Диссертация (1143290), страница 44
Текст из файла (страница 44)
Res.Technol. – 2007. – Vol. 42, № 4. – P. 325.54. Brandon S., Derby J.J. Internal radiative transport in the vertical Bridgmangrowth of semitransparent crystals // Journal of Crystal Growth. – 1991. – Vol. 110, № 3.– Р. 481–500.55. Антонов П.И., Бахолдин С.И., Васильев М.Г., Крымов В.М., МоскалевА.В., Юферев В.С. Анализ основных факторов, определяющих распределение температуры в трубчатых кристаллах лейкосапфира при выращивании их методомСтепанова // Известия академии наук. Серия физическая.
– 1994. – Т. 58, № 9. – С.72–79.56. Абгарян А.А. Моделирование температурных и термоупругих полей всапфире в трехмерных криволинейных координатах // Математическое моделирование. – 2001. – Т. 13, № 8. – С. 20–34.31357. Штукенберг А.Г., Пунин Ю.О. Оптические аномалии в кристаллах. – СПб.: Наука, 2004. – 280 с.58. Инденбом В.Л. К теории образования напряжений и дислокаций при ростекристаллов // Кристаллография. – 1964.
– Т. 9, № 1. – С. 74–83.59. Инденбом В.Л. Напряжения и дислокации при росте кристаллов // Изв. АНСССР. Серия Физическая. – 1973. – Т. XXXVII, №11. – С. 2258–2267.60. Белая А.И., Добровинская Е.Р., Литвинов Л.А., Пищик В.В. О возможности управления примесной неоднородностью в монокристаллах корунда // Кристаллография.
– 1981. – Т. 26. – С. 164.61. Ландау А.И. Влияние диффузии примесей в расплаве на их распределениев кристалле при направленной кристаллизации // Рост кристаллов: сб. науч. тр. –М., 1957. – Т. 1. – С.74–84.62. Антонов П.И., Бахолдин С.И., Куандыков Л.Л., Лингарт Ю.К. Явлениескачков теплового поля при кристаллизации монокристаллических лент сапфирапо способу Степанова и методом ГНК // Кристаллография. – 2004.
– Т. 49, № 2. –С. 300–309.63. Бессонова Т.С., Самсонов А.Л., Аввакумова Л.А., Бодячевский С.В., Шалфеев Е.Г. Управление вакансионной структурой кристаллов корунда, выращиваемых из расплава в присутствии графита // Неорганические материалы. – 1990. – Т.26, № 12. – С. 2531–2532.64. Малюков С.П., Нелина С.Н., Зайцев В.И. Экспериментальное изучениетеплообмена между нагревателем и кристаллом лейкосапфира в процессе кристаллизации методом ГНК // Нанотехнологии, наноматериалы, нанодиагностика: научная молодежная школа. – Санкт-Петербург, 2008.
– С. 42–43.65. Попов В.Н., Цивинская Ю.С., Кох А.Е. Исследование технологии выращивания кристалла в неоднородно разогретом тигле // Математическое моделирование. – 2005. – Т. 17, № 5. – С. 77–84.31466. Марченко М.П., Фрязинов И.В. Математическая модель и численная реализация процесса гранного роста кристалла // Кристаллография. – 2005. – Т. 50, №6. – С. 1114–1122.67. Ханнанов Ш.Х., Никаноров С.П., Бахолдин С.И. Модель идеальной релаксации термоупругих напряжений при выращивании монокристаллов // Физикатвердого тела.
– Т. 45, вып. 6. – 2003. С. 1020–1023.68. Малюков С.П., Нелина С.Н. Влияние изменения мощности нагревателя накачество монокристаллов лейкосапфира, выращиваемых методом горизонтальнонаправленной кристаллизации // Микроэлектроника и информатика: тезисы докл.Всерос. конф. – Зеленоград, 2007. – С. 190.69. Дзюба А.С., Ионг Зу. Взаимодействие газовых пузырьков с фронтом кристаллизации расплава // Кристаллография.
– 1985. – Т. 30, № 6. – С. 1177–1180.70. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V. Investigations of defects formation on different stages of sapphire crystals growth // Saint-Petersburg OPEN 2014: InternationalSchool and Conference. – St. Petersburg, 2014. – pp. 127–128.71. Klunnikova Yu.V., Malyukov S.P., Parinov I.A. Simulation of Defects Formation in Sapphire Crystals Growth Process // Physics and Mechanics of New Materialsand Underwater Applications: International Symposium.
– Khon Kaen, 2014. – pp. 48–49.72. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V., Minenkov D.V. Simulation of TemperatureFields Distribution in the Sapphire Crystals for Defects Diagnostic // Proceedings of theIEEE Russia (North West Section). – 2013. – Vol. 5. – pp. 2–4.73.
Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V. Complex Investigations of Sapphire CrystalsProduction // Physics and Mechanics of New Materials and Underwater Applications:International Symposium. – Kaohsiung, 2013. – pp. 58–59.74. Jin Z.L., Fang H.S., Yang N., Wang S., Xu J.F. Influence of temperaturedependent thermophysical properties of sapphire on the modeling of Kyropoulos coolingprocess // Journal of Crystal Growth.
– 2014. – № 405. – pp. 52–58.31575. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V. Investigations of cracks formation in sapphire crystals // IOP Conf. Ser. – 2016. – 3 p.76. Grin L.A., Budnikov A.T., Sidelnikova N.S., Adonkin G.T., Baranov V.V. Optimization of temperature conditions for the growth of large-size sapphire crystals by themethod of horizontally directed crystallization // Functional Materials.
– 2013. – № 20(1). – pp. 111–117.77. Suzuki T., Shirotsuki K., Taishi T., Hoshikawa K. Contact angle of sapphiremelt and bubble generation on crucible material // Journal of Crystal Growth. – 2014. –№ 401. – pp. 508–510.78. Sun C., Xue D. Crystal growth and design of sapphire: Experimental and calculation studies of anisotropic crystal growth upon pulling directions // Crystal Growth andDesign. – 2014. – № 14 (5). – pp.
2282–2287.79. Malyukov S.P., Stefanovich B.A., Cherednichenko D.I. Study of model of selfcoordinated growth of single crystals of sapphire by horizontal directed crystallization //Semiconductors. – 2008. – № 42 (13). – pp. 1508–1511.80. Malyukov S.P., Stefanovich V.A., Cherednichenko D.I. Relaxation of bubblesin the leucosapphire melt during crystal growth through lateral directed crystallization //Crystallography Reports. – 2007. – № 52 (6). – pp. 1100–1103.81. Rogov V.V.
Physicochemistry in processes of the formation of functional surfaces of glass and sapphire (α-Al2O3) components for electronics and optical systems intribochemical polishing // Journal of superhard materials. – 2009. – № 3. – Vol. 31. – pp.74–83.82. Томашик В.Н., Томашик З.Ф. Механическая и химико-механическая обработка полупроводниковых соединений типа АIIBVI // Неорганические материалы. –1994. – № 12. – Т. 30. – С. 1498–1503.83. Tawfik W.Z., Bea S.-J., Yang S.B., Ryu S.-W., Lee J.K. Effect of sapphire substrate thickness on the characteristics of 450 nm InGaN/GaN multi-quantum well lightemitting diodes // Journal of Nanoscience and Nanotechnology. – 2015. – № 15 (7). – pp.5140–5143.31684. Nizhankovskyi S.V., Tanko A.V., Sidelnikova N.S., Adonkin G.T.
Formation oflongitudinal aggregation of inclusions in bulk sapphire and yttrium-aluminum garnetgrown by horizontal directed crystallization method // Crystal Research and Technology.– 2015. – № 50 (3). – pp. 223–229.85.Tsai F.C., Chang T.C., Lee Y.L., Lin C.L. Studies of surface roughening forsapphire substrate // Advanced Materials Research. – 2014. – № 887-888. – pp. 1063–1067.86. Sun C.T., Xue D.F. Single crystal growth mechanism of sapphire // MaterialsTechnology. – 2013. – № 28 (5). – pp. 286–289.87.
Akselrod M.S., Bruni F.J. Modern trends in crystal growth and new applicationsof sapphire // Journal of Crystal Growth. – 2012. – № 360 (1). – pp. 134–145.88. Костомаров Д.В., Багдасаров Х.С., Кобзарева С.А., Антонов Е.В. Химические процессы и состав газовой и твердой фаз в системе Al2O3-Mo при температурах 2327 – 2500 К // Кристаллография. – 2008. – № 4. – Т. 53. – С.
699–706.89. Инденбом В.Л., Томилевский Г.Н. Измерение внутренних напряжений вкристаллах синтетического корунда // Кристаллография. – 1957. – Т. 1. – С 593–599.90. Инденбом В.Л., Освенский В.Б. Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов // Росткристаллов: сб. науч. тр. – Москва, 1980. – Т.13. – С.
240–260.91. Нелина С.Н., Малюков С.П., Чередниченко Д.И. Теплофизические процессы при выращивании лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Химия твердого тела: монокристаллы, наноматериалы, нанотехнологии: тезисы докл. Междунар. конф. – Кисловодск, 2009. – С. 105–107.92. Бочкин О.И., Брук В.А., Никифорова-Денисова С.Н. Механическая обработка полупроводниковых материалов. – 2-е изд. – М. : Высшая школа, 1977.
– 152с.93. Резникова А.Н. Абразивная и алмазная обработка материалов. – М. : Машиностроение, 1977. – 391 с.31794. Аникин А.В., Сагателян Г.Р., Хохлов А.И. Шлифование пластин сапфирадиаметром 100 мм // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: тезисы докл. Междунар. конф. – Дивноморское, 2004. – С. 93–96.95. Кольцова Э.М., Шилов Н.И., Василенко В.А. Алгоритмическое и программное обеспечение для процессов массовой кристаллизации из растворов //Программные продукты и системы. – 1997.
– № 1. – С. 37–43.96. Девятых Г.Г., Ковалев И.Д., Крылов В.А. Информационно-расчетная система «Высокочистые вещества и материалы» // Материалы электронной техники.– 1998. – № 3 – С. 44–51.97. http://nitec.n-sk.ru/pdf/A.09.O.doc (дата обращения: 03.04.2011).98. Ньи Ньи Шейн. Система управления для размерного микрошлифованияизделий из сверхтвердых и хрупких материалов // Микроэлектроника и информатика: тезисы докл. Всерос. конф.– Москва, 2007. – С. 261.99.
Чернышев Ю.О., Иванян А.Ю. Программная поддержка расчетов и оптимизациирежимоврезания//ИзвестияТРТУ.Тематическийвыпуск«Интеллектуальные САПР». – 2004. – № 3. – С. 137–140.100. Иванян А.Ю. Исследование и оптимизация основных показателей системмеханическойобработки//ИзвестияТРТУ.Тематическийвыпуск«Интеллектуальные САПР». – 2004. – № 3. – С. 288–289.101. Майоров В.С. Система поддержки принятия решений для задачи выбораоптимальных режимов лазерной закалки // Физика и химия обработки материалов.– 2001. – № 2. – С. 91–94.102.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
