длина когерентности падает, как l*, т.е. это СП с достаточным количеством примесей.
Р
азличие между СП I и II рода особенно заметно проявляется в форме кривой намагниченности (рис. 5.2.14).
Рис. 5.2.14. Кривая намагничивания СП II рода
Картина разрушения сверхпроводимости магнитным полем в сверхпроводниках II рода подробно рассмотрена Абрикосовым. В смешанном состоянии СП как бы пронизан нитями (рис. 5.2.15). Нить представляет собой тонкую область нормальной фазы, ориентированной вдоль вектора В. Причем каждой нити соответствует ровно один квант магнитного потока.
Р
ис.5.2.15 Абрикосовские вихри в СП II рода в магнитном поле
Формирование областей в форме нитей — абрикосовских вихрей начинается сразу, как только магнитное поле превысит значениеBс1 число абрикосовских вихрей увеличивается с ростом поля до В = Вс2. В смешанном состоянии при Bc1<B<BС2 магнитное поле частично проникает в сверхпроводник, при этом уменьшается от 1 до 10-5 при В> BС2. Такое смешанное состояние называют также фазой Шубникова. В смешанном состоянии в пространстве между вихрями сверхпроводимость сохраняется и сопротивление образц равно нулю. Конечное сопротивление появляется при ВВС. Рассмотрим подробнее характер перехода сверхпроводника из СП фазы в нормальную для сверхпроводников I и II рода. Каким же образом осуществляется этот переход? Как отмечалось в предыдущем разделе, разрушение куперовских пар происходит при значениях плотности тока, превышающих некоторое критическое значение. При малых плотностях тока сверхпроводник находится в мейсснеровской фазе, т.е. магнитное поле не проникает в глубь СП.
Рис. 5.2.16 Распределение плотности тока (а) и магнитного поля (б) в СП с транспортным током (Врез=2Ве+0I/2R
Вэфф=2 Ве т.к. N=1/2) I— ток, R—радиус проволоки
Рис.5.2.17. Зависимость критического тока проволоки круглого сечения от внешнего магнитного поля Ве, перпендикулярного оси проволоки
Но это означает, что внутри сверхпроводника не может протекать ток, так как он создавал бы там магнитное поле. На рис. 5.2.16 а показано распределение плотности тока, протекающего через сверхпроводник (так называемого транспортного, в отличие от круговых экранирующих токов), по сечению цилиндрического проводника. На рис. 5.2.16 б изображено магнитное поле, создаваемое этим током. В «пассивных» (сплошных) сверхпроводниках с полностью сформированным экранирующим слоем критическая плотность тока будет соответствовать критическому значению индукции Вс, и критический ток будет иметь такую же температурную зависимость, как и критическое магнитное поле. Плотность jc связана с глубиной проникновения магнитного поля следующим приближенным соотношением (считаем, что плотность тока постоянна на глубине проникновения поля, а затем уменьшается скачком до нуля):
jс = Ic/(2R )5*107 А/см2
(R = 0,5 см; = 5,110-6 см; jс = 7,5 А).
Критические плотности тока велики, и если бы не эффект экранирования, который приводит к выталкиванию тока в топкий приповерхностный слой, то через СП можно было бы пропускать очень большие токи.
Для вычисления критического тока СП, помещенного во внешнее магнитное поле, необходимо сложить (векторно) внешнее магнитное поле с полем транспортного тока на поверхности.
Рис.5.2.18. Зависимость сопротивления. СП от величины транспортного тока
Рис.5.2.19. Фазовая диаграмма СП II рода:1—мейсснеровскаи фаза;
2 — шубниковская фаза

На рис. 5.2.17 приведена зависимость критического тока от внешнего магнитного поля Ве, при постоянной температуре, т. е. постоянном Вс.
Каким образом происходит переход сверхпроводника в нормальное состояние при достижении критической силы тока?
Предположим, что по всему объему переход происходит одновременно. Но тогда ток перераспределится по всему сечению СП и его плотность окажется меньше критической, т.е. должно снова возникнуть сверхпроводящее состояние. Таким образом, образец не сразу весь переходит в нормальное состояние, а вначале переходит в промежуточное состояние, т. е. в нем появляются участки с нормальной проводимостью. При токе Jc появляется скачком сопротивление, • которое насыщается при дальнейшем увеличении тока (рис. 5.2.18).
Аналогичный переход в промежуточное состояние происходит и во внешнем магнитном поле (см. предыдущий параграф).
Рассмотрим теперь сверхпроводники II рода. В слабых магнитных полях и при малых транспортных токах СП II рода также находятся в мейсснеровской фазе, т.е. выталкивают магнитное поле и ток в тонкий приповерхностный слой. Если магнитное поле превышает BС1 (рис. 5.2.19), то СП II рода переходит в шубниковскую фазу, в СП проникают нити магнитного потока. В этой фазе СП II рода даже при очень слабых транспортных токах обладает конечным сопротивлением. Происходит проникновение магнитного потока и тока в глубь СП, причем транспортный ток течет и сквозь нити потока, т.е. через области, в которых существует магнитное поле. Между током и потоком возникает сила взаимодействия, под действием которой нити потока должны перемещаться перпендикулярно направлению тока и магнитного поля, т. е. перпендикулярно своей собственной оси.
Движение вихревых нитей по СП приводит к появлению потерь, т.е. электрическая энергия превращается в тепло. На образце при этом появляется разность потенциалов, обусловленная конечным сопротивлением образца.
Превращение электрической энергии в тепловую при движении вихревых нитей происходит за счет двух процессов. Первый связан с появлением локальных электрических полей при изменении магнитного поля при прохождении нитей. Эти поля ускоряют неспаренные электроны, которые отдают свою энергию решетке. Второй процесс связан с неоднородностью и изменением плотности куперовских пар ns в вихре. Плотность ns, изменяется от нуля в центре вихря до определенного конечного значения на некотором удалении от него. Для установления равновесного значения ns, после отклонения от этого равновесия необходимо конечное время релаксации. Если вихри движутся медленно, то энергия, затрачиваемая на разрыв куперовских пар на переднем фронте движения вихря, снова освобождается позади него при образовании пар. При быстром движении вихря равновесная плотность куперовских пар не успевает устанавливаться и вследствие временных изменений ns, происходит рассеяние энергии (так как на переднем фронте вихря разрыв куперовских пар требует меньше тепла, чем его выделяется при повторном спаривании электронов вследствие того, что магнитное поле на переднем фронте превышает равновесное значение).
П
оскольку в идеальных сверхпроводниках II рода сколь угодно малые транспортные токи ведут к смещению вихрей, то критический ток идеального сверхпроводника в состоянии шубннковской фазы равен нулю.
Рис. 5.2.20. Зависимость намагниченности от индукции внешнего магнитного поля для СП II рода и III рода
Конечные критические токи в шубниковской фазе можно получить только в том случае, если вихревые нити будут каким-либо образом связаны с теми участками вещества, через которые они проходят. Это закрепление (пиннинг) вихревых нитей можно осуществить. Сверхпроводники II рода, содержащие центры закрепления вихрей (центры пиннинга), называют сверхпроводниками III рода. Они уже могут найти техническое применение.
В сверхпроводниках III рода вихревые нити шубниковской фазы прочно связаны с определенными энергетическими предпочтительными участками вещества. Следствием этого является то, что во внешнем поле не может установиться намагниченность, соответствующая термодинамическому равновесию.
Для таких веществ кривая намагниченности имеет иной вид (рис. 5.2.20).
Эти СП имеют большое значение намагниченности. Это означает, что образец с дефектами может обладать почти идеальным диамагнитным экранированием в полях, превосходящих BС1. Кроме того, отсутствует обратимость. При снятии внешнего поля магнитный поток остается как бы «замороженным» в образце. Не изменяется только верхнее критическое поле ВС2,, которое определяется длиной свободного пробега l*, достаточно малой в этих сверхпроводниках (дополнительные нарушения уже не влияют заметно на l*). Увеличение ВС1 можно объяснить следующим образом: проникновение вихревых нитей в приповерхностный слой образца увеличивает эффективную толщину экранирующего слоя и тем самым экранирующий ток.
При поле ВС2 плотность куперовских пар равна нулю и сверхпроводимости нет. Магнитное поле равномерно пронизывает весь образец. Если теперь понижать внешнее поле, то образец снова перейдет в шубниковскую фазу. Магнитный поток разобьется на кванты магнитного потока Ф0, а вихревые нити .будут закреплены на дефектах решетки. При понижении внешнего поля они с трудом будут покидать материал и даже при Ве= 0 останется некоторый замороженный магнитный поток, направленный вдоль внешнего поля (т.е. парамагнитный поток).
Наиболее эффективными центрами пиннинга являются включения нормальных фаз в СП. Чтобы «сорвать» вихри с центров их закрепления, необходимо сообщить некоторую пороговую энергию. Поэтому в таких СП возможно протекание тока без сопротивления, т.е. СП тока. Если же транспортный ток превышает критическое значение, при котором сила Ампера, действующая на нити, будет превышать силу пиннинга, начинается движение вихревых нитей, т.е. появится сопротивление.
Таким образом, в СП III рода необходимо повысить силу пиннинга, чтобы достичь максимальных значений критических токов.
При движении вихревых нитей значительные потери энергии обусловлены появлением локальных электрических полей, воздействующих на неспаренные электроны, т.е. сопротивление в таком состоянии будет зависеть от нормального сопротивления материала RN.
5.2.6. Модели высокотемпературной сверхпроводимости
Как видно из п.5.2.3, основное условие для возникновения сверхпроводимости — наличие притяжения между электронами вблизи поверхности Ферми, приводящего к образованию пар с равными нулю полным спином и импульсом (бозе-частицы). Такое взаимодействие возникает как результат того, что два электрона обмениваются элементарными возбуждениями систем, ответственной за взаимодействие. Эти элементарные возбуждения должны распространяться с очень слабым затуханием, чтобы существовало необходимое дальнодействующее взаимодействие.
В классических сверхпроводниках в качестве системы, ответственной за возбуждение, выступает кристаллическая решетка, а элементарным возбуждением является фонон (фононный механизм сверхпроводимости). Но роль такого элементарного возбуждения могут играть и другие возбуждения в кристаллах, такие как магноны (кванты спиновых волн в спиновой системе атомов решетки), плазмоны (коллективные возбуждения электронов в металлах и полупроводниках с высокой концентрацией носителей), в качестве таких возбуждений могут выступать и экситоны. В соответствии с типом элементарных возбуждений были предложены механизмы сверхпроводимости — спиновый (Маттиас, Копаев, Савченко, Стефанович), экситонный (Литтл, Гинзбург), плазменный, последний маловероятен (плазменная частота слишком велика).
Согласно теории БКШ критическая температура начала перехода в сверхпроводящее состояние определяется выражением