Диссертация (1143290), страница 47
Текст из файла (страница 47)
– С. 26–30.328200. Бритвин А.А., Литвинов М.Ю., Литвинов Ю.М., Мальвинова О.М., Хуснетдинов И.А. Прогнозирование глубины приповерхностных повреждений в материалах электронной техники при их обработке свободным абразивом // Электронная промышленность. – 2003. – Т. 3. – С. 97–101.201. Клунникова Ю.В., Mалюков С.П., Саенко А.В.
Исследование процессовлазерной обработки материалов для микроэлектроники // Известия СПбГЭТУ«ЛЭТИ». – Санкт-Петербург, 2014. – № 8. – С. 15–19.202. Киреев П.С. Физика полупроводников. – М. : Высшая школа, 1969. – С.592.203. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. – Мн : Навука i тэхнiка, 1992. – С. 248.204.
Andrа G., Plentz J. Advances in Multicrystalline LLC-Si Thin Film Solar Cells// Proc. 22nd Europ. PVSEC, Milan. – 2007. – С. 1967–1970.205. Григорьянц А.Г., Шиганов И.Н., Мисюров А.И. Технологические процессы лазерной обработки. – М. : Изд-во МГТУ им. НЭ Баумана, 2008. – 664 с.206.
Румянцев А.В. Метод конечных элементов в задачах теплопроводности. –Изд-во КГУ, 1995. – 170 с.207. Moaveni S. Finite element analysis: theory and application with ANSYS. –Prentice Hall, 2007. – 880 p.208. Малюков С.П., Куликова И.В., Калашников Г.В. Моделирование процессалазерного отжига структуры «кремний-стекловидный диэлектрик» //ИзвестияЮжного федерального университета.
Технические науки. – 2011. – Т. 120, № 7. –С. 182–187.209. Малюков С.П. Стекловидные диэлектрики в производстве магнитных головок. – Таганрог : изд-во ТРТУ, 1998. – 183 с.210. Либенсон М.Н., Яковлев Е.Б., Шандыбина Г.Д. Взаимодействие лазерногоизлучения с веществом (силовая оптика). – СПб : СПб ГУ ИТМО, 2008. – 141 с.211. Dahotre N.B., Harimkar S. Laser fabrication and machining of materials. –Springer Science & Business Media, 2008. – 558 p.329212.
Dubey A. K., Yadava V. Laser beam machining – a review // InternationalJournal of Machine Tools and Manufacture. – 2008. – Т. 48, № 6. – С. 609–628.213. Довбня А.Н., Ефимов В.П., Абызов А.С., Шаповал И.И., Рыбка А.В., Березняк Е.П., Закутин В.В., Решетняк Н.Г., Ромасько В.П. Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях // Вопросы атомной науки и техники. – 2010.
– № 2. – С. 164–167.214. Gibbons I.F., Hess L.D., Sigmon T.W. Laser and Electron Beam Solid Interactions and Materials Processing. – Elsevier Science Publishing, 1981. – 547 p.215. Яковлев Е.Б., Шандыбина Г.Д., Либенсон М.Н. Взаимодействие лазерногоизлучения с веществом (силовая оптика). – СПб : СПбГУ ИТМО, 2005. – 84 с.216. Клунникова Ю.В., Палий А.В., Замков Е.Т., Савочка П.А., Малюков С.П.,Саенко А.В. Программа расчета распределения температур в структуре пленкасапфир в процессе лазерного воздействия // Св.
о рег. электрон. ресурса № 20543.2014.217. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В. Лазерная обработка сапфира для микро- и наноэлектроники // Труды международной научно-техническойконференции «Нанотехнологии в электронике и МЭМС». – Таганрог, 2014. – С.18–19.218.
Клунникова Ю.В., Саенко А.В., Буй Тхань Хай Численное моделированиераспределения температуры в структуре пленка-сапфир при лазерном воздействии// 12-я Курчатовская молодежная научная школа. – Москва, 2014. – С. 188.219. Клунникова Ю.В., Куликова И.В. Исследование влияния режимов работылазера на температурное поле в обрабатываемой полупроводниковой структуре //Перспективные разработки науки и техники: материалы IX Междунар. конф. –Польша, 2013.
– С. 13–15.220. Степанов А.Л. Ионный синтез наночастиц меди в сапфире и их модификация мощными импульсами эксимерного лазера (Обзор) // Журнал технической физики. – 2005. – Т. 75. – С. 1–14.330221. Жерихин А.Н., Худобенко А.И., Вильямс Р.Т., Вилкинсон Дж., Усер К.Б.,Хионг Г., Воронов В.В. Лазерное напылениеи пленок ZnO на кремниевые и сапфировые подложки // Квантовая электроника. –2013. – Т. 33, № 11. – С.
975–980.222. Илясов В.В., Месхи Б.Ч., Рыжкин А.А., Ершов И.В. Ультратонкие углеродные пленки на сапфире, выращенные методом лазерной абляции: синтез иАСМ-исследование // Вестник ДГТУ. – 2012. – № 1(62). – С. 31–35.223. Симакин А.В., Воронов В.В., Шафеев Г.А. Образование наночастиц прилазерной абляции твердых тел в жидкостях // Труды Института общей физики им.А.М. Прохорова. – 2004. – Т.
60. – С. 83–85.224. Вартанян Т.А., Гладских И.А., Леонов Н.Б., Пржибельский С.Г. Тонкиеструктуры и переключение электропроводности в лабиринтных пленках серебра насапфире // Физика твердого тела. – 2014. – Т. 56. – С. 783–789.225. Точицкий Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. – Минск: Наука и техника, 1978. – 376 с.226. Барина Е.В., Стратакис Э., Фотакис К., Шафеев А.Г. Генерация наноструктур при лазерной абляции металлов в жидкостях: новые результаты // Квантоваяэлектроника (Россия).
– 2010. – Т. 40. – № 11. – С. 1012–1020.227. Ларичев Т.А. Атомно-силовая микроскопия в исследовании наноразмерных частиц // Ползуновский вестник. – 2010. – № 3. – С. 77–80.228. Hung S.-K., Cheng C.-H., Chen C.-L. Automatic-patterned sapphire substratenanometrology using atomic force microscope // IEEE Transactions on Nanotechnology.– 2015. – № 14 (2). – pp. 292–296.229. Dolgaev S.I., Simakin A.V., Voronov V.V., Shafeev G.A., Bozon-Verduraz F.Nanoparticles produced by laser ablation of solids in liquid environment // Applied Surface Science. – 2002. – № 186 (1-4). – pp.
546–551.230. Lebedev G.A., Malyukov S.P., Cherednichenko D.I. Study of the model of liquid-phase recrystallization of a polysilicon layer on a sapphire substrate // Crystallography Reports. – 2009. – № 54 (4). – pp. 683–688.331231. Волков Е.Ю., Лисоченко В.Н., Конакова Р.В., Охрименко О.Б., Светличный А.М.
Влияние лазерной обработки на свойства пленок аморфного кремния //Известия высших учебных заведений. Физика. – 2011. – № 1/2. – С. 143–146.232. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V., Saenko A.V., Kulikova I.V. Optimization ofthe structure nanoporous TiO2 film in a dye-sensitized solar cell 2014 J. Phys.: Conf. Ser.541 012060. 6 p.233. Barmina E.V., Serkov A.A., Shefeev G.A., Stratakis E., Fotakis C. Nanostructuring of single crystal silicon carbide by femtosecond laser irradiation in a liquid //Physics of Wave Phenomena. – 2014. – Vol. 2.
– № 1. – pp. 15–18.234. Malyukov S.P., Sayenko A.V. Laser Sintering of a Porous TiO2 Film in DyeSensitized Solar Cells // Journal of Russian Laser Research. – Volume 34. – Issue 6. –2013 – pp. 531–536.235. Jinjing Feng, Jixiang Yan, Shouhuan Zhou Dynamic Behaviors of PbS Irradiated by Laser Pulse // Piers online, 2007. – Vol. 3. – № 6. – pp. 847–850.236. Долгаев С.И., Лялин А.А., Симакин А.В., Шафеев Г.А. Лазерностимулированное травление сапфира излучением лазера на парах меди // Квантовая электроника. – 1996. – № 1. – С. 67–70.237.
Воронов В.В., Долгаев С.И., Шафеев Г.А. Гетероэпитаксиальный ростпленок при лазерном облучении границы раздела «сапфир/поглощающая жидкость» // Доклады Академии Наук. – 1998. – Т. 358. – С. 465–469.238. Voronov V.V., Shafeev G.A. Laser-assisted micro-fabrication of sapphire. In:Sapphire: structure, technology and applications. – USA : Nova Science Publishers,2013.
– pp. 76–100.239. Долгаев С.И., Карасев М.Е., Кулевский Л.А., Симакин А.В., Шафеев Г.А.Растворение в сверхкритической жидкости как механизм лазерной абляции сапфира // Квантовая электроника. – 2001. – № 7. – С. 593–596.240. Качала В.В., Хемчян Л.Л., Кашин А.С., Орлов Н.В., Грачев А.А., Залесский С.С., Анаников В.П. Комплексное исследование структуры и механизмов получения и превращений газообразных, жидких и твердых химических систем ме332тодами масс-спектрометрии, спектроскопии ЯМР и электронной микроскопии //Успехи химии. – 2013.
– № 82. – С. 648–685.241. Кашин А.С., Анаников В.П. Формирование наноразмерных покрытий инаночастиц металлов путем магнетронного распыления и исследование методомсканирующей электронной микроскопии // Изв. АН сер хим. – 2011. – № 12. – С.2551–2556.242. Kitaev V.V., Rogozev B.I., Christich S.V., Sarychev D.A.
// Intern. Conf. ofMössbauer spectroscopy and its applications. 2002. P. 211.243. Pati S.S., Herojit Singh L., Mantilla Ochoa J.C., Guimaraesa E.M, Sales M.J.A.,Coaquira J.A.H., Oliveira A.C., Garg V.K. // Mater. Res. Express 2. 2015.244. Зимон А.Д. Адгезия пленок и покрытий. – М. : Химия, 1977. – 352 с.245. Конакова Р.В., Коломыс А.Ф., Охрименко О.Б., Стрельчук В.В., Светличный А.М., Григорьев М.Н., Коноплев Б.Г.
Особенности спектров комбинационногорассеяния света структур кварц/Si и стекло/Si, обусловленные лазерным отжигом //Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т. 48. – С. 639–642.246. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V. Physical and Technological Fundamentals ofSapphire Production for Electronics. In: Nano- and Piezoelectric Technologies, Materialsand Devices // USA : Nova Science Publishers.
– 2013. – pp. 133–150.247. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V. Complex Investigations of Sapphire CrystalsProduction // Springer Proceedings in Physics. – 2014. – V. 152. – pp. 55–69.248. Greg P. Smestad. Education and Solar Conversion: Demonstrating ElectronTransfer // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 1988. – Vol. 55. – pp. 157–178.249. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В. Моделирование процессалазерной обработки сапфира // Известия ЮФУ.
Технические науки. – 2014. – № 9.– С. 39–45.250. Paul E. West Introduction to Atomic Force Microscopy // Pacific Nanotechnology. – 2007. – pp. 68–96.251. Dobrovinskaya E.R., Lytvynov L.A., Pishchik V.V. Sapphire. Material, Manufacturing, Applications. – New York : Springer, 2009. – 481 p.333252. Величко Р.В., Гусев Е.Ю., Гамалеев В.А., Михно А.С., Бычкова А.С. Исследование режимов плазмохимического осаждения пленок нано- и поликристаллического кремния // Фундаментальные исследования. – 2012. –№ 11. – С. 1176–1179.253. B. El-Kareh. Fundamentals of semiconductor processing technology. – Boston,Springer, 1995. – 599 p.254. Гусев Е.Ю., Житяева Ю.Ю., Быков А.В., Бесполудин В.В.
Исследованиеэлектрофизических свойств пленок поликристаллического кремния для созданиямикроэлектромеханических систем. // Известия ЮФУ. Технические науки. – 2015.– № 9. – С. 126–134.255. Каплун А.Б., Морозов Е.М., Олферьева М.А. ANSYS в руках инженера:Практическое руководство. – М. : Едиториал УрСс, 2003.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
