Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1091199), страница 30

Файл №1091199 Диссертация (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов) 30 страницаДиссертация (1091199) страница 302018-01-18СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 30)

– С. 1815-1822.198. Manfredi P. F., Re V., Speziali V. Monolithic JFET preamplifier with nonresistive chargereset// Nuclear Science, IEEE Transactions on. – 1998. – Т. 45. – №. 4. – С. 2257-2260.199. Nordholt E. H., Nauta P. K., Van Der Veen M. A new method for realizing JFETs andsuper B's in a standard bipolar IC process// Solid-State Circuits, IEEE Journal of. – 1982. – Т.

17. – №.1. – С. 81-83.200. Nanver L. K., Goudena E. J. G. Design considerations for integrated high-frequency pchannel JFETs// Electron Devices, IEEE Transactions on. – 1988. – Т. 35. – №. 11. – С. 1924-1934.201. Yu H. Y. Complementary junction field effect transistors: пат. 6307223 США. – 2001.202. Ellis-Monaghan J. et al. A 90 to 170V scalable P-LDMOS with accompanied highvoltage PJFET// 2012 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. –2012.203.

Dalla Betta G. F. et al. Design of an n-channel JFET on high-resistivity silicon forradiation-detector on-chip front-end electronics// Nuclear Instruments and Methods in PhysicsResearch Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. – 1995. – Т.365. – №.

2. – С. 473-479.204. Godoy A. et al. Optimum design in a JFET for minimum generation–recombinationnoise// Microelectronics Reliability. – 2000. – Т. 40. – №. 11. – С. 1965-1968.205. Saha S. K. Device considerations for ultra-low power analog integrated circuits//Computers and Devices for Communication, 2009. CODEC 2009.

4th International Conference on. –IEEE, 2009. – С. 1-6.206. Wang Z. et al. Design and application of the high-voltage ultra-shallow junction PJFET//Junction Technology (IWJT), 2010 International Workshop on. – IEEE, 2010. – С. 1-4.207. Guohua S. et al. Design of a high-performance PJFET for the input stage of an integratedoperational amplifier// Journal of Semiconductors. – 2010. – Т. 31. – №. 1. – С. 014004.156208. Shi Y.

et al. A cost-competitive high performance Junction-FET (JFET) in CMOSprocess for RF & analog applications// Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2010IEEE. – IEEE, 2010. – С. 237-240.209. Park I. Y. et al. BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) technology trends for power managementIC// ICPE 2011-ECCE Asia. – 2011. – С. 318-325.210. Shi Y. et al.

Design and optimization of silicon JFET in 180nm RF/BiCMOStechnology// Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2010 IEEE. – IEEE, 2010.– С. 86-89.211. Yong L. et al. Design and application of a depletion-mode NJFET in a high-voltageBiCMOS process// Journal of Semiconductors. – 2010.

– Т. 31. – №. 8. – С. 084006.212. www.ee.bgu.ac.il213. Buttler W. et al. Monolithic Front-end For Multielectrode Detectors Based On TheNJFET-PMOS Process// Nuclear Science Symposium, 1990. Conference record: Including Sessions onNuclear Power Systems and Medical Imaging Conference, 1990 IEEE. – IEEE, 1990. – С.

529-532.214. Cai W. Z. et al. TCAD Analysis of a Vertical RF Power Transistor// Simulation ofSemiconductor Processes and Devices, 2009. SISPAD'09. International Conference on. – IEEE, 2009.– С. 1-4.215. Hellings G. et al. Electrical TCAD simulations of a germanium pMOSFET technology//Electron Devices, IEEE Transactions on. – 2010. – Т. 57.

– №. 10. – С. 2539-2546.216. Zaręba A., Łukasiak L., Jakubowski A. Modeling of SiGe-base heterojunction bipolartransistor with gaussian doping distribution// Solid-State Electronics. – 2001. – Т. 45. – №. 12. – С.2029-2032.217. Stricker A. D. et al. Evaluating and designing the optimal 2D collector profile for a300GHz SiGe HBT// Materials science in semiconductor processing. – 2005. – Т. 8.

– №. 1. – С. 295299.218. Артамонова Е.А., Ключников А.С., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Шелепин Н.А.Настройка численной модели для исследования транзисторных МОП-структур КНИ-типа спроектными нормами 180 нм в среде TCAD// Проблемы разработки перспективных микро- инаноэлектронных систем – 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л.Стемпковского.

М.: ИППМ РАН, 2014. Часть II. С. 151-154.219. Salcedo J. A. et al. TCAD methodology for design of SCR devices for electrostaticdischarge (ESD) applications// Electron Devices, IEEE Transactions on. – 2007. – Т. 54. – №. 4. – С.822-832.220. Palankovski V., Selberherr S. The state-of-the-art in simulation for optimization of SiGeHBTs// Applied surface science. – 2004. – Т. 224. – №. 1. – С. 312-319.157221.

Sorge R. et al. High Voltage Complementary Epi Free LDMOS Module with 70 VPLDMOS for a 0.25 µm SiGe:C BiCMOS Platform// Silicon Monolithic Integrated Circuits in RFSystems, 2008. SiRF 2008. IEEE Topical Meeting on. – 2008. С. 58 - 61.222. Sorge R. et al. Concept of vertical bipolar transistor with lateral drift region, applied tohigh voltage SiGe HBT// Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), 2012 IEEE12th Topical Meeting on. – IEEE, 2012. – С. 223-226.223. Palankovski V., Selberherr S.

Rigorous modeling of high-speed semiconductor devices//Microelectronics Reliability. – 2004. – Т. 44. – №. 6. – С. 889-897.224. Decoutere S., Sibaja-Hernandez A. SiGeC HBTs: the TCAD challenge reduced topractice// Materials science in semiconductor processing. – 2005. – Т. 8. – №. 1. – С. 283-288.225. Silvaco TCAD Device User Guide, version 2015.00, Silvaco, Inc.226. Sentaurus TCAD Device User Guide, version J-2014.09, September 2014, Synopsys, Inc.227. Axelrad V. Grid quality and its influence on accuracy and convergence in devicesimulation// IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems.

– 1998. –Т. 17. – №. 2. – С. 149-157.228. Posselt M. et al. Atomistic simulation of ion implantation and its application in Sitechnology// Materials Science and Engineering: B. – 2000. – Т. 71. – №. 1. – С. 128-136.229. Palankovski V. et al. Optimization of High-Speed SiGe HBTs// Electron Devices forMicrowave and Optoelectronic Applications, 2001 International Symposium on. – IEEE, 2001. – С.187-191.230.

А.В. Скворцов. Триангуляция Делоне и её применение. – Томск: Изд-во Том. ун-та,2002. – 128 с.231. Dutton R. W., Strojwas A. J. Perspectives on technology and technology-driven CAD//Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, IEEE Transactions on. – 2000. – Т. 19. –№. 12. – С. 1544-1560.232. S.Selberherr. Analysis and simulation of semiconductor devices. New York: SpringerVerlag, 1984. Selberherr S. Analysis and simulation of semiconductor devices. – Springer Science &Business Media, 2012.233. Шашков В.

Б. Прикладной регрессионный анализ. Многофакторная регрессия:Учебное пособие// Оренбург: ГОУ ВПО ОГУ. – 2003.234. Денисенко В. Моделирование МОП-транзисторов. Методологический аспект//Компоненты и технологии. – 2004. – №. 43.235. Ismail M. A. et al. Refinement of Diffusion Profiles in TCAD for Calibrated andPredictive MOSFET Simulations// Computer Applications for Security, Control and SystemEngineering. – Springer Berlin Heidelberg, 2012. – С. 388-395.158236. Ismail M. A., Bakar M. H. A., Nasir I.

M. Essential corrective factors in TCADcalibration for MOSFET device// Micro and Nanoelectronics (RSM), 2011 IEEE Regional Symposiumon. – IEEE, 2011. – С. 40-44.237. Park H. et al. Systematic calibration of process simulators for predictive TCAD//Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 1997. SISPAD'97., 1997 InternationalConference on. – IEEE, 1997. – С. 273-275.238. А.Н. Бубенников. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов исхем. – Учеб.

пособие для спец. «Физика и технология материалов и компонентов электроннойтехники». – М.: Высш. шк., 1989. – 320 с.:ил.239. М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, М.А. Ревелева. Технология, конструкции и методымоделирования кремниевых интегральных микросхем. – Учеб. пособие под ред. Ю.А.Чаплыгина: Ч. 1.

- М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2007.240. Zechner C. et al. New implantation tables for B, BF 2, P, As, In and Sb// Ion ImplantationTechnology. 2002. Proceedings of the 14th International Conference on. – IEEE, 2002. – С. 567-570.241. Suzuki K. Analysis of ion implantation profiles for accurate process/device simulation:ion implantation profile database based on tail function// Fujitsu Scientific and Technical Journal. –2010. – Т. 46. – №. 3. – С. 307-317.242. Gibbons J. F., Johnson W. S., Mylroie S. W.

Projected range statistics. Semiconductorsand related materials. – 1975.243. Tasch A. F., Yang S. H., Morris S. J. Modeling of ion implantation in single-crystalsilicon// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions withMaterials and Atoms. – 1995. – Т.

102. – №. 1. – С. 173-179.244. Tasch A. F. et al. Experimental observations and modeling of ultra‐shallow BF2 and Asimplants in single‐crystal silicon// Journal of Vacuum Science & Technology B. – 1994. – Т. 12. – №.1. – С. 166-171.245. Yang S. H. et al.

Характеристики

Список файлов диссертации

СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов
Документы
Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6489
Авторов
на СтудИзбе
303
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее