Диссертация (1143290)
Текст из файла
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕУЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙУНИВЕРСИТЕТ»ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕУЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ПЕТРА ВЕЛИКОГО»На правах рукописиКлунникова Юлия ВладимировнаФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ И ПУТИСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВСАПФИРА ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИСпециальность 05.27.06 – «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»Диссертация на соискание ученой степенидоктора технических наукНаучные консультанты:д.т.н., профессор Малюков С.П.д.
ф.-м. н., доцент Филимонов А.В.Санкт-Петербург20181СОДЕРЖАНИЕВВЕДЕНИЕ ............................................................................................................. 7Глава1АНАЛИЗСОВРЕМЕННЫХПРОБЛЕМИЗГОТОВЛЕНИЯПОДЛОЖЕК САПФИРА ДЛЯ ПРИБОРОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ............. 231.1Сапфировыеподложкикакосноваинтегральныхсхеммикроэлектроники ....................................................................................................... 231.1.1 Сравнительный анализ существующих подложек для созданияприборов микроэлектроники ......................................................................................
311.2 Анализ существующих методов получения монокристаллов сапфира... 391.3 Проблема модернизации установок для роста кристаллов сапфира ....... 461.4 Анализ существующих моделей роста монокристаллов сапфира ........... 511.5 Проблема дефектообразования при выращивании и механическойобработке монокристаллов сапфира для подложек интегральных схем ............... 561.6 Анализ математического, информационного обеспечения процессаполучения подложек сапфира .................................................................................... 591.7 Современное состояние получения пленок на подложках сапфира дляприборов твердотельной электроники ...................................................................... 721.8 Выводы по главе 1 .........................................................................................
78Глава 2 ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПОЛУЧЕНИЯ САПФИРА ДЛЯПРИБОРОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ................................................................... 812.1 Расчет проплавления шихты в процессе роста сапфира методомнаправленной кристаллизации ................................................................................... 812.2 Исследование процесса роста кристаллов сапфира методом Киропулоса....................................................................................................................................... 862.3 Исследование влияния параметров процесса выращивания на качествомонокристаллов сапфира ............................................................................................
942.3.1 Методы оптимизации длительности технологического процессаполучения монокристаллов сапфира ....................................................................... 1002.4 Выводы по главе 2 ....................................................................................... 1122Глава 3 ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОВ СНИЖЕНИЯ ВНУТРЕННИХНАПРЯЖЕНИЙ И ДЕФЕКТОВ ПРИ РОСТЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА......................................................................................................................................... 1143.1 Теоретическое исследование температурных полей при росте сапфира.....................................................................................................................................
1143.1.1 Расчет распределения температуры в вакуумной камере для ростасапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации ...................... 1223.2. Исследование влияния термоупругих напряжений на возникновениеблоков в кристаллах сапфира ................................................................................... 1253.3 Теоретическое исследование процесса формирования газовых пузырейпри росте сапфира ..................................................................................................... 1303.4 Исследование влияния фактора формы кристалла сапфира на процессроста методом горизонтальной направленной кристаллизации ..........................
1363.5 Выводы по главе 3 ....................................................................................... 143Глава 4 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ ВСАПФИРЕ И ИХ ВЛИЯНИЯ НА КАЧЕСТВО ПОЛУЧАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК ... 1454.1 Экспериментальные исследования дефектов в сапфире ......................... 1454.1.1 Исследование трещиноподобных дефектов в сапфире методомповерхностных акустических волн ..........................................................................
1454.1.2Исследованиегазовыхпузырейитрещинвсапфиревиброакустическим методом .................................................................................... 1524.1.3 Исследование дефектов сапфира оптическим, тепловым методами иметодом акустической эмиссии ............................................................................... 1544.2Эволюция поверхности сапфира при механической обработке дляизделий микроэлектроники ...................................................................................... 1584.3ГлаваВыводы по главе 4 .................................................................................. 1665ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕИССЛЕДОВАНИЯОБРАБОТКИМОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА И СТРУКТУР ПЛЕНКА-САПФИР ................
16835.1 Исследование процессов лазерной обработки сапфира и боросиликатногостекла .............................................................................................................................. 1685.2 Исследование процесса лазерной обработки структуры пленка-сапфир..................................................................................................................................... 1815.2.1 Анализ процесса лазерной обработки структуры пленка–сапфир всистеме ANSYS ............................................................................................................. 1885.3 Исследование процессов получения пленок на поверхности сапфира подвоздействием лазерного излучения в жидкости .....................................................
1915.3.1 Экспериментальные исследования структуры и свойств пленок наповерхности сапфира при лазерной обработке в жидкости.................................. 1935.4 Экспериментальные исследования лазерного отжига пленокнаповерхности сапфира ................................................................................................ 2035.5 Экспериментальные исследования осаждения поликристаллическогокремния на сапфировую подложку для интегральных схем микроэлектроники 2105.6 Исследование механических напряжений в тонких пленках хрома насапфировой подложке ...............................................................................................
2155.7 Исследование внутренних термоупругих напряжений в пленке TiO 2 насапфировой подложке ............................................................................................... 2215.8Экспериментальныеисследованиялазерноготермораскалыванияпластин сапфира ........................................................................................................
2275.9 Выводы по главе 5 ....................................................................................... 236ГлаваПРОЦЕССАХ6РЕАЛИЗАЦИЯСОЗДАНИЯРАЗРАБОТАННЫХПРИБОРОВТЕХНОЛОГИЙЭЛЕКТРОННОЙТЕХНИКИВНАОСНОВЕ САПФИРА....................................................................................................
2396.1 Модернизация теплового узла выращивания монокристаллов сапфираметодом горизонтальной направленной кристаллизации ..................................... 2396.2 Оптимизация технологического процесса получения подложек сапфирадля электронного приборостроения ........................................................................ 24546.3Разработкаконструкцииитехнологииизготовлениягазочувствительного датчика на основе подложек сапфира ................................ 2586.3.1 Исследование функциональных характеристик газочувствительногодатчика ........................................................................................................................ 2716.4 Создание защитного покрытия на основе спая сапфир-стекловидныйдиэлектрик-керамика.................................................................................................
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
