Диссертация (1143290), страница 43
Текст из файла (страница 43)
Проведенные испытания спая показали его пригодность для склеивания деталей микроэлектроники при относительно низких температурах и отсутствии напряжений.30740. Проведенные исследования показали, что сапфир (плоскость роста 1102),полученный методом ГНК, имеет высокую прочность и имеет возможность дальнейшего использования в различных областях, связанных с оптическим наблюдением в условиях воздействия направленных ударных волн со скоростями до 830,0м/сек, что является основой для конструкций авиационной и космической техники.41. Разработаны технологические маршруты создания спаев сапфир – стекловидный диэлектрик PbO – B2O3 – ZnO и сапфир – стекловидный диэлектрик PbO– B2O3 – ZnO – керамика, что является основой для создания защитных панелей.Получен опытный образец сапфир – стекловидный диэлектрик PbO – B2O3 – ZnO –керамика, что является основой для разработки защитных панелей.
Важным достоинством таких панелей является повышенная стойкость к кинетическому воздействию ударной волны и их малый вес.В заключение автор выражает искреннюю благодарность своим научнымконсультантам доктору технических наук, профессору, члену-корреспондентуРАЕН Сергею Павловичу Малюкову и доктору физико-математических наук, доценту Алексею Владимировичу Филимонову, за многолетний интерес к работе,помощь, внимание, постановку проблем и обсуждение результатов работы.308СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ1.
Dobrovinskaya E.R, Lytvynov L.A., Pishchik V.V. Sapphire and other corundumcrystals. –Kharkiv : Institute for Single Crystals, 2002. – 294 p.2. http://gazeta.zn.ua/SCIENCE/broneboynuyu_pulyu_ostanovit_sapfir.html3. http://lostlab.ru/forum/topic251.html4. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V. Investigation of defects formation on differentstages of sapphire crystals growth 2014 J.
Phys.: Conf. Ser. 541 012032. 5 p.5. http://www.elcp.ru/index.php6. Багдасаров Х.С., Горяинов Л.А. Тепло- и массоперенос при выращиваниимонокристаллов направленной кристаллизацией. – М. : ФИЗМАТЛИТ, 2007. – 224с.7. http://www.semiconchina.org/downloadFile/1364362384807.pdf8. Стучебников В.М. Структуры «кремний на сапфире» как материал для тензопреобразователей механических величин // Радиотехника и электроника 2005. –Т.
50. – №6 – С. 678–696.9. http://www.nature.com/nphoton/journal/v5/n12/full/nphoton.2011.253.html10. Галкин В.А., Забудько М.А. Аналитические и численные решения нелинейных уравнений теплопроводности и кинетических уравнений для моделирования кристаллизации // Математическое моделирование. – 2001. – Т. 13, № 12.
– С.46–54.11. Любов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. – М. : Наука,1975. – 420 с.12. Вильке К.-Т. Выращивания кристаллов. – Л. : Недра, 1977. – 600 c.13. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. – 3-е изд. – СПб. : Лань, 2002. – 424 с.14. Лодиз Р., Паркер Р.
Рост монокристаллов. – М. : Мир, 1974. – 540 с.15. Бакли Г. Рост кристаллов. – М. : Изд. иностр. лит, 1954. – 407 с.30916. Теплова Т.Б., Самерханова А.С. Тенденция развития применения твердыхвысокопрочных материалов в микроэлектронике, медицине и ювелирных изделиях// Горный информационно-аналитический бюллетень. – 2006.
– № 10. – С. 339–347.17. Богданов Ю., Кочемасов В., Хасьянова Е. Неорганические подложки: характеристики, критерии выбора // Печатный монтаж. –2014. – № 1. – С. 204–216.18. http://pandia.ru/text/78/172/71453.php19. Кривулин Н.О. Ультратонкие тонкие слои кремния на сапфире. – НижнийНовгород: Нижегородский госуниверситет, 2011.
– 40 с.20. Нелина С.Н. Разработка и исследование технологии изготовления элементов электронной техники на основе монокристаллического сапфира : дис. … канд.техн. наук. – Таганрог, 2010. – 156 c.21. Вейко В.П., Котов Г.А., Смирнов В.Н., Шандыбина Г.Д., Яковлев Е.Б.Температурные напряжения в структуре «пленка – подложка» при лазерном импульсном нагревании // Квантовая электроника. – 1981. – № 10. – С.
8–13.22. http://www.findpatent.ru/patent/244/2446511.html23. Кузнецов В.Д. Кристаллы и кристаллизация. – М. : Госгеолтеxиздат, 1954.– 411 c.24. Добровинская Е.Р., Литвинов Л.А., Пищик В.В. Монокристаллы корунда.– Киев : Наукова Думка, 1994. – 256 с.25. Монастырский В.П., Логунов А.В. Об управлении процессом направленной кристаллизации //Физика и химия обработки материалов. – 1984. – № 4. – С.60–66.26. Пищик В.В., Бирман Б.И. и др. О механизме возникновения пор в монокристаллах корунда // Монокристаллы и техника: Сб. науч. тр.
– 1971. – Вып. 5. –С. 26–35.27. Добровинская Е.Р., Литвинов Л.А., Пищик В.В. Энциклопедия сапфира. –Харьков : НТК «Институт монокристаллов», 2004. – 508 с.31028. Стефанович В.А. Разработка и исследование технологии получения лейкосапфира для электронной техники: дис. … канд. техн. наук. – Таганрог, 2009. – 164c.29.Антонов П.И., Крымов В.М., Носов Ю.Г., Шульпина И.Л.
Выращиваниебазисноограненных ленточных кристаллов лейкосапфира и изучение их дислокационной структуры // Известия АН. Сер. Физ. – 2004. – Т. 68, № 6. – С. 777–783.30. Ганеев И.Г., Казуров Б.К., Караульник Э.Н. Механизмы и кинетика кристаллизации. – Минск, 1969. – С. 399–407.31. Багдасаров Х.С., Горяинов Л.А.
Физические и математические моделипроцессов теплопереноса в установках для получения монокристаллов по методугоризонтальной направленной кристаллизации // Физика и химия обработки материалов. – 1981. – № 5. – С. 22–27.32. Багдасаров Х.С., Горяинов Л.А. Развитие горизонтальной направленнойкристаллизациитугоплавкихдиэлектрическихматериалов//Инженерно-физический журнал.
– 1998. – Т. 71, № 2. – С. 248–253.33. Горяинов Л.А. Математическое моделирование процесса выращиваниямонокристаллов из расплава // Физика и химия обработки материалов. – 1996. – №5. – С. 128–134.34. Сергеев С.А., Спиридонов Ф.Ф. Влияние величины зоны прогрева на кристаллизацию расплава // Математическое моделирование. – 2003.
– T. 15, №7. – С.3–10.35. Добровинская Е.Р., Пищик В.В. Связь структурного совершенства монокристаллов корунда с механизмом их формирования // Кристаллография. – 1988. –Т. 33, № 4. – С. 1000–1005.36. Мармер Э.Н. Материалы для высокотемпературных вакуумных установок.– М. : ФИЗМАТЛИТ, 2007. – 152 с.37. Бодячевский С.В., Лингарт Ю.К., Петров В.А. О температурных полях привыращивании лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Физика и химия обработки материалов. – 1984. – № 1. – С. 24–26.31138. Багдасаров Х.С.
Высокотемпературная кристаллизация из расплава. – М. :Физматлит, 2004. – 160 с.39. Бахолдин С.И., Галактионов Е.В., Крымов В.М., Слободинский В.Д. Расчет касательных напряжений в системах скольжения для кристаллов сапфира в зависимости от ориентации направления выращивания // Известия академии наук.Серия физическая. – 1994. – Т. 58, № 9. – С.
32–41.40. Александров В.И., Осико В.В., Татаринцев В.В. Плавление тугоплавкихдиэлектрических материалов высокочастотным нагревом // Приборы и техникаэксперимента. – 1970. – Т. 5. – С. 222–225.41. Классен-Неклюдова М.В., Багдасаров Х.С. Рубин и сапфир.
– М. : Наука,1974. – 408 с.42. Лебедев Г.А., Малюков С.П., Чередниченко Д.И. Исследование моделижидкофазной рекристаллизации слоя поликремния на сапфировой подложке //Кристаллография. – 2009. – Т. 54, № 3. – С. 553–558.43. Малюков С.П., Чередниченко Д.И., Стефанович В.А., Лебедев Г.А. Влияние степени переохлаждения на процессы в кристалле и условия самосогласованного роста // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: тезисы докл.
Междунар. конф. – Кисловодск, 2005. – С. 310–311.44. Лебедев Г.А., Малюков С.П., Скубилин М.Д., Чередниченко Д.И. Установка направленной кристаллизации расплава сапфира // Патент Республики Казахстан № 477 от 26.01.2009.45. Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитексиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. – М. : 1979. – С.
89.46. Козлов Ю.Ф., Зотов В.В. Структуры кремния на сапфире: технология,свойства, методы контроля, применение. – М. : МИЭТ, 2004. – С. 240.47. Блецкан Н.И. Устройство для выращивания монокристаллов сапфира //Патент 2227822 от 27.04.2004.31248. Багдасаров Х.C., Графов Г.К., Малинин В.И., Саркисов С.Э., ТрофимовА.С. Способ выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов // Патент 2320789от 27.03.2008.49. Ан Чо Тхэ Способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира // Патент 2520472 от 27.06.2014.50. Катрич Н.П., Будников А.Т., Воробьев А.Е., Кривоногов С.И., Мирошников Ю.П.
Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире // Вопросы атомной науки и техники. –2008. – № 1. – С. 24–26.51. Коздоба Л.А. Вычислительная теплофизика. – Киев : Наукова Думка, 1992.– 224 с.52. ДешкоВ.И.,КарвацкийА.Я.,ЛохманецЮ.В.Радиационный-кондуктивный теплообмен при росте полупрозрачных кристаллов из расплава //Математическое моделирование. – 2008. – № 2 (19). – С. 39–43.53. Zdanov V., Rossolenko S.N., and Borodin V.A. Mathematical modeling of themulti-run process of crystal pulling from the melt by EGP (Stepanov) technique in dependence on the angle of the inclination of the working edges of the dies // Cryst.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
