[5] Сверхпроводники (987503), страница 10
Текст из файла (страница 10)
При использовании новых оксидных сверхпроводников ожидаются намного более высокие выходные напряжения, приближающиеся, возможно, к 15-30 мВ, поскольку напряжение, соответствующее ширине щели (или удвоенной ширине щели), находится в этом диапазоне. До тех пор пока не станет возможным снижение пороговых напряжений полупроводников до 30 мВ, нельзя ожидать, что сверхпроводящие каналы будут широко применяться в ПТ для цифровых устройств. В зависимости от шумовых характеристик сверхпроводящие ПТ потенциально могут использоваться в аналоговых схемах. Один из важных аспектов применения сверхпроводящих ПТ -получение очень низкого контактного сопротивления между истоком (или стоком) и каналом. Очевидно, что плохой контакт будет подавлять наведение сверхпроводимости в канале через эффект близости. При достижении низкого или нулевого контактного сопротивления характеристики ПТ будут значительно улучшены даже без наличия сверхпроводящего канала.
В течение ряда лет рассматривались полевые приборы, в которых электрическое поле действует непосредственно на сверхпроводник. Этот эффект может иметь значительную величину только в тех случаях, когда плотность носителей в сверхпроводящем полупроводнике очень мала (например, для SrTiO3 у которого n=1018 см-3 и Тс ≤ 1 К). По оценкам, плотность носителей в новых оксидных сверхпроводниках по меньшей мере на три порядка превышает соответствующий параметр для наиболее обедненных носителями сверхпроводящих полупроводников.
Низковольтные транзисторы на горячих электронах
Наиболее хорошо транзисторы на горячих электронах, обладающие значительным коэффициентом усиления, себя проявили при низких температурах и, вероятно, окажутся пригодными для работы при азотных температурах. Если удастся сделать базу металлической и сверхпроводящей, то устройство сможет работать в небаллистическом режиме. В этом случае большое время рекомбинации в сверхпроводящей базе и короткое время туннелирования из сверхпроводника обеспечат возможность усиления. Обстоятельством, ограничивающим такой режим работы, является необходимость специфического низкобарьерного контакта между базой и коллектором.
Устройства, основанные на неравновесной сверхпроводимости
На основе неравновесной сверхпроводимости предложено несколько типов трехполюсников, однако у большинства из них отсутствовало важнейшее свойство - развязка с другими элементами цепи (отсутствие взаимного влияния), - характеризующее истинные транзисторы. В общем случае характерные времена неравновесных процессов становятся существенно короче при более высоких температурах. Это обстоятельство может быть полезным, хотя связь электронной системы с решеткой и с другими системами, имеющими очень большую теплоемкость при высокой температуре, делается гораздо сильнее. Это может означать, что возможны лишь эффекты, связанные с нагревом. Для устройств, основанных на резистивности сверхпроводящих материалов в нормальном состоянии, высокое сопротивление оксидных сверхпроводников может оказаться полезным. Несколько пониженная плотность носителей позволяет легче выводить эти сверхпроводники из состояния равновесия.
5.5.7 Сверхпроводящие приборы
Электронные приборы, использующие сверхпроводимость, можно разделить на два больших класса в соответствии с тем, основаны они на аффекте Джозефсона или нет. В первую группу входят чувствительные СКВИД-магнитометры, эталоны напряжения и быстродействующие коммутаторы. Смесители на структурах сверхпроводник-изолятор- сверхпроводник и болометры - наиболее известные из устройств второй группы, т.е. устройств, не использующих эффектов Джозефсона. Джозефсоновские приборы скоро появятся на рынке, и, по-видимому, это первое промышленное использование высокотемпературной сверхпроводимости, если не считать применения сверхпроводников для целей экранирования. Мы ограничимся обсуждением приборов, основанных на эффекте Джозефсона.
Сверхпроводящие квантовые интерферометры
Сверхпроводящие квантовые интерферометры преобразуют магнитный поток б напряжение и является самыми чувствительными измерителями магнитного потока. Поскольку током можно создавать магнитный поток, а с помощью напряжения можно управлять током, СКВИД можно использовать как чувствительный измеритель и тока, и напряжения. Кроме того, СКВИД может производить измерения на очень малых сопротивлениях. В благоприятных случаях при низких температурах и очень малых входных (индуктивных) импедансах в белом шуме СКВИД могут преобладать квантовомеханические нулевые флуктуации. Обычно же в СКВИД общего назначения белый шум обусловлен тепловыми флуктуациями. Таким образом, СКВИД, работающий при 77 К, будет иметь чувствительность, ограниченную тепловыми шумами, примерно в 20 раз худшую, чем приборы, работающие при гелиевых температурах. Отсюда следует, что СКВИД, используемые для чувствительных измерений, должны работать при низкой температуре, и новые сверхпроводники здесь не дают никаких преимуществ. В круг таких исследований входит нейромагнитное картирование - перспективное направление, активно развиваемое в настоящее время.
Во многих случаях (например, когда велики посторонние помехи) максимальная чувствительность имеющихся в продаже СКВИД не используется, поэтому было бы полезно применение более простых приборов. Чувствительность по мощности лучших промышленных образцов СКВИД на постоянном токе в настоящее время составляет 4000ħ. Магнитометр с прерываемым потоком - наиболее близкий по чувствительности конкурирующий прибор - имеет чувствительность по мощности 104 - 105 ħ. Сложные СКВИД (с несколькими джоэеф-соновскими мостиками), подобные изготавливаемым фирмой IBM, имеют чувствительность 100 – l000 ħ. Если эти устройства изготовить из новых сверхпроводников и считать, что чувствительность определяется температурой, т.е. изменится в 77 К/4,2 К = 18 раз, то диапазон чувствительности таких СКВИД составит от 4800 до -18 000 ħ. Таким образом, по крайней мере теоретически, возможен СКВИД, работающий при 77 К и не уступающий по своим характеристикам имеющимся в настоящее время в продаже приборам. Важнейшее неявное предположение, сделанное в проведенных оценках, это предположение о том, что емкость мостика высокотемпературного СКВИД не превышает 0,1 пФ - величину, обычную для современной джозефсоновской технологии.
Для некоторых научных исследований важно, чтобы СКВИД могли работать в широком диапазоне температур, в частности это относится к СКВИД на постоянном токе, разработанным фирмой IBM. Например, измерители магнитной восприимчивости очень малых по размеру образцов устроены таким образом, что образец, должен находиться в непосредственном контакте со СКВИД и в ходе эксперимента его необходимо отогревать и охлаждать. Высокотемпературные сверхпроводники могли бы расширить температурной диапазон исследований примерно в 10 раз.
Уже продемонстрировано несколько простых квантовых интерферометров, работающих при азотной температуре. Кох и др. успешно использовали при 68 К пленочный однослойный СКВИД на постоянном токе с длинным зернистыми джозефсоновскими мостиками. Игучи и др. и Циммерман и др. работали соответственно со СКВИД на постоянном токе и с высокочастотным СКВИД, изготовленными из объемной керамики, слабым контактом в петле которых служило либо сломанное место, либо точечный контакт. СКВИД Циммермана и др. успешно работах в режиме постоянного магнитного потока (режим с обратной связью) при 77 К. Что касается технологии изготовления высокотемпературных тонкопленочных СКВИД, то здесь важными, но требующими своего решения вопросами является следующие: процесс нанесения рисунка при изготовлении сложных многоуровневых интегральных схем, изменение с температурой свойств джозефсоновских мостиков (если это узкий мостик или короткий нормальный участок, но не туннельный переход), влияние шунтирующего импеданса (емкостного или индуктивного) и критическая плотность тока, которую может обеспечить пленка. Если СКВИД используется при одной фиксированной температуре, например при 77 К, то температурная зависимость свойств всех элементов джозефсоновской цепи (за исключением мостика) не будет вызывать больших затруднений. Требования к критической плотности тока возрастают вследствие увеличения тока, связанного с применением понижающего трансформатора на входе СКВИД. Большие токи могут возникать, если прибор используется как магнитометр. В некоторых случаях при использовании его в качестве градиентометра токи могут поддерживаться на низком уровне.
Быстродействующая джозефсоновская электроника
По джозефсоновской технологии изготовлены быстродействующие коммутирующие электронные устройства. В наиболее быстродействующих из них обеспечивались время нарастания импульса, измеренное непосредственно на чипе, 2,1 пс и полуширина 3,7 пс. Предполагается, что временное разрешение должно составить несколько пикосекунд, что почти на порядок величины превосходит разрешение стробирующих осциллографов. Джозефсоновские коммутаторы имеют чувствительность на один-два порядка выше чувствительности обычных коммутаторов (0,1 мВ), хотя и уступают им по динамическому диапазону. В этой области не существует полупроводниковых приборов со сравнивнимыми характеристиками, хотя в принципе возможны электрооптические приборы, которые смогут иметь такое же или даже лучшее временное разрешение.
Теоретический предел временного разрешения коммутатора определяется отношением плотности тока к емкости джозефсоновского контакта в задающем импульсном генераторе. Для обычных сверхпроводников пикосекундное разрешение при гелиевых температурах достигается при плотности тока на мостике порядка 104 - 105 А/см2. Наибольшее из этих чисел, как в настоящее время установлено, есть предельная величина для объемного YbaCuO при 77 К, поэтому достичь такой плотности на джозефсоновском контакте - самая трудная задача.
Если технологические проблемы изготовления джозефсоновских контактов, удовлетворяющих требованиям, предъявляемым к работе быстродействующих устройств, будут решены, то возможность работы при 77 К существенно уменьшит расхода, связанные с изготовлением прибора, и стоимость его эксплуатации. При 77 К несколько понизится чувствительность, но особых трудностей это не создаст. Привлекательность применения коммутаторных цепей состоит в том, что они представляют собой счетчики с несколькими вентилями, и вертикальная структура монтажа может быть сделана относительно простой.
Эталоны напряжения
В большинстве стран стандарты напряжения основаны на джозефсоновском соотношении между переменным током через переход и постоянным напряжением на нем. До недавнего времени это напряжение было относительно низким, на уровне нескольких милливольт, но успешное создание интерферометров с несколькими последовательными группами переходов в одном блоке и решение проблемы одновременного подвода одинаковой микроволновой мощности к ним подняли величину напряжения джозефсоновских эталонов до 1 В. Это позволило начать изготовление относительно простых выпускаемых промышленностью эталонов напряжения с точностью несколько единиц 10 .
Поскольку из новых сверхпроводников можно изготавливать туннельные перехода среднего качества, эталоны напряжения милливольтового диапазона, работающие при температуре жидкого азота, можно выпускать уже сейчас. В дальнейшем, когда будет налажено изготовление идентичных групп джозефсоновских переходов, можно будет производить и эталоны напряжения вольтового диапазона, работающие при азотных температурах. Возможно, это будет одним ив первых применений новых высокотемпературных сверхпроводников.