Озыв АО РКС (1091182)
Текст из файла
Акционерное обгцество 46Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем» (АО 44Российские космические системы») Лвввовоо10ввв уо., 0. 53. Мосввв. 111250 1 сов 14951 673 95-19, фввс: 14951509. 12410. соов11.' со11661сф; 1всссо201 19 ОКП1) 1 И77389. О1 В11 1097746649601. ИПИ 7722695769, КП11774550001 ИЫФ йГ:Я Ученому секретарю диссертационного совета Д 212.131.02 к.ф,-м.н. Л,Ю,Фетисову Московский технологический университет, 119454 Москва, Проспект Вернадского, 78 Направляю Вам отзыв на автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Геннадьевича «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специалыюсти 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Приложение: отзыв на 2 л. в 2 экз. АО в РОССИИСК1"; С уважением, ученый секретарь АО «Российские космические системы» .А.Федотов Акционерное об1цестио «Российскаи корпорации ракетно-космического приборостроении и информационных систем» ~АО «Российские космические системы55) Лвввяотогпав 5о.. л. 53.Моокво. !!!25а 'Ъ.. вь 5 ВЗ КГ~ ~:Ю5)ва ПО." .В:«»~~ вувв ОК!!О !!477389. О!Л ! !09774664968!. П!П! 7722698789. К!П! 77485ППП! Нв Э8в от отзыв на автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Геннадьевнча кСВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах Развитие радиационно-стойких аналоговых ИМС в первую очередь определяется возможностями сушествующих технологических процессов.
Применение комплементарных биполярных технологических процессов, как показывает практика, способно обеспечить создание ИМС, предназначенных для использования в аппаратуре космических аппаратов, установок физики высоких энергий. Отсутствие отечественных технологических процессов изготовления комплементарных биполярных транзисторов с граничными частотами более 5 ГГц делает цель диссертационной работы значимой для отечественной электронной промышленности. В качестве основного инструмента исследования сверхвысокочастотпых комплементарных биполярных транзисторов автор использовал приборно-технологическое моделирование, значимость которого возрастает по мере усложнения конструкций н увеличения рабочих частот полупроводниковых приборов.
Для обеспечения точности результатов проектирования в работе большое внимание уделено результатам исследований моделей технологических операций и физических процессов. С учетом экспериментальных данных проведена отладка моделей технологических операций для широкого диапазона режимов их проведения, моделей расчетов высокочастотных характеристик с учетом ограниченных вычислительных ресурсов. Для обеспечения, как высоких, так и согласованных значений граничной частоты комплементарных биполярных транзисторов предложены методы оптимизации профилей распределения примеси, а также их конструкций.
Это, в частности, метод формирования градиентного профиля распределения примеси, методы обеспечения симметрии областей пассивной базы, режимы формирования активной базы н эмнттера. Для комплементарных биполярных транзисторов применяется комбинированная изоляция, способная обеспечить увеличение порога возникновения тиристорного эффекта. Также рассмотрены методы формирования профиля распределения примеси в случае полной диэлектрической изоляции на основе КНИ-подложек, способной повысить радиационную стойкость исследуемых транзисторов.
В качестве замечания следует отметить, что в работе не представлены результаты моделирования интегральных элементов исследуемого технологического процесса с учетом воздействий ионизирующих излучений, что возможно в современных системах приборно- технологического моделирования. Тем не менее, высказанное замечание не снижает общего положительного впечатления от представленной диссертационной работы. В целом, диссертационная работа Дроздова Дмитрия Генпадьевича, насколько возможно судить по автореферату, выполнена на высоком научно-техническом уровне, характеризуется практической значимостью и является целенаправленным и завершенным исследованием, удовлетворяющим требованиям ВАК, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор заслуживает присуждения ему степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Заместитель генерального конструктора по ЗКБ, кандидат технических наук, доцент Владимир Борисович Стешенко Начальник отделения «Дизайн — центр космических микроэлектронных систем», кандидат технических наук Денис Анатольевич Строганов Подписи В.Б.
Стешенко и Д.А. Строганова удостоверяю Ученый секретарь АО «Российские космические системы», АС С.А.Федотов кандидат технических наук, с,н.с. .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.