Отзыв официального оппонента 2 (1149424)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Отзыв официального оппонента на диссертацию Конашука Алексея Сергеевича «Изучение электронного и атомного строения нанослоев А120з при контакте с Т1М и диэлектриков на основе %02» представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07.- Физика конденсированного состояния. Развитие современной микро- и наноэлектроники требует разработки технологии формирования гетероструктур состоящих из нанометровых слоев полупроводниковых, металлических и диэлектрических пленок с различными характеристиками. При этом возникает проблема диагностирования этих слоев, а также слоев, которые могут возникать на гетерогранице в результате межатомного взаимодействия.

Т.к. в пределах нескольких нанометров необходимо формировать и, следовательно, диагностировать слои различного состава и свойств, то необходима разработка методов проведения послойного анализа атомного и электронного строения и таких важных энергетических характеристик слоев как положение потолка валентной зоны, дна зоны проводимости и положение уровня Ферми, определяющих электрофизические характеристики сформированных гетероструктур для современных МДП-транзисторов. Поэтому диссертация Конашука А. С.

Направленная на установление закономерностей формирования состояний валентной зоны и зоны проводимости в слоях А120з, тонких диэлектрических пленок на основе %02,, а также строения и ширины межфазовой границы между у-А!20з и ТЫ вполне аккьнееьне. Для решения поставленных задач автор предлагает, прежде всего, использовать спектроскопию рентгеновского поглощения вблизи краев входящих в состав соответствующего слоя элементов, что позволило анализировать характер химического окружения поглощающих атомов, устанавливать наличие химической связи между элементами, а с помощью использования различным образом поляризованного излучения выяснять и направленность химических связей.

Для анализа занятых валентных состояний, а также для исследования распределения занятых состояний по глубине тонких слоев использовалась рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия при различных энергиях фотонов от 700 до 3000 эВ, а также вариации угла отбора вылетающих фотоэлектронов.

Все эти измерения проводились на различных каналах источника синхротронного излучения ВЕЗЯ'1' П (Германия), что в сочетании с современным высокоточным экспериментальным оборудованием и программными средствами обработки обеопечипо выоокую боотовацвоеть полученных в циоеертации результатов и сделанных на их основе выводов. Современные средства исследования и актуальные объекты исследования позволили автору получить ряд новых и п актически важных резупьтатав. Во первых в Пиоеертации уетановпено, что в отруктуре метаппдиэлектрик (Т1Х/у-А120з) в результате взаимодействия слоя Т1Х с 7-А120з образуется слой оксинитрида титана Т1Х,О, без формирования оксида титана Т10 . Модификация оксида кремния %02 с помощью введения метиловых групп приводит к подъему потолка валентной зоны и к образованию примесной подзоны вблизи уровня Ферми из-за образования углеродных кластеров.

В диссертации установлено, что в ряду ам- А120з -у-А120з-а- А120з в результате изменения координации атомов алюминия кислородом от тетраэдрической к октаэдрической происходит увеличение ширины запрещенной зоны за счет подъема дна зоны проводимости. Практичеокаа значимоеть циоеертации Конашука А.С. обуеповпена прежде всего тем, что установленные закономерности в изменении параметров зонного спектра исследуемых наноструктур находятся во взаимосвязи с технологическими условиями формирования этих структур, что позволит в дальнейшем создавать наноструктуры с необходимыми энергетическими характеристиками.

Содержание автореферата в целом соответствует тексту и выводам диссертации. Основные результаты диссертации опубликованы в ведущих научных изданиях, в том числе входящих в перечень ВАК. Содержание диссертации, приведенных результатов, сделанных выводов и выдвигаемых положений соответствует указанной специальности 01.04.07 - физика конденсированного состояния. Диссертация Конашука А.С. является завершенным научным исследованием. В тоже время она не лишена некоторых недостатков: 1.

Вызывает сомнение точность определения ширины запрещенной зоны по спектру неупругого рассеяния фотаэлектронов в области 01з уровня из-за слабо выраженного края характеристических потерь. Большая погрешность приводит к неоднозначному поведению структуры незанятых А14з- и 04рсостояний в спектрах поглощения относительно предполагаемого дна зоны проводимости в оксидах алюминия. 2. Непонятно почему автор исключает из рассмотрения формирующуюся примесную подзону обусловленную углеродом метиловых групп в пленках органосиликатного стекла и энергетически находящихся, как установлено автором, ниже состояний кремния и кислорода и, следовательно, определяющих положение дна проводимости ОСС. 3. Неясно почему автор при анализе образования связей Я-С в ОСС исключает из рассмотрения БЕХАРИ эталонной пленки ЯС в области Я 1.~;- края, что было бы убедительным для доказательства наличия такой связи.

4. При анализе формирования пленок РЕС'ЛЭ, ЯАТ по энергиям связи остовных уровней нет четкого объяснения одновременного уменьшения энергий связи уровней кремния и кислорода. Отмеченные недостатки, тем не менее, не снижают общую положительную оценку данной диссертации. Диссертация Конашука Алексея Сергеевича «Изучение электронного и атомного строения нанослоев А1~0з при контакте с Т1Х и диэлектриков на основе Я О~» представленная на соискание ученой степени кандидата законченной научно- физико-математических наук, является 23 января 2018 г. Профессор, д.ф.-м.н.

по научной специальности 01.04.10 - Физика полупроводников Терехов Владимир Андреевич «Воронежскии,:::..'- '-„'. -" ле апюькм гасулааствы~.:"йюлыат, университет»,;::,..„--"; -:~-'-'.'-';,в-:;,,-„'," „,,„-;„',,' .'„, ".„.', твердого тела и::.=-л.-. ', ! ~ --"-:;„.~ф~' г ~~Я~"-"'ф~- — 1'ввъ ало-= - . ЛЫ~~~~Ю ~'~~~ --;--:,.;:::."- 4 -=-'.::УЯщ: ~!~4'~~.Р~:~а~д' ФГБОУ ВО государственный кафедра Физики наноструктур Тел.: +7(473) 220-83-63 е-гпа11: Й1®рЬузлвп.га Адрес: 394018, Россия, г. Воронеж, Университетская площадь, 1, ВГУ квалификационной работой, выполненной на высоком профессиональном уровне.

Работа соответствует требованиям ВАК, предъявляемым к кандидатским диссертациям„в том числе критериям 11-го раздела Положения о присуждении ученых степеней, утвержденного постановлением Правительства Российской Федерации от 24 сентября 2013 г. № 842, а ее автор Конашук Алексей Сергеевич заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07— Физика конденсированного состояния. .

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов диссертации