Roland A. - PVD for microelectronics (779636)
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Thin FilmsPVD for Microelectronics:Sputter Deposition Appliedto Semiconductor ManufacturingVOLUME 26Serial EditorsOrganic Thin FilmsInorganic Thin FilmsSTEPHEN M. ROSSNAGELABRAHAM ULMANIBM Corporation, T..J. WatsonAlstadt-Lord-Mark ProfessorDepartment of Chemistry andPolymer Research InstitutePolytechnic UniversityBrooklyn, New YorkResearch CenterYorktown Heights, New YorkEditorial BoardDAVID L. ALLARAJEROME B. LANDOPennsvh,ania State UniversityCase Western Reserve UniversityALLEN J.
BARDHELMUT MOHWALDUniversity ~f Texas, AustinUniversity of MainzMASAMICtll FUJItlIRANICOLAI PLATETokyo Institute of TechnologyRussian Academy of SciencesGEORGE GAINSHELMUT RINGSDORFRansselaer Polytechnic InstituteUniversity of MainzPHILLIP HODGEGIACINTO SCOLESUniversity ~f ManchesterPrinceton UniversityJACOB N. ISRAELACHIVILIJEROME D. SWALENUniversity of Cal(~>rnia, Santa BarbaraInternational Business Machines CorporationMICHAEL L. KLEINMATTHEW V. TIRRELLUniversity of PennsylvaniaUniversity of Minnesota, MinneapolisHANS KUHNGEORGE M. WHITESIDESMPI GottingenHarvard UniversityThin FilmsPVD for Microelectronics:Sputter Deposition Appliedto Semiconductor ManufacturingRonald A. PowellStephen M.
RossnagelDirector, Thin Film TechnologyNovellus Systems, Inc.Palo Alto, CaliforniaT.J. Watson Research CenterIBM CorporationYorktown Heights, New YorkVOLUME 26San DiegoLondonACADEMIC PRESSBoston New York SydneyTokyoTorontoThis book is printed on acid-free paper. [ oo ]Copyright 9 1999 by Academic PressAll rights reserved.No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or byany means, electronic or mechanical, including photocopy, recording, or anyinformation storage and retrieval system, without permission in writing fromthe publisher.The appearance of the code at the bottom of the first page of a chapter in thisbook indicates the Publisher's consent that copies of the chapter may be madefor personal or internal use of specific clients.
This consent is given on thecondition, however, that the copier pay the stated per copy fee through theCopyright Clearance Center, Inc. (222 Rosewood Drive, Danvers,Massachusetts 01923), for copying beyond that permitted by Sections 107 or108 of the U.S. Copyright Law. This consent does not extend to other kinds ofcopying, such as copying for general distribution, for advertising orpromotional purposes, for creating new collective works, or for resale. Copyfees for pre-1999 chapters are as shown on the title pages.
If no fee codeappears on the title page, the copy fee is the same as for current chapters.1079-4050/99 $30.00Academic Pressa division of Harcourt Brace & Company525 B Street, Suite 1900, San Diego, California 92101-4495, USAhttp://www.apnet.comAcademic Press24-28 Oval Road, London NW1 7DX, UKhttp://www.hbuk.co.uk/ap/International Standard Book Number: 0-12-533026-XPRINTED IN THE UNITED STATES OF AMERICA98 9 9 0 0 0 1 0 2 0 3 M V 9 8 7 6 5 4 3 2 1ContentsPreface . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .U s e f u l C o n v e r s i o n Factors and C o n s t a n t s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Chapter 11.11.21.3Chapter 22.12.22.32.4Plasma Systems ...............................................Diode P l a s m a s . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P l a s m a Potential . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Floating Potential . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Flux to the S h e a t h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .DC and R F P l a s m a s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .RF P l a s m a s . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .RF M a t c h b o x e s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .M a g n e t i c Fields . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Reactive Sputter D e p o s i t i o n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Practical P l a s m a Issues in P V D Tools . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P l a s m a D i a g n o s t i c s and Optical E m i s s i o n M a g n e t r o n s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Chapter 44.14.24.34.44.5Physics o f S p u t t e r i n g . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Sputtering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Energy and A n g u l a r Distributions of Sputtered A t o m s . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . .Other Energetic Processes D u r i n g S p u t t e r i n g . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Transport of Sputtered A t o m s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . .References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Chapter 33.13.23.33.43.53.63.73.83.93.103.11Introduction ..................................................T h e Role o f P V D in M i c r o e l e c t r o n i c s . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P V D and the I n t e r c o n n e c t R o a d m a p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .A d d i t i o n a l S o u r c e s o f I n f o r m a t i o n on P V D . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .ixxiii1112172023233339414851535959606164666776818385The Planar Magnetron . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .87The DC M a g n e t r o n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .The P l a n a r M a g n e t r o n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .The Swept-Filed Magnetron ..........................................Source A r c i n g . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .L o w Pressure S p u t t e r i n g . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8788919598100viCONTENTSChapter 55.15.25.35.45.55.6Chapter 66.16.26.3103103115118171174176181185187191195212215216220231235238239241241250260261268278280283P V D Materials and Processes . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .285Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Metrology . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .AI Alloys . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Titanium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.T i t a n i u m Nitride . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T i t a n i u m - T u n g s t e n (Ti-W) Alloys . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Refractory Metal Silicides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .Copper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P V D and C V D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . .Upper Lever Metallization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .285287292307313323327331340347349Chapter 1010.110.2Ionized M a g n e t r o n Sputter Deposition: I-PVD . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . .E x p e r i m e n t a l Systems . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Plasma Aspects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Deposition and E x p e r i m e n t a l Results . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Lining Trenches and Vias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Trench and Via Filling . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . .Electrical M e a s u r e m e n t s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Materials Properties . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Chapter 99.19.29.39.49.59.69.79.89.99.10Planarized PVD: Use o f Elevated Temperature and/or H i g h Pressure . . . . . . .Physics o f Hot P V D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Elevated Temperature P V D AI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Elevated Temperature P V D Cu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . .Application of H i g h Pressure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .References . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Chapter 88.18.28.38.48.58.68.7Directional Deposition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .D a m a s c e n e Processing . . . . . . . . . . .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
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