Отзыв научного руководителя (1149423)
Текст из файла
Отзыв научного руководителя диссертационной работы А.С. Конашука на тему: «Изучение электронного и атомного строения нанослоев А12Оз при контакте с Т1Х и диэлектриков на основе ЯОг» Диссертационная работа А.С. Конашука посвящена изучению факторов, влияющих на формирование состояний валентной зоны и зоны проводимости различных кристаллических модификаций А120з и оксидов на основе %02, определяющих величину энергетических барьеров для носителей тока на границе между данными диэлектриками и соседними слоями полупроводников или металлов. Выбор объектов исследования позволил проследить влияние изменения, как электроотрицательности ближайшего окружения, на примере оксидов на основе %02, так и симметрии окружения (а вместе с тем и эффективного заряда на центральном атоме), на примере различных кристаллических модификаций А1зОз, на электронные свойства материала.
В частности было показано, что изменение электроотрицательности ближайшего окружения центрального атома не влияет на положение дна зоны проводимости, а изменяет положение потолка валентной зоны. При этом, изменение эффективного заряда на центральном атоме не отражается на положении потолка валентной зоны, но сильно сдвигает положение дна зоны проводимости, которое напрямую зависит от симметрии окружения атома алюминия в структуре. В силу отсутствия на сегодняшний день четкого представления о влиянии последовательной модификации структур %02 и А120з на их запрещенную зону, работа представляется актуальной и чрезвычайно востребованной.
Следует подчеркнуть, что реализация рентгеновской спектроскопии поглощения и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в одних экспериментальных условиях позволила автору получить достоверную информацию о формировании состояний валентной зоны и зоны проводимости различных модификаций А120з и оксидов на основе %02, что будет способствовать совершенствованию технологии синтеза !ож-1с диэлектриков на основе ЯО2, и оптимальному выбору кристаллической фазы А120з для его использования в качестве подзатворного диэлектрика в МДП- транзисторах и в качестве блокирующего диэлектрика в энергонезависимых элементах памяти.
Уменьшение топологических размеров многослойных структур ведет к существенному увеличению роли процессов, происходящих на границе диэлектрик/металл 1полупроводник), приводящих к формированию тонких интерслоев. Образовавшиеся промежуточные слои могут приводить к изменению энергетического барьера на межфазо вой границе, и, как следствие, к изменению эффективной работы выхода, что существенно влияет на основные характеристики приборов. В этой связи, комплексный подход, основанный на применении методов фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий и МЕХАг Б спектроскопии при использовании разно поляризационного излучения, позволил Конашуку А.С. вскрыть природу поляризационного слоя, образованного на границе А12Оз/ПХ, и, что самое главное, выявить причину изменения эффективной работы выхода на межфазовой границе.
Этот результат чрезвычайно важен для правильного предсказания величины энергетического барьера в системах оксид/металл. Полученные в работе результаты интересны и важны как с фундаментальной, так и с прикладной точки зрения и могут быть использованы при разработке оптимальных диэлектриков для эффективной изоляции, как различных функциональных слоев внутри наноустройств, так и для изоляции металлических соединительных линий в микрочипе.
За время обучения в СПбГУ А.С. Конашук успешно защитил бакалаврскую и магистерскую диссертации, в полной мере освоил работу на самых современных рентгеновских спектрометрах с высокими экспериментальными характеристиками, получил богатый опыт проведения экспериментальных исследований, как в СПбГУ, так и в ведущем мировом научно-исследовательском центре синхротронного излучения (ВЕККИО 11, Берлин (Германия)), и проявил себя как вполне зрелый исследователь, который может самостоятельно ставить задачи и находить пути их эффективного решения, проявляя высокую активность и работоспособность. Тема научных исследований, проведенных А.С. Конашуком, современна и высоко актуальна. Работа выполнена на высоком научно- исследовательском уровне с использованием современных экспериментальных методов и оборудования.
Полученные в рамках работы результаты опубликованы в ведущих научных журналах и докладывались на российских и международных научных конференциях. Обоснованность и достоверность основных результатов и выводов диссертации обеспечиваются корректностью постановки задач работы, высоким уровнем используемой экспериментальной техники в сочетании с мощными спектроскопическими методиками и профессиональным применением современных научных концепций анализа экспериментальных данных. Оценивая работу А.С. Конашука в целом, считаю необходимым отметить большой объем и высокий уровень выполненной работы, актуальность исследований, достоверность полученных данных и широкую апробацию результатов исследований на престижных международных и российских научных конференциях. Следует также отметить, что А.С.
Конашук является стипендиатом правительства РФ (2013-2014 гг.), Президента РФ (2016-2017 гг,), правительства РФ по приоритетным направлениям развития экономики РФ (2017-2018 гг.). Также он является руководителем проекта РФФИ 16-32- 00276 мол а. Считаю, что диссертационная работа А.С. Конашука соответствует требованиям Высшей аттестационной комиссии при Министерстве образования и науки Российской Федерации, предъявляемым к диссертациям на соискание степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07 «физика конденсированного состояния». Отзыв предоставлен проф. Филатовой Еленой Олеговной Должность: Профессор Организация: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный университет» Домашний адрес: 197046, Санкт-Петербург, ул. Куйбышева д.
1/5 кв. 21 Телефон: +7 (921) 333-43-87 Адрес электронной почты: 1 Доктор физико-математических наук, профессор ФИЛАТОВА Елена Олеговна Подпись Филатовой Елены Олеговны заверяю: Докумс~д пс л)ъ и порядке исполнения т13удовых обязанностей .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.