Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1149415), страница 22

Файл №1149415 Диссертация (Изучение электронного и атомного строения нанослоев Al2O3 при контакте с TiN и диэлектриков на основе SiO2) 22 страницаДиссертация (1149415) страница 222019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 22)

-1993. - 54. - C. 181-342.13596. Stöhr, J. NEXAFS Spectroscopy: монография / J. Stöhr. - Berlin: Springer,1992. – 348 с.97. Hähner, G. Near edge X-ray absorption fine structure spectroscopy as a tool toprobe electronic and structural properties of thin organic films and liquids //Chemical Society Reviews. - 2006. - 35. - C. 1244–1255.98. Sutherland, D.G.J.

[и др.] Stoichiometry reversal in the growth of thinoxynitride films on Si(100) surfaces // Journal of Applied Physics. - 1995. - 78. С. 6761-6769.99. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика: Учеб. пособ.: Длявузов. В 10 т. Т. IV / В. Б. Берестецкий, Е. М. Лифшиц, Л. П. Питаевский.Квантовая электродинамика. - 4-е изд., испр. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 720с.100. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Курс теоретической физики: Учеб. пособ.:Для вузов. В 10 т. Т. III. Квантовая механика (нерелятивистская теория).

- 6-еизд., испр. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. - 800 с.101. Yeh, J.J. [и др.] Atomic subshell photoionization cross sections andasymmetry parameters: 1≤Z≤103 // Atomic Data and Nuclear Data Tables. - 1985.- 32. - C. 1-155.102. Фелдман, Л., Основы анализа поверхности и тонких пленок: монография/ Л. Фелдман, Д. Майер. - М.: Мир, 1989. - 344 c.103. Tanuma, S.

[и др.] Calculations of electron inelastic mean free paths. V. datafor 14 organic compounds over the 50–2000 eV range // Surface and interfaceanalysis. -1994. - 21. - C. 165-176.104. Tanuma, S. [и др.] Calculation of electron inelastic mean free paths (IMFPs)VII. Reliability of the TPP-2M IMFP predictive equation // Surface and InterfaceAnalysis.

- 2003. - 35. C. 268–275.105. Strehlow, W.H. [и др.] Compilation of energy band gaps in elemental andbinary compound semiconductors and insulators // Journal of Physical andChemical Reference Data. - 1973. - 2. - C. 163-199.106. Tanuma, S. [и др.] Calculations of electron inelastic mean free paths(IMFPS).

IV. Evaluation of calculated IMFPs and of the predictive IMFP formulaTPP-2 for electron energies between 50 and 2000 eV // Surface and InterfaceAnalysis. - 1993. - 20. - C. 77–89.136107. Fedoseenko, S.I. [и др.] Development and present status of the RussianGerman soft X-ray beamline at BESSY II // Nuclear Instruments and Methods inPhysics Research A.

- 2001. - 470. - C. 84–88.108.http://www.specs.de/cms/upload/PDFs/SPECS_Prospekte/phoibos_katalog_72dpi.pdf109. Seah, M.P., Summary of ISO/TC 201 standard: VII ISO 15472 : 2001 surface chemical analysis - X-ray photoelectron spectrometers - calibration ofenergy scales // Surface and Interface Analysis. -2001. -31. - C. 721-723.110.

Helander, M.G. [и др.] Note: binding energy scale calibration of electronspectrometers for photoelectron spectroscopy using a single sample // Review ofScientific Instruments. - 2011. - 82. - С. 096107-096110.111. Schäfers, F. [и др.] KMC-1: A high resolution and high flux soft x-raybeamline at BESSY // Review of Scientific Instruments. - 2007. - 78. - C.

123102123115.112. Gorgoi, M. [и др.] The high kinetic energy photoelectron spectroscopyfacility at BESSY progress and first results // Nuclear Instruments and Methods inPhysics Research A. - 2009. - 601. - C. 48–53.113. Sawhney, K.J.S. [и др.] A novel undulator-based PGM beamline forcircularly polarised synchrotron radiation at BESSY II // Nuclear Instruments andMethods in Physics Research A. - 1997. - 390. - C.

395-402.114. Weiss, M.R. [и др.] The elliptically polarized undulator beamlines at BESSYII // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 2001. - 467-468. C. 449-452.115. Тарачева, Е.Ю. Отражение поляризованного рентгеновского излученияпространственно анизотропными структурами.: дис...

канд. физ.-мат. наук.:01.04.07 (2005), СПб., СПбГУ.116. Schaefers, F. [и др.] Soft-x-ray polarimeter with multilayer optics: completeanalysis of the polarization state of light // Applied Optics. - 1999. - 38. - C. 40744088.117. Eggenstein, F. [и др.] A reflectometer for at-wavelength characterization ofgratings // Nuclear Instruments and Methods. - 2013. - A710. - C.

166–171.137118. Schäfers, F. [и др.] The At-Wavelength Metrology Facility at BESSY-II //Journal of large-scale research facilitiesю - 2016. - 2. - A50.119. Smirnov, E.A. [и др.] Evaluation of a new advanced low-k material //Japanese Journal of Applied Physics. - 2011. - 50. - 05EB03.120. Jousseaume, V. [и др.], Ultra-low-k by CVD: deposition and curing, in: M. R.Baklanov, P. Ho, E. Zschech (Eds.), Advanced Interconnects for ULSITechnology, Wiley, Chichester, 2012, p. 35.121. Li, D.

[и др.] X-ray absorption spectroscopy of silicon dioxide (SiO2)polymorphs: the structural characterization of opal // American mineralogist. 1994. - 79. - C. 622-632.122. Tanaka, I. [и др.] X-ray-absorption fine structure of crystalline silicondioxides // Physical review B. -1995. - 52. - C. 11733-11739.123. Filatova, E.O. [и др.] Fine-structure of absorption 2P-spectra of siliconcompounds // Physics of the solid state. - 1985. - 27.

- C. 606-609.124. Sutherland, D.G.J. [и др.] Si L- and K-edge X-ray-absorption near-edgespectroscopy of gas-phase Si(CH3)x(OCH3)4-x: models for solid-state analogs //Physical review B. - 1993. - 48. - C. 14989-15001.125. Urquhart, S.G. [и др.] Inner-shell spectroscopy of compounds containingSi-Si bonds: is there a localized, low-energy Si-Si resonance? // Chemical physics.- 1994. - 189.

- C. 757-768.126. Lenardi, C. [и др.] Near-Edge X-ray absorption fine structure and ramancharacterization of amorphous and nanostructured carbon films // Journal ofapplied physics. - 1999. - 85. - C. 7159-7167.127. Batson, P.E. Carbon 1s near-edge-absorption fine structure in graphite //Physical review B. - 1993. - 48. - C. 2608-2610.128.

Филатова, Е.О. [и др.] Глубина формирования отраженного пучкамягкого рентгеновского излучения в условиях зеркального отражения //Физика твердого тела. - 1998. - 40. - С. 1360-1363.129. Filatova, E. [и др.] Optical constants of amorphous SiO2 for photons in therange of 60–3000 eV // Journal of Physics: Condensed Matter. - 1999. - 11. - C.3355-3370.138130. Filatova, E.O. [и др.] Optical constants of crystalline HfO2 for energyrange 140–930 eV // Applied Optics. - 2010.

- 49. - C. 2539-2546.131. Grill, A. [и др.] Interface engineering for high interfacial strength betweenSiCOH and porous SiCOH interconnect dielectrics and diffusion caps // Journal ofapplied physics. - 2008. - 103. - C. 054104-054109.132. Iacopi, F.

[и др.] Challenges for structural stability of ultra-low-k-basedinterconnects // Microelectronic engineering. - 2004. - 75. - C. 54–62.133. Hitchcock, A.P. [и др.] Carbon K-shell electron energy loss spectra of 1and 2-butenes, trans-1,3-butadiene, and perfluoro-2-butene. carbon-carbon bondlengths from continuum shape resonances // Journal of Chemical Physics. - 1984. 80. - C. 3927-3935.134. Cottrell, T.L. The strengths of chemical bonds: монография / T.L.

Cottrell.- London: Butterworths Publications Ltd, 1958. - 310 c.135. Darwent, B. B. National standard reference data series: монография / B.B.Darwent. - Washington: National Bureau of Standards, 1970.136. Gago, R. [и др.] Evolution of sp2 networks with substrate temperature inamorphous carbon films: experiment and theory // Physical review B. - 2005. - 72.- С. 014120.137. Konashuk, A.

[и др.] Effect of deposition technique on chemical bondingand amount of porogen residues in organosilicate glass // MicroelectronicEngineering. - 2017. - 178. - C. 209-212.138. Diaz, J. [и др.] Analysis of the π* and σ* bands of the X-ray absorptionspectrum of amorphous carbon // Physical review B. - 2001. - 64. - C. 125204.139. Outka, D.A. [и др.] NEXAFS studies of complex alcohols and carboxylicacids on the Si(111)(7˟7) surface // Surface science. - 1987. - 185. - C. 53-74.140. Jaouen, M. [и др.] A NEXAFS characterization of ion-beam-assistedcarbon-sputtered thin films // Diamond and related materials.

- 1995. - 4. - C. 200206.141. Wu, Z.Y. [и др.] Electronic structure analysis of α-SiO2 via X-rayabsorption near-edge structure at the Si K, L2,3 and O K edges // Journal of physics:condensed matter. - 1998. - 10. - C. 8083–8092.139142. Tsai, H.M. [и др.] Enhancement of Si–O hybridization in low-temperaturegrown ultraviolet photo-oxidized SiO2 film observed by X-ray absorption andphotoemission spectroscopy // Journal of applied physics. - 2008. - 103. - C.013704-013707.143. Gross, Th. [и др.] An XPS analysis of different SiO2 modificationsemploying a C 1s as well as an Au 4f7/2 static charge reference // Surface andinterface analysis. - 1992.

- 18. - C. 59-64.144. Himpsel, F.J. [и др.] Microscopic structure of the SiO2/Si interface //Physical review B. - 1988. - 38. - C. 6084.145. Onneby, C. [и др.] Silicon oxycarbide formation on SiC surfaces and at theSiC/SiO2 interface // Journal of vacuum science & technology A. - 1997. - 15. - C.1597- 1602.146. Lanfant, B. [и др.] Effects of carbon and oxygen on the spark plasmasintering additive-free densification and on the mechanical properties ofnanostructured SiC ceramics // Journal of the European ceramic society. - 2015. 35.

- C. 3369-3379.147. Fujimoto, A. [и др.] Origins of sp3C peaks in C1s X‑ray photoelectronspectra of carbon materials // Analytical Chemistry. - 2016. - 88. - C. 6110−6114.148. Mezzi, A. [и др.] Surface investigation of carbon films: from diamond tographite // Surface and interface analysis. - 2010. - 42.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
А знаете ли Вы, что из года в год задания практически не меняются? Математика, преподаваемая в учебных заведениях, никак не менялась минимум 30 лет. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6613
Авторов
на СтудИзбе
295
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее