Диссертация (1143290), страница 49
Текст из файла (страница 49)
конф. – Таганрог, 2012. –T.1. – С. 74–75.310. Хачатрян В.А. Исследование и разработка теоретических и технологических основ управления примесью при росте оксидных монокристаллов (лейкосап-339фира)извысокотемпературногорасплава.Ереван,2011–314с.(www.calameo.com/books/001714613c0fdccee545a).311. Bogatov N.M.
Gauge Field Theory of Dislocations Formation by ThermalStresses // Phys. Stat. Sol. – 2001. – V. 228. – № 3. – pp. 651–661.312. Рогозов Ю.И., Стукотий Л.Н., Свиридов А.С. Моделирование систем :учеб. пособие. – Таганрог : ТРТУ, 2004. – 120 с.313. Рогозов Ю.И. Концепция построения модели предприятия // ИзвестияТРТУ.
Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР». – 2004. – № 3. – С. 101–106.314. Рогозов Ю.И. Функциональная структура информационной системыуправления предприятием // Известия ТРТУ. – 2000. – № 1. – С. 84–86.315. Бобнев С.В., Рогозов Ю.И. Функционально-ориентированная модельпредприятия // Известия ТРТУ. Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР».–2006. – № 8.
– С. 163–168.316. Бобнев С.В., Рогозов Ю.И. Методика построения функциональноориентированной модели организационной структуры предприятия и его информационного заполнения // Телекоммуникации. – 2006. – № 7. – С. 13–20.317. Кодачигов В.И., Бобнев С.В., Рогозов Ю.И. Методика построения и оптимизации модели организационной структуры предприятия // Интеллектуальныесистемы: труды международной научно-технической конференции. – М.: Физматлит, 2006. – Т. 2. – С.
208–214.318. Гаскаров Д.В. Интеллектуальные информационные системы : учеб. для вузов. – М. : Высш. шк., 2003. – 431 с.319. Смолин Д.В. Введение в искусственный интеллект: конспект лекций. – 2-еизд., перераб. – М. : ФИЗМАТЛИТ, 2007. – 264 с.320. Проектирование и реализация баз данных Microsoft SQL Server 2000.Учебный курс MCAD/MCSE, MCDBA/Пер. с англ. – М. : Русская редакция, 2003. –512 с.340321. Полякова Л.Н. Создание иерархической структуры данных в среде MSSQL Server // Программные продукты и системы.
– 2001. – № 2. – С. 5–9.322. Вигерс Карл Разработка требований к программному обеспечению. – М. :Русская Редакция, 2004. – 576 с.323. Шатунов А.Н. и др. Получение кремния солнечного качества с использованием непрерывной индукционной плавки в холодном тигле // ИзвестияСПбГЭТУ «ЛЭТИ». – 2011. – № 4. – С. 53–57.324. Клунникова Ю.В., Борисенко И.О. Разработка базы знаний экспертной системы для получения монокристаллов кремния // Проблемы автоматизации. Региональное управление.
Связь и автоматика: тезисы докл. Всерос. конф. – Геленджик,2014. – С. 30–32.325. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Куликова И.В. Программа расчета основных параметров процесса получения изделий из кристаллов сапфира для электронной техники // Св. о рег. электрон. ресурса № 17518. 2011.326. Никифорова-Денисова С.Н. Технология полупроводниковых приборов иизделий микроэлектроники : учеб. пособие. – М. : Высш. шк., 1989. – 95 с.327. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Автоматизация расчета режимов плоского шлифования периферией круга монокристаллов лейкосапфира // Микроэлектроника и информатика: тезисы докл.
Всерос. конф. – Москва, 2009. – С. 161.328. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Исследование процессов механическойобработки монокристаллов сапфира // Техническая кибернетика, радиоэлектроникаи системы управления: тезисы докл. Всерос. конф. – Таганрог, 2010. – С. 40.329. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Информационная система обработки монокристаллов лейкосапфира // Неделя науки: сб. тезисов. – Таганрог, 2009.
– С.123–126.330. Филимонов Л.Н. Плоское шлифование. – 3-е изд., перераб. и доп. – Л. :Машиностроение. – 1985. – 109 с.331. Запорожский В.П., Лапшинов Б.А. Обработка полупроводниковых материалов : учеб. пособие. – М. : Высш. шк., 1988. – 184 с.341332. Литвинов Л.А., Друзенко Т.В., Потапова В.Г., Бланк А.Б.
Коррозийнаястойкость сапфира в зависимости от кристаллографических особенностей // Кристаллография. – 2001. – Т. 46, № 2. – С. 347–349.333. Райхельс Е.И., Ром М.А. Статическая модель абразивной обработки кристаллов // Физика и химия обработки материалов. – 1981. – № 5. – С. 115–118.334.
Рубашев М.А. Термостойкие диэлектрики и их спаи с металлом в новойтехнике. – М. : Атомиздат, 1980. – 246 с.335. Дилигенский Н.В., Янюшкин Ю.М. К оценке путей оптимизации процессашлифования на основе тепловых расчетов // Физика и химия обработки материалов. – 1983. – № 1. – С. 23–26.336. Татаренков А.И., Енишерлова К.И., Русак Т.Ф., Гриднев В.Н. Методы контроля нарушенных слоев при механической обработке монокристаллов.
– М. :Энергия, 1978. – 64 с.337. Белая А.И., Добровинская Е.Р., Литвинов Л.А., Цайгер А.М. Трещиностойкость монокристаллов корунда // Физика и химия обработки материалов. –1984. – № 1. – С. 128–131.338. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Усовершенствование технологии обработки монокристаллов сапфира // Нанотехнологии: тезисы докл.
Междунар. конф.– Таганрог, 2012. – С. 68–69.342ПРИЛОЖЕНИЕМАТЕМАТИЧЕСКОГОAИПРОГРАММНАЯИНФОРМАЦИОННОГОРЕАЛИЗАЦИЯОБЕСПЕЧЕНИЯПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРАА.1 Разработка критериев оптимизации технологического процесса получения изделий из монокристаллов сапфира для информационной и экспертной поддержки процессаОсновные цели и критерии оптимизации процесса получения сапфировыхизделий формируются на основе важных показателей процесса. Эти показателимогут быть рассмотрены в виде двух основных групп:- показатели, характеризующие качество получаемого сапфира;- показатели, определяющие затраты на проведение технологического процесса.В настоящее время получение изделий из сапфира должно быть ориентировано на выполнение следующей целевой функции:F(КK,Ц) → opt,(А.1)где КK – критерии качества получаемых изделий из монокристаллического сапфира; Ц – цена готового изделия.Качество и стоимость процесса получения монокристаллов сапфира определяется множеством различных параметров технологии выращивания монокристаллов сапфира G.
На обрудовании типа СЗВН-155 для роста сапфира методом ГНК Gпредставляет собой следующее множество:G={p, v, n, q, w, o},(А.2)где p – мощность нагревателя; v – скорость движения контейнера; n – степень вакуума; q – качество шихты; w – конструктивные особенности (материал лодочки,материал теплового узла); o – пространственная ориентация. При выборе параметров технологического процесса роста сапфира необходимо учитывать следующиетехнологические условия при решении задачи условной оптимизации:p≤p0, v≤v0, n≤n0,(А.3)343где p0, v0, n0 – соответственно максимальные значения мощности нагревателя, скорости движения контейнера и степени вакуума для процесса получения монокристаллов сапфира.На рисунке А.1 представлен алгоритм решения оптимизационной задачи дляоптимального выбора параметров технологического процесса получения монокристаллов сапфира [306-311].Одним из главных свойств любого изделия является показатель качества.Количественная суммарная оценка показателей качества осуществляется с помощью выражения:ny k n an ,(А.4)i 1где k – коэффициент, который учитывает относительную значимость того или иноnго параметра процесса на качество получаемых кристаллов ( k n 1 ), a – коэффиi 1циент, определяющий значимость величины параметра процесса, n – число рассматриваемых параметров процесса.Для осуществления перевода значений параметров технологического процесса в интервал от 0 до 1 используется следующее выражение:Кy ymin,ymax ymin(А.5)где y, ymin, ymax – текущее, минимально возможное и максимально возможное значения показателя воздействия параметров процесса на качество кристалла.
Коэффициент K имеет значения на отрезке от 0 до 1.Эксперименты по получению монокристаллов сапфира методом ГНК на ростовом оборудовании СЗВН-155 позволили определить интервал значений параметров и их важность для хода процесса, получено соответствие значений реальных параметров процесса величине на шкале, полученной автором.Данные исследования нашли свое применение для разработки экспертнойсистемы получения изделий из монокристаллического сапфира.
На рисунке А.2344представлена схема функционирования экспертной системы для выбора оптимальных технических решений.Моделирование процесса получениямонокристаллов сапфираСистематизация полученных результатовмоделированияРазработка моделей для учета влиянияпараметров роста на качество сапфираУсовершенстование моделей для учета влиянияпараметров роста на качество сапфирадаРезультатадекватен по критерю Фишера?нетПоиск целевой функцииРазработка оптимизационной моделиРешение оптимизационной задачиРисунок А.1 – Алгоритм решения оптимизационной задачи для оптимального выбора параметров технологического процесса получения монокристаллов сапфира345Поиск начальных данных дляэкспертной системыВыбор необходимой модели и обработканачальных данныхРасчет коэффициента КДоработкаэкспертной системыдаРезультатадекватен?нетПрогнозирование качества сапфираПринятие оптимальных техническихрешенийРисунок А.2 – Схема функционирования экспертной системы для оптимального выбора параметров технологического процесса получения монокристалловсапфираСледовательно, для определения оптимальных условий получения монокристаллов сапфира необходимо применение методов оптимизации при сочетании математического моделирования с экспериментом и технологией экспертных систем.Экономическим эффектом и снижением затрат на процесс получения изделий изсапфира является увеличение выхода годных кристаллов и сокращение длительности технологического процесса, приводящее к уменьшению стоимости технологического процесса получения изделий из кристаллов сапфира.346А.2 Проектирование информационной и экспертной системы полученияизделий из сапфираНовое направление в программотехнике – CASE (Computer AidedSystem/Software Engineering) сформировалось за последние несколько лет.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
