Диссертация (1173421), страница 16
Текст из файла (страница 16)
– N.Y.:Plenum Press, 1974. – 159 p.34. Татаринова, Л.И. Структура твердых аморфных и жидких веществ /Л.И. Татаринова. – М.: Наука, 1971. – 304 с.35. Полтавцев, Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов / Ю.ГПолтавцев. – М.: Металлургия, 1984. – 176 с.12336. Вайполин, А.А. О структуре стеклообразных халькогединов мышньяка/ А.А. Вайполин, Е.А.
Порай-Кошиц // ФТТ. – 1963. – Т.5. – С.246.37. Полтавцев,Ю.Г.Рентгенографическоеисследованиеструктурыстеклообразных As2Se3 и As2S3 / Ю.Г.Полтавцев, В. М. Позднякова, В.П. Рубцов //Укр. Физ. Журнал. – 1973. – Т.18. – № 12. – Р.6208.38. Liang, K.S. Local atomic arrangement and bonding studies in amorphousAs2Se3-As4Se4 / K.S. Liang // J. Non-Cryst.
Solids. – 1975. – V.18. – No.2. – P.197.39. Пентин, Ю.А. Основы молекулярной спектроскопии / Ю. А. Пентин, Г.М. Курамшина — М.: Мир, 2008. — 398 с.40. Spyros, N.Y. Composition-dependent photosensitivity in As–S glassesinduced by band gap light: structural origin by Raman scattering / N. Y. Spyros, K.Fotis, P. C. Ioannis // Optics letters. – 2011. – Vol.36. – No.4. –– Р.534.41. Сарсембинов,Ш.Ш.Структурнаяипримеснаямодификацияэлектронных свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников / Ш.Ш.Сарсембинов, О.Ю.
Приходько, М.Ж. Мальтекбасов, А.П. Рягузов, С.Я.Максимова С.Я. – Алматы., 2015. – 239 с.42. Mukta Behera. Optical band gap tuning by laser induced Bi diffusion intoAs2Se3 film probed by spectroscopic techniques / Mukta Behera, Sunita Behera andRamakanta Naik // RSC Adv. – 2017. – No.7. – Р.18428.43. Iovu, M.s. Raman spectra of AsxSe100-x and As40Se60 glasses doped withmetals // M.s. Iovu, E.I.
Kamitsos, C.Varsamis, M. Popescu / In Chalcogenide letters. –2005. – №2 – Р.21.44. Мотт, Н. Электроны в неупорядоченных структурах / Н. Мотт; под ред.А.А. Бонч-Бруевича. – М.: Мир, 1967. – 172 с.45. Davis, E. A. Conduction in non-crystalline systems V. Conductivity, opticalabsorption and photoconductivity in amorphous semiconductors / E. A. Davis, N.
F.Mott // Phil. Mag. – 1970. – Vol.22. – No.179. – P.903.46. Cohen, M. H. Simple band model for amorphous semiconducting alloys / M.H. Cohen, H. Fritzsche, S. R. Ovshinsky // Phys. Rev. Lett. – 1969. – Vol.22. – No. 20.– P.1065.12447.
Лазаренко, П. И. Технология получения и электрофизические свойстватонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te, предназначенных для устройствфазовой памяти: дис. … канд. тех. наук: 05.27.06 / М., 2014. – 18 1с.48. Tauc, J. The optical properties of solids / J. Tauc. — Ed. F. Abeles, NorthHolland, Amsterdam, 1970. — 1034 p.49. Сарсембинов, Ш.Ш. Влияние облучения на электронные свойстваполупроводников с неупорядоченной структурой / Ш.Ш.
Сарсембинов, О.Ю.Приходько, М.Ж. Мальтекбасов, А.П. Рягузов, С.Я. Максимова // – Труды 2-ойМеждународной конференции «Ядерная и радиационная физика» (ICNRP-99) –Алматы. – 1999. – Том 2. – C.163.50. Сарсембинов, Ш.Ш. Влияние отжига на структуру и оптическиесвойства аморфных пленок As-Se, полученных разными методами / Ш.Ш.Сарсембинов, О.Ю. Приходько, А.П. Рягузов, С.Я. Максимова, E. C. Цой // Тезисдоклад 2-ой Международной конференции «Аморфные и микрокристаллическиеполупроводник». – СПБ – 2000. – C.163.51. Нгуен Хуи Фук. Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 ивлияние на них легирующих примесей / дис. … канд. физю-мат.
наук: 01.04.10 /Нгуен Хуи Фук. – М.: 2014. – 171 c.52. Аззам, Р. Эллипсометрия и поляризованный свет / Р. Аззам, Н. Башара.– М.: "Мир", 1981. – 583 c.53. Forouhi, A. R. Optical properties of crystalline semiconductors anddielectrics / A. R. Forouhi and I. Bloomer. // Phys.
Rev. B., 1988. – V. 38. – P.1865.54. Vahid, G. Ta’eed. Ultrafast all-optical chalcogenide glass photonic circuits //Vahid G. Ta’eed, Neil J. Baker, Libin Fu, Klaus Finsterbusch, Michael R.E. Lamont,David J. Moss, etal./ – Optics Express – 2007. – Issue 15. – Р.9205.55. Wee Chong Tan. Characterization and Optical Properties of Erbium dopedAs2S3 Films / Wee Chong Tan, William T. Snider, Yifeng Zhou, Christi Madsen //Prepared by Multi-layer Magnetron Sputtering, 2017.
– 18p.56. Bora Ung. Chalcogenide Microporous Fibers for Nonlinear Applications inMid-Infrared / Bora Ung, Maksim Skorobogatiy // Optics Express – 2010. – Vol.18. –125No.8 – P.8647.57. Than Singh Saini. Broadband Mid-Infrared Supercontinuum SpectraSpanning 2–15 μm Using As2Se3 Chalcogenide Glass Triangular-Core Graded-Index /Than Singh Saini, A. V. D. Nagendra Kumar, Ravindra Kumar Sinha // Journal ofLightwave Technology – 2015. – Vol.33. – Issue 18.
– P.3914.58. Shaaban E.R. Calculation of the Optical Constants of AmorphousSemiconducting As40S60, As40S35Se25 and As40Se60 Thin Films from Transmittance andReflectance Measurements / E.R. Shaaban // Journal of Applied Sciences – 2006. –Vol.6. – P.340.59. Алексин, Е. Н. Способы хранения и получения водорода на подводнойлодке / дис. … канд.
тех. наук: 05.08.05 / Алексин Евгений Николаевич – СПБ,2003. – 204 с.60. Гулоян, Ю.А. Технология стеклотары и сортовой посуды / Ю.А.Гулоян. – Издание 2-е, переработанное и дополненное. – М.: Легпромбытиздат,1986. – 260 c.61. Немилов, С.В. Оптическое материаловедение: Оптические стекла:Учебное пособие, курс лекций / С.В.Немилов.
– СПб: СПбГУ ИТМО, 2011. – 175с.62. Shchurova, N.T. Correlation between mechanical parameters for amorphouschalcogenide films / N.T. Shchurova, N.D. Savchenko // Journal of Optoelectronics andAdvanced Materials – 2001. – Vol. 3. – No. 2. – P.491.63. Hilton, A.R. Infrared Transmitting Materials / A.R. Hilton // J. Electron.Mater.
– 1973. – Vol.2. – No.2. – P.211.64. Savchenko, N. Deposition technigue and external factors effect on As2S3and ero structure mechanical properties / N. Savchenko, T. Shchurova, M. Trunov, A.Kondrat, V. Onopko // Proc. SPIE. – 1997. – V.3182. – P.319.65. Deutsch, T.F. Laser Window Materials-an Overview / T.F. Deutsch // J.Electron. Mater. – 1975. – Vol.4. – No.4. – P.663.66. Биланич, В.С. Исследование динамики и механизмов деформированиятонких халькогенидных пленок As(Ge)2Se3 методом наноиндентирования / В.С.126Биланич, С.С. Кикемезей, И.М. Ризак, В.М. Ризак // Физика твердого тела. – 2011.– Т.53.
– вып.11. – С.7.67. Попов, А.И. Аморфное и стеклообразное состояния твердого тела/ А.И.Попов // Изв. АН СССР Неорганические материалы. – 1981. – №8. – С.1402.68. Козюхин, С.А. Модифицированние халькогенидных стеклообразныхполупроводников:дис.…док.хим.наук:02.00.04/КозюхинСергейАлександрович. – М., 2007. – 381 с.69. Виноградова, Г.З.
Исследование области стеклообразования в системеAs – S / Г.З. Виноградова и С.А. Дембовский // АН СССР Неорганическиематериалы. – 1965. – T.1. – №9. – С.1838.70. Дебовский, С.А. О соединении AsSe / С.А. Дебовский // Ж.Неорг.Химии. – 1963. – Т.7. – №2. – С.1534.71. Дебовский, С.А. Кристаллизация стекол в системе Se - As2Se3 / С.А.Дебовский // Ж. Неорг. Химии. – 1964. – Т.9, №2. – С.389.72. Айо, Л.Г. Оптические стекле, прозрачные в инфракрасной областиспектра λ=11-15мкм / Л.Г.Айо, В.Ф. Кокорина // Оптико-механическаяпромышленность. – 1961 – №4. – С.39.73. Hruby, A. A.
Study of glass-forming ability and phase diagram of arsenicsulfur system / A. A. Hruby // J. Non-Cryst. Solids. – 1978. – V.28. – No.1. – P.139.74. Головашкин, А.И. Методы получения пленок и покрытий извысокотемпературныхсверхпроводнков/А.И.Головашкин//ЖурналВсесоюзного химического общества им. Д.И.Менделеева. – 1989. – Т.34. – №4. –С.481.75.
Грибов,Б.Г.Осаждениепленокипокрытийразложениемметаллоорганических соединений. Б. Г. Грибов и другие / М.: Наука, 1981. —322с.76. Пауэлла, К. Осаждение из газовой фазы / Под редакцией К.Пауэлла,Дж.Оксли, Дж.Блочера. – М.: Атомиздат, 1970. — 472c.77. R. D. Mathis Company. Evaporation Sources Catalog // R. D. MathisCompany / Signal Hill, CA 90755, USA, 1992. – P.1.12778. Schöning, M.J. Can pulsed laser deposition serve as an advanced techniquein fabricating chemical sensors// M.J. Schöning, Yu.G. Mourzina, J. Schubert, W.Zander, и другие / Sensors and Actuators, 2001 – Vol.
78. – P.273.79. Горбенко, О.Ю. Получение тонких пленок ВТСП методом MOCVD /О.Ю. Горбенко, В.Н. Фуфлыгин, А.Р. Кауль // Сверхпроводимость: исследованияи разработки. – 1995. – T.5. – C.38.80. Hugh O. Pierson. Handbook of Chemical Vapor Deposition (CVD):Principles. Hugh O. Pierson / Technology and Applications, Noyes Publications. – ParkRidge, N.J., USA, 1992. – 436p.81. Сыркин,В.Г.CVD-метод.Химическоепарофазноеосаждение.В.Г.Сыркин/ – М.: Наука, 2000. – 496 с.82. Valiulis, A.V. Liquid phase deposition methods monitoring techniquesinfluence for solid substrates and thin metal oxide films properties / A.V.
Valiulis, P.Silickas // Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering. –2007. – V. 24. – № 1. – P.188.83. Yourdkhani, A. Liquid Phase Deposition of Barium Hexaferrite Thin Films /A. Yourdkhani, D. Caruntu, A.K. Perez, G. Caruntu // J. Phys. Chem. C. – 2014. – V.118, № 4. – P.1774.84. Klein, L.C. Opportunities for sol–gel materials in fuel cells / L.C. Klein //Materials Science. – 2002.
– Vol.20. – №1. – P.81.85. Robert, W. Schwartz. Chemical Solution Deposition of Perovskite ThinFilms / W. Robert // Chem. Mater. – 1997. – V.9. – P.2325.86. Sahu, N. Fundamental understanding and modeling of spin coating process:A review / N. Sahu, B. Parija, Panigrahi S Indian // J.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
