Диссертация (1173421), страница 15
Текст из файла (страница 15)
Тонкие пленки As2Х3 (Х=S, Se) прозрачны в достаточношироком спектральном диапазоне, начиная с λ~560 нм для сульфида мышьяка иλ~730 нм для селенида мышьяка, при этом длинноволновая граница поглощения уданных соединений согласно литературным данным лежит в дальней ИК-области,что позволяет считать их перспективными материалами для использования в ИК –области. Рассчитанные значения оптической ширины запрещенной зоны дляаморфных СК пленок близки к аналогичному показателю для аморфных тонкихпленок, полученных, например, термическим напылением.2.Разработанная для аморфных тонких пленок теоретическая модельпозволяет рассчитывать оптические константы по экспериментальным даннымспектральной эллипсометрии.
Установлены дисперсии показателя преломления икоэффициента экстинкции для видимой области спектра и показано, что тонкие СКпленки As2Х3 (Х=S, Se) характеризуются высоким показателем преломления,который позволяет их считать перспективными материалами для ИК-оптики,включая нелинейную оптику.3.Исследованымеханическиехарактеристикитонкихпленоксприменением метода наноиндентирования, и показано, что полученные пленкиобладают повышенным модулем упругости по сравнению не только с массивнымстеклом аналогичного состава, но и относительно аморфных тонких пленок,полученных термическим напылением в вакууме.
В совокупности с оптическимхарактеристиками, которые выявлены для данных тонких пленок, можнопредполагать, что аморфные тонкие пленки As2Х3 (Х=S, Se) могут использоваться118в качестве защитных покрытий.4.Всясовокупностьполученныхэкспериментальныхрезультатов(оптических, электрических и механических) может быть непротиворечивообъяснена на основе структурной модели, описывающей СК аморфные пленки, воснове которой лежит гипотеза о кластерном характере структуры аморфныхпленок.Таким образом, можно констатировать, что технология спин-коатингараствора As2Х3 (Х=S, Se) позволяет получать аморфные пленки As2Х3 (Х=S, Se),обладающие повышенным модулем упругости, хорошими диэлектрическимисвойствами и прозрачностью в значительной части видимого диапазона, чтоделает их перспективными функциональными материалами для техническихприменений.119ЗАКЛЮЧЕНИЕПо результату проведенной диссертационной работы сделаны следующиевыводы:1.Для изучения комплекса физических свойств аморфных тонкихпленок ХСП разработаны физические основы и методикаполучения прикомнатнойтемпературеаморфныхтонкихпленокбинарныхХСПсвозможностью варьирования толщины пленок и использования различныхподложках.2.Изучено оптическое пропускание тонких пленок; показано, чтоаморфные пленки имеют оптические характеристики близкие к аналогичнымпоказателям для тонких пленок, полученных термическим осаждением в вакууме.3.оптическиеРазработана модель для тонких пленок, позволяющая рассчитыватьконстантыпоэкспериментальнымрезультатамспектральнойэллипсометрии, и выполнено экспериментальное исследование по получениюоптических констант тонких пленок бинарных соединений ХСП.4.Исследованымеханическиехарактеристикитонкихпленоксприменением метода наноиндентирования; показано, что полученные СК пленкиобладают повышенным модулем упругости по сравнению не только с массивнымстеклом аналогичного состава, но и относительно аморфных тонких пленок,полученных термическим напылением в вакууме.5.Разработана теоретическая модель структуры аморфных пленок дляобъяснения экспериментальных результатов.120СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ1.Мотт, Н.
Электронные процессы в некристаллических веществах (в 2хтом.) / Э. Дэвис, Н. Мотт. – М.: Мир, 1982. – 1026 с.2.Бродски, М. Аморфные полупроводники/ Под ред. М. Бродски. – М.:Мир, 1982. – 421 с.3.Фельц, A. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела /A. Фельц. – М.: Мир, 1986. – 556 с.4.Борисова, З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла / З.У.Борисова – М.: Мир, 1987. – 403 с.5.Меден, А. Физика и применение аморфных полупроводников / А.Меден.
– М. Шо; Перевод с англ. С. А. Костылева. – М.: Мир, 1991. – 670 с.6.Дембовский,С.Ф.Стеклообразование/С.Ф.Дембовский,Е.А.Чечеткина. – М.: Наука, 1990. – 278 с.7.Минаев, В.С. Стеклообразные полупроводниковые сплавы / В.С.Минаев. – М.: Металлургия, 1991. – 407с.8.Цэндина, К.Д. Электронные явления в халькогенидных стеклообразныхполупроводниках / Под. ред. К.Д. Цэндина – СПб: Наука, 1996. – 486 с.9.Саршембинов, Ш.Ш. Физические основы модификации электронныхсвойства некристаллических полупроводников / Ш.Ш.
Саршембинов, О.Ю.Приходько, С.Я.Максимова. – Алматы, 2005. – 340 с.10. Попов, А.И. Физика и технология неупорядоченных полупроводников /А.И. Попов. – М.: изд. дом МЭИ. – 2008. – 270 с.11. Yamada, N. Rapid phase transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudo binaryamorphous thin films for an optical disk memory / N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi,etal. // J.
Appl. Phys. – 1991. – Vol. 69. – P.2849.12. Козюхин, С. А. Материалы фазовой памяти на основе сложныххалькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти / С. А.Козюхин, А. А. Шерченков, В. М. Новоторцев и др. // Российскиенанотехнологии. – 2011. – Том 6. – С.73.12113.Adam, J.L. Chalcogenide Glasses: Preparation, Properties and Applications/ edited by J.L Adam, X. Zhang. – Cambrige: Woodhead Publishing limited, 2014.
–655 р.14. Андриеша,A.M.Стеклообразныеполупроводникидляоптоэлектроники / Под ред. A.M. Андриеша. – Кишинев: Штиинца,1991. – 200 с.15. Айвазов, А.А. Неупорядоченные полупроводники: учебное пособие /А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. – М.: МЭИ, 1995. – 352 с.16. Andriesh, A.M.
Chalcogenide glasses in optoelectronics / A.M. Andriesh //ФТП. – 1998. – Т.32. – №8. – С.970.17. Shimakawa, K. A model for photostructural changes in amorphouschalcogenides / K. Shimakawa, N. Yoshida, A. Ganjoo, Y. Kuzukawa, J. Singh //Philosophical Magazine Letters – 1998 – Vol. 77(3) – Р.153.18. Дианов, Е.М. Генерация суперконтинууму в волоконных структурахпод действием непрерывной последовательности УКИ / Е.М. Дианов, П.Г.Крюков // Квантовая электроника. – 2001. – Т.31. – №10.
– С.877.19. Mathieu Hubert. Chalcogenide glasses for infrared applications: newsynthesis routes and rare-earth doping. Mathieu Hubert // Dissertation for Doctor ofPhilosophy. – The university of Arizona, 2012. –248 p.20. Chong Hoon Kwak. Analysis of asymmetric Z-scan measurement for largeoptical nonlinearities in an amorphous As2S3 thin film /Chong Hoon Kwak, Yeung LakLee, and Seong Gyu Kim // Opt.
Soc. Am. B. – 1999. – Vol.16. – No.4.21. Kobayashi,H.Third-order nonlinear opticalpropertiesofAs2S3chalcogenide glass / H. Kobayashi, H. Kanbara, M. Koga, K. Kubodera // Journal ofApplied Physics. – 1993. – V.74. – P.3683.22. Zakery, A. Low loss waveguides in pulsed laser deposited arsenic sulfidechalcogenide films / A. Zakery // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2002. – Vol.35. – P.2909.23.
Quemard, C. Chalcogenide glasses with high non linear optical propertiesfor Telecommunications / C. Quemard, F. Smektala, V. Couderc, A. Barthelemy, J.Lucas // Journal of Physics and Chemistry of Solids. – 2001. – Vol.62. – P.1435.24. Минаев, В.С. Изучение процесса вакууного термического испарения122халькогенидного стекла / В.С. Минаев, В.Р. Дарашкевич, А. С. Глебов и другие //Физика полупроводников и микроэлектроника.
– Рязань, 1975. – Вып. 1. – С.216.25. Панасюк, Л. Особенности кинетики испарения стеклообразныххалькогенидов мышьяка / Л. Панасюк, В. Прилепов // Analele Stiintitice ale USM:Seria "Stiinte fizico-matematice". – Chisinau. – 2001. – Р.159.26. Gill, D.S. Characterisation of Ga-La-S chalcogenide glass thin-film opticalwaveguides, fabricated by pulsed laser deposition / D.S. Gill, R.W. Eason, C. Zaldo,H.N. Rutt, and N.A. Vainos // J. Non-Cryst.
Solids. – 1995. – №191. – Р.321.27. Borisov, E. N. Deposition of Er3+ doped chalcogenide glass films by excimerlaser ablation / E. N. Borisov, V. B. Smirnov, A. Tverjanovich, Yu. S. Tveryanovich //J. Non-Cryst. Solids. – 2003. – №316. – Р.326.28. Chern, G.
C. Spin-coated amorphous chalcogenide films / G. C. Chern, I.Lauks // Journal of Applied Physics – 1982. – №53. – Р.6979.29. Chern, G.C. Spin-coated amorphous chalcogenide films: Structuralcharacterization / G.C. Chern, I. Lauks // J. Appl. Phys. – 1983 – No54. – P.2701.30. Singh, B. Application of spin-coated As2S3 thin films in a high resolutiontrilayer resist system / B. Singh, G.
C. Chern, I. Lauks // Appl. Phys. Lett. – 1998. – №45. – P.74.31. Song Shanshan. Spin-coating of Ge23Sb7S70 chalcogenide glass thin films /Shanshan Song, Nathan Carlie, Julie Boudies // Journal of Non-Crystalline Solids. –2009. – №355. – P.2272.32. Аббасова, Р.Ф. Кинетика растворения и объемная кристаллизацияхалькогенидных стекол на основе As2Se3 и AsSe / Аббасова, Р.Ф., Ильяслы Т.М.,Вейсова // Успехи современного естествознания – 2016. – №8. – С.9.33. Tauc, J. Physics of Structurally Disordered Solids / ed. J. Mitra.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
