Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1149415), страница 21

Файл №1149415 Диссертация (Изучение электронного и атомного строения нанослоев Al2O3 при контакте с TiN и диэлектриков на основе SiO2) 21 страницаДиссертация (1149415) страница 212019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 21)

Wiech, G. [и др.] X-ray emission bands and electronic structure of crystallineand vitreous silica (SiO2) // Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1985. - 18.- C. 4393-4402.13035. Smith, R.S. [и др.] Analysis of Ultraviolet Curing Effect on the DielectricConstant and Molecular Structure of a Porous Dielectric Film // Journal ofelectronic materials. - 2010. - 39. - 2337-2345.36. King, S.W. [и др.] X-ray photoelectron spectroscopy investigation of theSchottky barrier at low-k a-SiO(C):H/Cu interfaces // Applied Physics Letters.

2011. - 99. - C. 202903-202905.37. King, S.W. [и др.] Valence and conduction band offsets at amorphoushexagonal boron nitride interfaces with silicon network dielectrics // AppliedPhysics Letters. - 2014. - 104. - C. 102901-102904.38. Kim, C.Y. [и др.] Characteristics of low-k SiOC(–H) films deposited at varioussubstrate temperature by PECVD using DMDMS/O2 precursor // Thin SolidFilms. - 2007. - 516. - 340–344.39. Navamathavan, R.

[и др.] Deposition and characterization of porous lowdielectric-constant SiOC(-H) thin films deposited from TES/O2 precursors by usingplasma-enhanced chemical vapor deposition // Journal of the Korean PhysicalSociety. - 2008. - 53. - C. 351-356.40. Schmeißer, D. [и др.] Chemical Bonding in Low-k Dielectric Materials forInterconnect Isolation: Characterization using XAS and EELS // AIP ConferencePoceedings. - 2006. - 817.

- C. 117-124.41. Hoffmann, P. [и др.] Characterization of chemical bonding in low-k dielectricmaterialsfor interconnect isolation: a XAS and EELS study // Proceedings of 2006MRS Spring Meeting. - 2006.42. Levin, I. [и др.] Metastable alumina polymorphs: crystal structures andtransition sequences // Journal of American Ceramic Society. - 1998- 81. - 19952012.43. Ching, W. Y. [и др.] Ab initio study of the physical properties of γ-Al2O3:Lattice dynamics, bulk properties, electronic structure, bonding, optical properties,and ELNES/XANES spectra // Physical Review B.

- 2008. - 78. - 014106.44. Перевалов, Т.В. [и др.] Применение и электронная структурадиэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью. - 2010. - 180. - С.587-603.45. French, R.H. Electronic band structure of Al2O3 with comparison to AlON andAlN // Journal of American Ceramic Society. - 1990. - 73. - 477-489.13146. Gutierrez, G. [и др.] Theoretical structure determination of γ-Al2O3 // PhysicalReview B.

- 2001. - 65. – C. 012101.47. Cai, Sh.-H. [и др.] Phase transformation mechanism between γ-Al2O3 and θalumina // Physical Review B. - 2003. - 67. - C. 224104.48. Paglia, G. [и др.] Determination of the structure of γ-alumina from interatomicpotential and first-principles calculations: The requirement of significant numbersof nonspinel positions to achieve an accurate structural model // Physical ReviewB. - 2005.

- 71. – C. 224115.49. Gutierrez, G. [и др.] Molecular dynamics study of structural properties ofamorphous Al2O3 // Physical Review B. - 2002. - 65. - C. 104202.50. Ealet, B. [и др.] Electronic and crystallographic structure of γ-alumina thinfilms // Thin Solid Films. - 1994. - 250. – C. 92-100.51. Toyoda, S. [и др.] Significant increase in conduction band discontinuity due tosolid phase epitaxy of Al2O3 gate insulator films on GaN semiconductor // AppliedPhysics Letters. - 2012.

- 101. - C. 231607-231610.52. Брытов, И.А. [и др.] Рентгеноспектральное исследование электронногостроения окислов кремния и алюминия // Физика твердого тела. - 1978. - 20. –C. 664-667.53. Davis, S. [и др.] Structural, elastic, vibrational and electronic properties ofamorphous Al2O3 from ab initio calculations // Journal of Physics: CondensedMatter. - 2011. - 23. - C. 495401-495409.54. Lamparter, P.

[и др.] Structure of amorphous Al2O3 // Physica B. - 1997. - 234236. - C. 405-406.55. Шевяков, А.М. Химия высокотемпературных материалов: монография /А.М. Шевяков, Г.Н. Кузнецова, В.Б. Алесковский - Л.: издательство, 1967.149 – 155 с.56. Suntola T., Antson J., patent US 4 058 430, 15, (1977)57. Afanas’ev, V. V. [и др.] Influence of Al2O3 crystallization on band offsets atinterfaces with Si and TiNx // Applied Physics Letters. - 2011. - 99. - C. 072103072105.13258.

Groner, M.D. [и др.] Electrical characterization of thin Al2O3 films grown byatomic layer deposition on silicon and various metal substrates // Thin Solid Films.- 2002. - 413. - C. 186-197.59. Jakschik, S. [и др.] Crystallization behavior of thin ALD-Al2O3 films // ThinSolid Films. - 2003. - 425. - C. 216-220.60. Nikolaou, N. [и др.] The effect of oxygen source on atomic layer depositedAl2O3 as blocking oxide in metal/aluminum oxide/nitride/oxide/silicon memorycapacitors // Thin Solid Films.

- 2013. - 533. - C. 5-8.61. Ju, Y. [и др.] Effect of high-pressure oxygen annealing on electricalcharacteristics of metal-alumina-nitride-oxide-silicon-type flash memory devices //Japanese Journal of Applied Physics. - 2009. - 48. - 04C065.62. Perevalov, T.V. [и др.] Oxygen deficiency defects in amorphous Al 2O3 //Jornal of Applied Physics. - 2010. - 108.

- C. 013501-013504.63. Xu, Z. [и др.] Effects of high-temperature O2 annealing on Al2O3 blockinglayer and Al2O3/Si3N4 interface for MANOS structures // Journal of Physics D:Applied Physics. - 2012. - 45. - C. 185103-185107.64. Park, J.-K. [и др.] Improvement of memory performance by high temperatureannealing of the Al2O3 blocking layer in a charge-trap type flash memory device //Applied Physics Letters. - 2010. - 96. - C. 222902-222904.65. Rothschild, A.

[и др.] O2 post deposition anneal of Al2O3 blocking dielectricfor higher performance and reliability of TANOS flash memory // Proceedings ofthe European Solid State Device Research Conference (Athens, Greece, 14–18September 2009) C. 272–275.66. Sawada, K. [и др.] Metalorganic molecular beam epitaxy of γ‐Al2O3 films onSi at low growth temperatures // Applied Physics Letters. - 1988. - 52.

- C. 16721674.67. Kundu, M. [и др.] Effect of oxygen pressure on the structure and thermalstability of ultrathin Al2O3 films on Si(001) // Journal of Applied Physics. - 2002. 91. - C. 492-500.68. Afanas’ev, V.V. [и др.] Impact of annealing-induced compaction on electronicproperties of atomic-layer-deposited Al2O3 // Applied Physics Letters. - 2002. - 81.- C. 1678-1680.13369. Arakawa, E.T. [и др.] Optical properties of aluminum oxide in the vacuumultraviolet // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1968.

- 29. - C. 735744.70. Codling, K. [и др.] Structure in the LII,III absorption of aluminum and its oxides// Physical Review. - 1968. - 167. – C. 587-591.71. Balzarotti, A. [и др.] Core transitions from the Al 2p level in amorphous andcrystalline Al2O3 // Physica Status Solidi B.

- 1974. - 63. - C. 77-87.72. Senemaud, C. [и др.] X-ray photoabsorption in metallic aluminium,policrystalline and amorphous Al2O3 // Journal of Physics and Chemistry of Solids.- 1976. - 37. - С. 83-87.73. Århammar, C. [и др.] Unveiling the complex electronic structure of amorphousmetal oxides // Proceedings of the National Academy of Sciences of the UnitedStates of America.

- 2011. - 108. - C. 6355-6360.74. Balzarotti, A. [и др.] Core excitons in corundum // Solid StateCommunications. - 1982. - 44. - C. 275-278.75. Li, D. [и др.] Al K-edge XANES spectra of aluminosilicate minerals //American Mineralogist. - 1995. - 80. - C. 432-440.76. Bianconi, A., Core excitons and inner well resonances in surface soft X-rayabsorption (SSXA) spectra // Surface science. - 1979. - 89. - C. 41-50.77. Abramov, V.N.

[и др.] Electronic energetic structure and optical properties ofAl2O3 // Physics of Solid State. - 1979. - 21. - C. 47.78. Zhurakovskii, A.P. [и др.] Excitation of recombination luminescence in aAl2O3 by synchrotron radiation of photon energy 70-220 eV // Physics of SolidState. - 1979. - 21. - С. 138.79. Olivier, J. [и др.] Electronic structure of Al2O3 from electron energy lossspectroscopy // Surface Science.

- 1981. - 105. - C. 347-356.80. Neddermeyer, H. [и др.] Soft X-ray L-emission spectrum of aluminium //Physics Letters A. - 1970. - 31. - С. 17-18.81. Momida, H. [и др.] Theoretical study on dielectric response of amorphousalumina // Physical Review B. - 2006. - 73. - C. 054108.82. Barta, I.P., Electronic structure of α-Al2O3 // Journal of Physics C: Solid StatePhysics. - 1982. - 15. - C. 5399-5410.13483. Menendez-Proupin, E. [и др.] Electronic properties of bulk γ-Al2O3 // PhysicalReview B.

- 2005. - 72. - С. 035116.84. Sun, M. [и др.] Examination of spinel and nonspinel structural models for γAl2O3 by DFT and Rietveld refinement simulations // The Journal of PhysicalChemistry B. - 2006. - 110. - С. 2310-2318.85. Lee, C.-K. [и др.] Comparative study of electronic structures and dielectricproperties of alumina polymorphs by first-principles methods // Physical ReviewB. - 2007. - 76. - C.

245110.86. Krokidis, X. [и др.] Theoretical study of the dehydration process of boehmiteto γ-alumina // The Journal of Physical Chemistry B. - 2001. - 105. - С. 5121-5131.87. Фомичев, В.А. Исследование энергетической структуры Al и Al2O3методом ультрадлинноволновой рентгеновской спектроскопии // ФизикаТвердого Тела. - 1966. - 8. - С. 2892-2899.88.

O' Brien, W.L. [и др.] Intermediate coupling in L2-L3 core excitons of MgO,A12O3, and SiO2 // Physical Review B - 1991. - 44. - C. 1013.89. Kornblum, L. [и др.] Investigation of the band offsets caused by thin Al 2O3layers in HfO2 based Si metal oxide semiconductor devices. // Applied PhysicsLetters. - 2012. - 100. - C.

062907-062909.90. Виноградов А.С. Резонансы формы в ближней тонкой структуреультрамягких рентгеновских спектров поглощения молекул и твердых тел.:дис... докт. физ.-мат. наук.: 01.04.07 (1987), Л., ЛГУ.91. Павлычев А.А. [и др.] Физика Твердого Тела. - 1986. - 28. - 2881.92. Зимкина, Т.М. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия: монография /Т.М. Зимкина, В.А.

Фомичев. - Л.: Изд-во ЛГУ, 1971. - 130 с.93. Щемелев, В.Н. [и др.] Квантовый выход по полному току в мягкойобласти рентгеновского спектра // Физика твердого тела. - 1998. - 40. - 10421046.94. http://henke.lbl.gov/optical_constants/95. Henke, B.L. [и др.] X-ray interactions: photoabsorption, scattering,transmission, and reflection at E=50-30000 eV, Z=1-92 // Atomic data and nucleardata tables.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6613
Авторов
на СтудИзбе
295
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее