Диссертация (1143290), страница 46
Текст из файла (страница 46)
конф. – Таганрог, 2006. – С.82–84.147. Малюков С.П., Стефанович В.А., Чередниченко Д.И. Исследование модели самосогласованного роста монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации // Известия ВУЗов. Электроника. – 2007. – № 2. – С. 3–9.148. Малюков С.П., Стефанович В.А., Чередниченко Д.И. Релаксация пузырейв расплаве лейкосапфира при получении кристаллов методом горизонтальнойнаправленной кристаллизации // Кристаллография.
– 2007. – Т. 52, № 6. – С. 1137–1140.149. Гегузин Я.Е., Дзюба А.С., Кононенко Н.В. Роль открытых включений переохлажденного расплава в формировании газовых пузырей в тылу фронта кристаллизации // Кристаллография. – 1981. – Т. 26. – С. 571.150. Малюков С.П., Нелина С.Н., Клунникова Ю.В. Методы оптимизации технологического процесса получения монокристаллов лейкосапфира // ИзвестияЮФУ. Технические науки.
Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР». –2010. – № 7. – С. 210–216.151. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Разработка программы расчета и оптимизации режимов роста монокристаллов сапфира // Интеллектуальные системы иинформационные технологии: труды конгресса. – М.
: Физматлит, 2010. – С. 306–308.323152. Иванов Л.Н., Мезенцев Ю.А. Методы оптимизации расписаний параллельных обслуживающих систем // Программные продукты и системы. – 2008. – №1. – C. 72–74.153. Мезенцев Ю.А. Оптимизация расписаний параллельно-последовательныхсистем в календарном планировании // Информационные технологии. – 2009. – №6. – C.
35–41.154. Секаев В.Г. Использование алгоритмов комбинирования эвристик при построении оптимальных расписаний // Информационные технологии. – 2009. – №10. – C. 61–64.155. Мезенцев Ю.А. Оптимизация расписаний параллельных динамических систем в календарном планировании // Информационные технологии. – 2008.
– № 2.– C. 16–23.156. Лебедев Г.А., Малюков С.П., Стефанович В.А., Чередниченко Д.И. Теплофизические процессы при получении кристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Кристаллография. – 2008. – T. 53, № 2. –C.
356–360.157. Малюков С.П., Куликова И.В., Нелина С.Н., Клунникова Ю.В. Численноемоделирование роста кристаллов сапфира методом ГНК // Информационные технологии, системный анализ и управление: тезисы докл. Всерос. конф.– Таганрог,2010. – С. 155–156.158. Клунникова Ю.В. Модель распределения температуры при выращиваниимонокристаллов сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации //VII Ежегодная научная конференция студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН: тезисы докл. – Ростов-на-Дону, 2011. – С. 172–173.159. Лыков А.В. Теория теплопроводности.
– М. : Высшая школа, 1967. – 600 с.160. Першин И.М. Анализ и синтез систем с распределенными параметрами. –Пятигорск, 2007. – 244 с.161. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Моделирование распределения температуры в процессе роста монокристаллов сапфира методом горизонтальной направ324ленной кристаллизации в трехмерных координатах // Известия ЮФУ. Техническиенауки.
Тематический выпуск «Нанотехнологии». – 2011. – № 4. – С. 86–94.162. Патанкар С. Численные методы решения задач теплообмена и динамикижидкости. – М. : Энергоатомиздат, 1984. – 150 с.163. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Программа расчета распределения температуры в процессе роста монокристаллов сапфира методом горизонтальнойнаправленной кристаллизации // Св. об офиц. рег. прогр. для ЭВМ № 2011612757.2011.164. Малюков С.П., Нелина С.Н., Стефанович В.А.
Физико-технологическиеаспекты изготовления изделий из сапфира. – LAP LAMBERT Academic PublishingGmbH & Co. KG (Германия), 2012. – 164 с.165. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Оптимизация производства изделий изсапфира для электронной техники. – LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH& Co. KG (Германия), 2012. – 151 с.166. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Куликова И.В. Расчет распределениятемператур в процессе роста монокристаллов сапфира методом горизонтальнойнаправленной кристаллизации // Известия ЮФУ. Технические науки.– Таганрог,2013.
– № 1. – С. 63–67.167. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Трехмерное моделирование теплообменав установках для получения монокристаллов сапфира // Нанотехнологии: тезисыдокл. Междунар. конф. – Таганрог, 2012. – С. 146–147.168. Малюков С.П., Куликова И.В., Клунникова Ю.В. Исследование тепловыхпроцессов при получении сапфира в ростовом оборудовании // Проблемы автоматизации. Региональное управление. Связь и автоматика: тезисы докл. Всерос.конф. – Геленджик, 2012. – С. 50–52.169. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Исследование тепловых полей на процесс образования дефектов в сапфире // Миссия молодежи в науке: тезисы докл.Всерос. конф. – Ростов-на-Дону, 2012. – С.
97–98.325170. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Распределение температурных полей вмонокристаллах для оценки процессов дефектообразования // Известия СПбГЭТУ«ЛЭТИ». – Санкт-Петербург, 2013. – № 4. – С. 3–8.171. Мелан Э., Паркус Г. Термоупругие напряжения, вызываемые стационарными температурными полями.
– М. : ФИЗМАТЛИТ, 1958. – 165 с.172. Розин Л.А. Задачи теории термоупругости и численные методы их решения. – СПб. : СПбГТУ, 1998. – 532 с.173. Розенберг О.А., Сохань С.В., Залога В.А., Криворучко Д.В., Дегтярев И.М.О выборе параметров сборных компонентов подвижного соединения эндопротезатазобедренного сустава // Вiсник СумДУ. Серiя “Техiчнi науки”. – 2009. – № 4. –C. 156–169.174. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Математическая модель тепловых и термоупругих процессов при формировании кристаллов сапфира // Современные информационные технологии: тенденции и перспективы развития: тезисы докл.
Всерос. конф. – Ростов-на-Дону, 2013. – С. 232–233.175. Бахолдин С.И., Галактионов Е.В., Крымов В.М. Термоупругие напряжения, действующие в базисной и призматической системах скольжения при выращивании лент лейкосапфира нулевой и 900-ной ориентаций // Известия академиинаук. Серия физическая. – 1999. – Т. 63. – № 9. – С. 1816–1824.176. Инденбом В.Л., Томилевский Г.Е. Измерение внутренних напряжений вкристаллах синтетического корунда // Кристаллография.
– 1958. – Т. 3. – № 5. – С.591–599.177. Босин М.Е., Звягинцева И.Ф., Звягинцев В.Н., Лаврентьев Ф.Ф., Никифоренко В.Н. Стартовое напряжение для начала движения дислокаций в монокристаллах рубина // Физика твердого тела. – 2004. – Т. 46. – № 5. – С. 834–836.178. Никитенко В.И., Инденбом В.Л. Сопоставление напряжений и дислокацийв кристалле германия // Кристаллография.
– 1971. – Т. 6. – № 3. – С. 432–438.179. Антонов Ю.Я., Рагозин Ю.И. Импульсный метод снятия остаточныхнапряжений. – Физика и химия обработки материалов. – 2001. – № 3. – С. 91–95.326180. Вандакуров И.Ю., Галактионов Е.В., Юферев В.С., Крымов В.М., Барта Ч.Температурные поля и поля напряжений при выращивании оптически анизотропных кристаллов // Известия академии наук СССР. Серия физическая. – 1988. – №10. – Т.
52. – С. 1879–1883.181. Цветков Е.Г., Рылов Г.М., Юркин А.М. Роль дислокационных образованийв релаксации локальных напряжений, вызванных структурной неоднородностьюкристаллов // Кристаллография. – 1999. – № 2. – Т. 44. – С. 308–316.182. Носов Ю.Г., Деркаченко Л.И. Последействие при испытании корунда намикротвердость // Журнал технической физики. – 2003. – Т. 73. – № 10. – С. 139–142.183. Гончаров В.А., Азанова И.В., Васекин Б.В. Модель неравновесной кристаллизации для численного решения задачи роста полупроводниковых кристалловиз расплавов // Известия вузов. Электроника. – 2010. – № 5.
– С. 5–13.184. Madenci E., Oterkus E. Predynamic theory and its application. – New York:Springer, 2014. – 289 c.185. Денисов А.В., Крымов В.М., Пунин Ю.О. Исследование оптических аномалий и остаточных напряжений в базисноограненных ленточных кристаллах сапфира, выращенных методом Степанова // Физика твердого тела. – 2007. – Т. 49, №3. – С. 454–459.186. Будников А.В., Воробьёв А.Е., Канищев В.Н. и др. ПрепринтИМК-90-4.ВНИИ монокристаллов. Харьков.
1990.187. Cherednichenko D.I., Malyukov S.P.. Klunnikova Yu.V. Sapphire: Structure,Technology and Applications. – USA : Nova Science Publishers, 2013. – pp. 101–118.188. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. – Ленинград : «Наука»,1975. – С. 582.189. Ряднов С.Н. Влияние условий кристаллизации на содержание газообразующих примесей и характеристики парогазовых включений в кристаллах лейкосапфира: Автореферат дис.
… канд. техн. наук. – Москва, 1987. – 20 с.327190. Akopyan V.A., Soloviev A.N., Parinov I.A., Shevtsov S.N. Definition of Constants for Piezoceramic Materials. – New York : Nova Science Publishers, 2010. – 205 p.191. Бритвин А.А. Моделирование процессов механической обработки пластинполупроводниковых и диэлектрических материалов свободным абразивом: Автореферат дис.
… канд. техн. наук. – Москва, 2007. – 28 с.192. Карбань В.И., Борзаков Ю.И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике. – М. : Радио и связь, 1988. – 104 с.193. Evans A.G., Wilshau T.R. Gaussi-Static Particle Damage in Brittle Solids: Observations, Analysis and Implications // Acta Met. – 1976. – Vol. 24, № 10.
– pp. 936–956.194. Kirchner H.P., Ragosta J.A. Relation of Load to Radial Crack Length for Spherical Indentations in Hot-Pressed ZnS // Amer. Ceram. Soc. – 1983. – Vol. 66, № 4. – pp.293–296.195. Райхельс Е.И., Ром М.А. Влияние параметров абразивной обработки настепень искаженности поверхностного слоя монокристаллов // Физика и химия обработки материалов.
– 1980. – № 2. – С. 96–98.196. Аникин А.В., Литвинов Ю.М. Рентгеновская диагностика структуры иглубины повреждений в механически обработанных пластинах сапфира // Известиявузов. Электроника. – 2006. – № 6. – С. 89–90.197. Арендаренко А.А., Голодаева Н.Л., Литвинов Ю.М., Цыпленков И.Н. Глубина и структура повреждений в пластинах GaP, полученных методом многопроволочной резки // Известия вузов. Электроника.
– 2005. – № 2. – С. 32–35.198. Соловей В.В., Литвинов Ю.М. Диагностика субмикронных приповерхностных повреждений в пластинах кремния после двухстороннего химикомеханического полирования // Известия вузов. Электроника. – 2005. – № 6. – С.32–35.199. Соловей В.В., Литвинов Ю.М., Хохлов А.И., Яковлев С.П. Процесс двухстороннего химико-механического полирования пластин кремния // Известия вузов. Электроника. – 2004. – № 6.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
